• 한국정보관리학회:학술대회논문집
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• 한국정보관리학회 2003년도 제10회 학술대회 논문집
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• pp.341-354
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• 2003

공공분야에서 수행되는 연구사업 및 과학기술 진흥을 위한 과학기술정보(STI)와 그 서비스에 관한 수많은 노력들이 관련 STI DB의 구축확대 정책과 STI서비스 시스템의 개발로 활기를 띠고 있다. 하지만 해당정보의 주된 활용처인 연구개발 활동에 있어 STI가 어떻게 활용되고 있으며 어떤 정보가 실질적으로 R＆D 활동에 투입되어 활용되는지에 대한 분석이 부족한 실정이다. 본 연구에서는 현재 공공영역에 구축되어 있는 과학기술 정보자원의 종합적인 파악과 서비스 형태를 분석하여 실제 연구개발 환경에서 활용되는 STI서비스를 연구개발의 단계별로 분류하고, 연구개발활동의 각단계에서 주로 사용되고 있는 STI서비스를 분류해 이를 니드와 요소의 관계로 연관분석하여 현재 진행되고 있는 STI서비스체제에 대한 정책적 개선방안을 제시하도록 한다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 1998년도 가을 학술발표논문집 Vol.25 No.2 (2)
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• pp.674-676
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• 1998

소자가 sub-quarter um급으로 축소됨에 따라 STI(Shallow Trench Isolation) 기술은 고 집적도의 ULSI 구현에 있어서 중요한 격리 방법으로 많이 사용되고 있다. 현재의 STI 기술은 주로 실리콘 기판을 식각 후 절연물질로 빈 공백이 없이 채우는 (void-free gap filling) 방법 [1,2]과 절연물질을 다시 표면 근처까지 CMP(Chemical Mechnical Polishing)로 etchback하여 평탄화를 하는 방법이 주요한 기술이 되고 있다. 또한 STI 구조로된 격리구조에서 만들어진 MOSFET의 전기적인 특성은 트랜치 격리의 상부 부분의 형태와 gap-filling 물질에 따라 큰 영향을 받게된다. 따라서 본 논문에서는 STI 구조로 만들어진 격리 구조에서 MOSFET의 hump 특성에 관해 연구하였다. 그 결과 hump는 STI 모서리에서 필드 옥사이드의 recess에 의한 모서리 부분에서의 전계 집중과 boron의 segration에 기인한 농도 감소로 인해 hump가 발생하는 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.84-85
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• 2005

Dislocations are often found at Shallow Trench Isolation (STI) process after repeated thermal cycles. The residual stress after STI process often leads defect like dislocation by post STI thermo-mechanical stress. Thermo-mechanical stress induced by STI process is difficult to remove perfectly by plastic deformation at previous thermal cycles. Embedded flash memory process is very weak in terms of post STI thermo-mechanical stress, because it requires more oxidation steps than other devices. Therefore, dislocation-free flash process should be optimized.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.501-504
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• 1999

In the shallow trench isolation(STI) chemical mechanical polishing(CMP) process, the key issues are the optimized thickness control within- wafer-non-uniformity, and the possible defects such as nitride residue and pad oxide damage. These defects after STI CMP process were discussed to accomplish its optimum process condition. To understand its optimum process condition, overall STI related processes including reverse moat etch, trench etch, STI filling and STI CMP were discussed. It is represented that the nitride residue can be occurred in the condition of high post CMP thickness and low trench depth. In addition there are remaining oxide on the moat surface after reverse moat etch. It means that reverse moat etching process can be the main source of nitride residue. Pad oxide damage can be caused by over-polishing and high trench depth.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 영호남학술대회 논문집
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• pp.291-293
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• 2000

In 64M DRAM, sub-1/4m NMOSFETs with STI(Shallow Trench Isolation), anomalous hump phenomenon of subthreshold region, due to capped p-TEOS/SiN interlayer induced defect, is reported. The hump effect was significantly observed as channel length is reduced, which is completely different from previous reports. Channel Boron dopant redistribution due to the defect should be considered to improve hump characteristics besides consideration of STI comer shape and recess.

• 한국문헌정보학회지
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• 제28권
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• pp.109-133
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• 1995

This study assessed citation analysis results in light of their usefulness for national scientific and technical information (STI) policy formulation and review in Korea. using electrical and electronics engineering field as a case. After brief summary of citation analysis results was presented. current Korean STI policy was reviewed. which aims at establishing national STI sharing system by constructing many STI databases and information networks. Citation analysis results were discussed in light of their significance for Korean databases and information network construction and for use of informal networks such as E-Mail and invisible colleges. The problem of access to current information was also reviewed. Some recommendations were made to policy makers. which include creation of a centralized national STI center: development of guidelines for effective utilization of STI networks and STI; and. standardization of information processing technology and support for the automation of information centers and libraries. Based on the literature review. the best possible way of presenting recommendations to policy makers was examined. It was concluded that citation analysis could be a useful methodology for STI policy formulation and review when reliability and validity of the study is assured and the samples well represent the population of scientists and engineers. Finally recommendations for further research were offered.

• 한국음향학회지
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• 제13권5호
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• pp.32-39
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• 1994

전화기의 통화품질은 음량정격으로 규정하고 있으나, 이 방법은 핸드셋 전화기에만 국한되는 방법이다. 핸드 프리 전화기는 실내의 음장의 영향을 더 많이 받으므로 전송 특성뿐만이 아니라 주위 잡음, 에코, 잔향도 포함하여 평가하여야 한다. 따라서 핸드 프리 전화기의 품질을 평가할 수 있는 새로운 방법이 필요하다. Steeneken은 음성 전송 지수(Speech Transmission Index ; STI) 를 계산하여 음성 전송 특성을 평가하는 객관적인 방법을 제안하였다. 본 논문에서는 STI를 핸드 프리 전화기의 통화품질 평가 방법에 적용 가능성을 고찰하고, 고속으로 STI를 계산할 수 있는 시스템을 구현하였다. 이 시스템을 이용하여 잔향 시간이 다른 세군데의 실내에서 핸드 프리 전화기의 STI를 측정한 결과, 실내의 잔향시간이 길어질수록 STI가 감소되는 것을 알았다. 이 결과는 STI를 음장 특성을 포함하는 명료도 평가 방법에도 응용할 수 있다는 것을 시사하고 있다.

• 기술혁신학회지
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• 제22권2호
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• pp.186-206
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• 2019

한국의 공적개발원조(ODA) 규모는 매년 꾸준히 증가하고 있지만 ODA 사업의 수행 방법과 효과성에 대한 비판은 계속 제기되고 있다. 과학기술 분야도 ODA 규모는 늘어나는 추세이지만 여러 문제점이 있는 것으로 보인다. 첫째, 국내외적으로 과학기술 ODA에 대한 정의가 명확하게 확립되어 있지 않고 학문적 논의도 미흡한 편이다. 둘째, 과학기술 ODA 사업의 성과에 대한 분석도 미흡한 것으로 보인다. 셋째, 과학기술 ODA 사업을 체계적으로 수행할 수 있는 기획 관리 역량이 전반적으로 부족하다. 본 논문에서는 과학기술 정책 자문 사업을 대상으로 하여 과학기술 ODA 사업의 성과에 영향을 미치는 요인들을 분석하였다. 그 결과, 과학기술 지식을 이전하는 이전역량뿐만 아니라 이를 흡수 활용하는 흡수역량이 중요함을 발견하였다. 이런 점에서 보면, 과학기술정책 자문 사업이 성공하기 위해서는 우리의 이전역량과 상대 개도국의 흡수역량을 동시에 고려하여 사업을 기획, 관리하는 체제가 요구된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.14-17
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• 2000

The rise throughput and the stability in fabrication of device can be obtained by applying of CMP process to STI structure in 0.18um semiconductor device. To employ in STI CMP, the reverse moat process has been added thus the process became complex and the defects were seriously increased. Removal rates of each thin films in STi CMP was not equal hence the devices must to be effected, that is, the damage was occured in the device dimension in the case of excessive CMP process and the nitride film was remained on the device dimension in the case of insufficient CMP process than these defects affect the device characteristics. We studied the current sensing method in STI-CMP with the reverse moat pattern.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 D
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• pp.2699-2701
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• 2005

최근에 인상적으로 건강한 CD4 T 세포의 수치를 기준으로 약물의 투여 여부를 결정하는 STI 치료 기법이 제안되었다. 본 논문에서는 수학적 생물학 관점에서 이 치료 방법의 유효성을 알아보고, 환자의 면역 시스템을 분석한다. CD4 T 세포의 수치가 고려된 STI 기법은 기존에 제시된 STI 방법과 비교하여 치료기간과 약물 투여량을 각각 감소시켰고, 환자를 LTNP의 상태로 치료하였다. 또한, CD4 T 세포의 수치를 기준으로 약물 투여 여부를 결정하는 방법이 CTLp의 수치를 증가시키는 것과도 관련이 있음을 확인하였다.