Kim, Heewon;Lee, Yong-Jin;Kim, Sun-Ha;Lee, Jin-Hong;Lim, Jong-Myoung;Kim, Hyuncheol
Analytical Science and Technology
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v.33
no.6
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pp.274-284
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2020
This study described the analytical method for simultaneous determination of 89Sr and 90Sr in liquid sample using automated separation system. Radiostrontium in 0.5 kg of liquid sample was concentrated as SrCO3 to reduce the volume of sample, and purified from the sample using Sr-resin 2 mL (BV, Bed volume). The behavior of Sr and interferences such as Ba, Ca and Y were estimated with various flow rate ranging from 1 to 4 mL min-1. The detailed procedure for the purification of Sr on Sr-resin was presented. The purified radiostronitum was measured in Cerenkov mode and then measured in Scintillation mode by mixing scintillation cocktail. The measured value in both modes were used to calculate the activity of 89Sr and 90Sr. The performance tests were carried out the lab-control-sample having various activity ratio of between 89Sr and 90Sr. The recovery of Sr was ranged from 68 to 94 %. The relative bias of 89Sr activity was ranged from -5 to 20 %, and it was ranged from -10 to 10 % for 90Sr.
In previous reports, the authors isolated the algicidal marine bacterium, Alteromonas sp. SR-14 and demonstrated its growth inhibition of diatom, Chaetoceros calcitrans (C. calcitrans). In this paper, we studied the effects of cell free culture filtrate of Alteromonas sp. SR-14 on the growth of C. calcitrans, and the characteristics of the algal growth inhibition substance. The culture filtrate of Alteromonas sp. SR-14 grown in peptone broth showed growth inhibition activity against C. calcitrans. The reasonable culture conditions of the bacterium for producing of algal growth inhibition substances were $15~20^{\circ}$ in temperature, 7.0-9.0 in pH and $23~30{\textperthousand}$ in salinity, respectively. The algal growth inhibition activity of culture filtrate was increased from stationary phase in growth curve of Alteromonas sp. SR-14. The molecular weights of algal growth inhibition substances produced by Alteromonas sp. SR-14 were ranged about from 3 KDa to 12 KDa. Among the substances, less than 10 KDa fraction were stable by heating at $100^{\circ}$ for 10 minutes, while more than 10 KDa fraction were heat labile. According to the experimental results, the algal growth inhibition substance produced by the bacterium was not a single compound.
Journal of the Korean Society of Industry Convergence
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v.16
no.1
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pp.1-8
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2013
In case that W/B is 20%, 30%, 40% respectively, the effects of additive and shrinkage reducing agent on the autogenous shrinkage for high strengthen concrete through the substitution of FA and SF analysis were obtained as following conclusions. When the ratio of FA increased, the compressive strength of high strengthen concrete is decreased in the early times. As the ratio of SF increase, the compressive strength also increased. Comparing with PC(Portland Cement) for 7 days curing, the strength is 13.8% of FA10 + SR0.5 and 19.2% of FA15 + SR0.5 decreased when W/B is 20%, and 6.1% of SF7.5 + SR0.5, 4.8% of SF15 + SR0.5, the strength are increased. In case that W/B is 30%, 13.1% of FA10 + SR0.5 19.1% of FA15 + SR0.5 the strength is decreased and 4.1% of SF 7.5 + SR0.5, 7.2% of SF15 + SR0.5 the strength are increased. In case of W/B 40%, 4.3% of FA10 + SR0.5, and 8.7% of FA15 + SR0.5, the strength is decreased and 3.3% of SF7.5 + SR0.5, 6.3% SF15 + SR0.5 the strength is increased. When the ratio of SR is 0.5%, autogenous shrinkage strain of OPC concrete appeared $-417{\times}10-6$ in 56days curing, the shrinkage strain is decreased 23.7%. The reducing effects of autogenous shrinkage when the mineral and shrinkage agent are used are the same as ones when only shrinkage agent used.
Purpose: The previous reports regarding VUR resolution were not precise due to early frequent surgical intervention. We evaluated the spontaneous resolution (SR) rate and the incidence of new renal scars in primary VUR, focusing on severe reflux. Methods: Medical records of 334 patients with primary VUR who were on medical prophylaxis without surgery for 1 to 9 years, were retrospectively reviewed. Medical prophylaxis was initiated with low-dose antibiotic prophylaxis or probiotics. Radioisotope cystourethrography was performed every 1 to 3 years until SR of reflux. New renal scar was evaluated with follow-up $^{99m}Tc$ DMSA renal scan. Results: The SR rates decreased as VUR grades were getting higher (P=0.00). The overall and annual SR were 58.4% and 14.9%/yr in grade IV reflux and 37.5% and 9.3%/yr in grade V reflux. The median times of SR were 38 months in grade IV reflux and 66 months in grade V reflux. The probable SR rates in grade IV and V reflux were 7.8% and 8.9% in the 1st year, 46.0% and 30.8% in the 3rd year and 74.4% and 64.4% in the 5th year. The incidences of new renal scars between low to moderate reflux and severe reflux showed no significant difference (P=0.32). Conclusion: The SR rates of severe primary VUR were higher than previously reported and most new renal scars were focal and mild.
KIM Ji Hoe;PARK Hi Yun;CHO Yong Chul;CHO Myo Heon;CHANG Dong Suck
Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
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v.32
no.2
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pp.160-164
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1999
Algicidal activities of Alteromonas sp. SR-14 against Chaetoceros calcitrans were investigated at various culture conditions. The algicidal activity by Alteromonas sp. SK-14 was dependent on temperature. In mixed culture of C, calcitrans and Alteromonas sp. SR-14 at various temperatures, the algicidal activity of Alteronzonas sp. SR-14 was the highest at $20^{\circ}C$, but not showed algicidal activity above $25^{\circ}C$. With the inoculation of $10^4$ cells/ml of C. calcitrans, the diatom could not grow at the microalgal culture condition until 15 days by the simultaneous inoculation of less than 10 cells/ml of Alteromonas sp. SR-14. Alteromonas sp. SR-14 showed the strongest algicidal activity against logarithmic phase cells of C. calcitrans. During the mixed culture of C. calcitrans and Alteromonas sp. SR-14, supplementation of Conwy medium nutrients, changes of light intensity with 1,300$\~$4,600 lux and agitation with 200 rpm did not affect the algicidal activity.
The formation of strontium titanate from several molar $SrCO_3$ and $TiO_2$ mixtures was studied in air and $CO_2$ gas Mixtures of $SrCO_3$ and $TiO_2$ were heated in air at 400-$600^{\circ}C$ DTA-TG was used to obtain thermal histories of simples heated in air and $CO_2$ gas. X-ray diffraction analysis was used to determine both the phase composition and the amounts of each phase present. The phase relationship of various compounds $SrTiO_3$, $Sr_2TiO_4$, $Sr_2Ti_3O_7$ and $Sr_4Ti_3O_{10}$ formed by the sintering in each composition was shown by the calibration curves. High temperature X-ray analysis was used to determine both the formation process and deformation process of each products. Small amount of SrTiO3 is formed first at the surface af contact SrTiO3 reacts with $SrCO_3$ to form Sr2TiO4 this is affected on the $CO_2$ pressure.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.20
no.10
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pp.112-118
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2021
In this study, an inspection method using a color image is proposed to conduct a real-time inspection of covalent organic framework (COF) films to detect defects, if any. The COF film consists of an upper pattern SR and a lower PI. The proposed system detects the defects of more than 20 ㎛ on the SR surface owing to the characteristics of the pattern, whereas on the PI surface, it detects defects of more than 4 ㎛ by utilizing a micro-optical system. In the existing system, it is difficult for the operator to conduct a full inspection through a high-performance microscope. The proposed inspection algorithm performs the inspection by separating each color component using the color contrast of the pattern on the SR side, and on the PI surface it inspects the bonding state of the mounted chip. As a result, it is possible to confirm the exact location of the defects through the SR and PI surface inspections in the implemented inspection.
$SrTiO_3$ thin films were deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates at low temperatures below $300^{\circ}C$ by r.f. magnetron sputtering. The materials and the electrical properties of the deposited films were investigated with controlling deposition parameters such as substrate temperature(T_s) and positive substrate d.c. bias voltage. Stoichiometric $SrTiO_3$ films were obtained at Ts of $300^{\circ}C$, but Sr content in the film was less than that of a target when Ts was lower than $300^{\circ}C$, resulting in poor electrical properties. By introducing a positive substrate d.c. bias during deposition, the crystallinity and the dielectric properties of the films were markedly improved. 400 nm thick $SrTiO_3$, films deposited at $300^{\circ}C$ with a positive substrate d.c. bias of 20V showed a columnar structure with <211> crystallographic direction and a dielectric constant of 98.
One of the weak points of the Cr-doped SZO is that until now, it has only been fabricated on perovskite substrates, whereas NiO-ReRAM devices have already been deposited on Si substrates. The fabrication of RAM devices on Si substrates is important for commercialization because conventional electronics are based mainly on silicon materials. Cr-doped ReRAM will find a wide range of applications in embedded systems or conventional memory device manufacturing processes if it can be fabricated on Si substrates. For application of the commercial memory device, Cr-doped $SrZrO_3$ perovskite thin films were deposited on a $SrRuO_3$ bottom electrode/Si(100)substrate using pulsed laser deposition. XRD peaks corresponding to the (112), (004) and (132) planes of both the SZO and SRO were observed with the highest intensity along the (112) direction. The positions of the SZO grains matched those of the SRO grains. A well-controlled interface between the $SrZrO_3$:Cr perovskite and the $SrRuO_3$ bottom electrode were fabricated, so that good resistive switching behavior was observed with an on/off ratio higher than $10^2$. A pulse test showed the switching behavior of the Pt/$SrZrO_3:Cr/SrRuO^3$ device under a pulse of 10 kHz for $10^4$ cycles. The resistive switching memory devices made of the Cr-doped $SrZrO_3$ thin films deposited on Si substrates are expected to be more compatible with conventional Si-based electronics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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