High Speed Machining(HSM) reduces machining time and improves surface accuracy because of the high cutting speed and feedrate. Development of HSM makes it allowable to machine difficult-to-cut material and use small-size-endmill. It is however limited to cutting condition and tool material. In the machining operation, it is important to check main parameter of tool life and select optimal cutting condition because tool breakage can interrupt progression of operation. In this study, cutting parameters are determined to 3 factors and 3 levels which are a spindle speed, a feedrate and a width of cut. Experiment is designed to orthogonal array table for L9 with 3 outer array using Taguchi method. Also, it is proposed to inspect significance of the optimal factors and levels by ANOVA using average of SN ratio for tool life. Finally, estimated value of SN ratio in the optimal cutting condition is compared with measured one in the floor shop and reduction of loss is predicted.
Such effects would be paid off in the right way only when management of the firms perform marketing activities focusing on long term effectiveness, which would drive company profits up and keep them for long. Demands of customers are being changed and varied. In this result with the advantage of mass marketing and database marketing have been drawing attentions from company. To fulfill these demands of customer, they need a concept of eCRM(Web based Customer Relationship Management), and go from selling products and services, or gathering customer requests, up to the phase of solving customer's problem by real time or previous action. With the help of internet, the frequency and speed of the problem solving has improved greatly. For these purposes, we try to determine the most important and most urgent factors in eCRM: utilization by using SN Ratio Decision making, one of the Multi-criteria decision-making methods SN Ratio Decision making is widely used for determining relative magnitude per evaluation item, i. e. priority on problems and is expected to make more systematic and objective evaluations than conventional methods do. Even in the present situation where any general criterion on eCRM dose not exist, utilization of eCRM is expected to be actively continued, which will cause many problems. In this regard, evaluating eCRM counts.
We fabricated highly flexible Mn-doped $SnO_2$ (MTO)/Ag/MTO/polydimethylsiloxane (PDMS)/MTO multilayer transparent conducting films. To reduce refractive-index mismatching of the MTO/Ag/MTO/polyethylene terephthalate (PET), index-matching layers were inserted between the oxide-metal-oxide-structured films and the PET substrate. The PDMS layer was deposited by spin-coating after adjusting the mixing ratio of PDMS and hexane. We investigated the effects of the index-matching layer on the color and reflectance differences with different PDMS dilution ratios. As the dilution ratio increased from 1:100 to 1:130, the color difference increased slightly, while the reflectance difference decreased from 0.62 to 0.32. The MTO/Ag/MTO/PDMS/MTO film showed a transmittance of 87.18~87.68% at 550 nm. The highest value of the Haacke figure of merit was $47.54{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$ for the dilution ratio of 1:130.
풍탁은 한국, 중국, 일본에서 오랜 기간 사용되고 있는 불교 장엄구이다. 하지만 풍탁은 제작 시기를 추정하는 데 어려움이 있으며 유물의 수가 많지 않아 기초연구가 부족한 실정이다. 그러므로 본 연구에서는 미술사적 연구를 참고하여 논산 관촉사 석조미륵보살입상의 보개에 장식되어 있는 청동풍탁 8점을 형태학적으로 분류하였으며, 이에 따른 제작 기법 및 제작 시기에 대하여 과학적으로 규명하였다. 연구 결과를 종합해볼 때 보개의 위치에 따라 관촉사 석조미륵보살입상 청동풍탁은 형태 및 제작 기법의 특징이 나타났다. 대형인 하부 보개 청동풍탁 4점은 Cu-Sn-Pb 삼원계 합금을 주조 기법으로 제작하였으며, 서산 출토 동제풍탁과 형태가 매우 흡사하여 고려 전기에 조성된 것으로 확인된다. 중형인 상부 보개 북측 청동풍탁 2점은 Cu-Sn 또는 Cu-Sn-Pb 합금을 단조 기법으로 제작하였으며, 고려 후기~조선시대에 나타나는 원통형 풍탁과 형태가 유사하다. 소형인 상부 보개 남측 청동풍탁 2점은 미량의 아연(Zn)이 존재하는 것으로 판단되는 Cu-Sn-Pb 삼원계 합금을 주조 기법으로 제작하였으며, 합금 성분 및 치게의 형태 등을 통해 조선 후기에 제작된 것으로 보인다. 미세조직 관찰 및 성분 분석을 통해 하부 보개 청동풍탁 2점은 Cu:Sn:Pb≒80:15:5의 합금비를 지닌 삼원계 합금을 주조 후 서냉하여 제작하였음을 알 수 있다. 상부 보개 동북측 청동풍탁은 방짜유기와 유사한 합금비인 Cu-Sn 이원계 합금을 소재로 단조 기법으로 제작된 것으로 확인된다. 이를 국내 풍탁의 선행 연구와 비교·분석한 결과, 하부 보개 동측 청동풍탁 2점은 타명기에 적합한 주석 함유량을 지닌 고려시대에 제작된 강진 월남사지 출토 금동풍탁의 합금 조성비와 유사하게 확인된다. 방짜유기와 유사한 합금비를 지닌 상부 보개 동북측 청동풍탁은 현재까지 연구된 풍탁 중 유일하게 단조 기법으로 제작된 사례이다. 본 연구를 통해 풍탁의 제작 시기를 형태학적 특징으로 구분하는 데 있어 과학적인 근거를 통해 보다 명확하게 구분할 수 있는 기초자료를 제공하고자 하였다.
Authors evaluated alterations of observable metabolite ratios between the cerebral lesion and the contralateral region related to the clinical symptomatic side in levodopa-treated Parkinson's disease (PD) and investigated correlation between age in patients with PD and metabolite ratios of the lesion. Patients with levodopa-treated PD (n = 54) and age-matched normal controls (n = 15) underwent magnetic resonance spectroscopy (MRS) examinations using a stimulated echo acquisition mode (STEAM) pulse sequence that provided 2$\times$2$\times$2 cm3 volume of interest in the selected regions of substantia nigra (SN) and putamed-globus pallidus (PG). To evaluate dependence of metabolite ratios on age, we divided into two groups (i.e., younger and older age). We quantitatively measured N-acetylaspartate (NAA), creatine (Cr), choline-containing compounds (Cho), inositols (Ins), and the sum of glutamate (Glx) and GABA levels and obtained proton metabolite ratios relative to Cr using a Marquart algorithm. Compared with the contralateral region, a significant neuronal laterality of the NAA/Cr ratio in the lesion of SN related to the clinical symptomatic side was established (P = 0.01), but was not established in the lesion of PG (P = 0.24). Also, Cho/Cr ratio tended toward significance in the lesion of SN (P = 0.07) and was statistically significant in the lesion of PG(P = 0.01). Compared with that in the younger age group, NAA/Cr ratio in the older age was decreased in the lesion of SN (P = 0.02), while NAA/Cr ratio was not statistically significant in the lesion of PG ( P = 0.21). Significant metabolic alterations of NAA/Cr and Cho/Cr ratios might be closely related with functional changes of neuropathological process in SN and PG of levodopa treated PD and could be a valuable finding for evaluation of the PD. A trend of NAA/Cr reduction, being statistically significant in older patients, could be indicative of more pronounced neuronal damage in the SN of the progressive PD.
이 연구에서는 내진구조용 강재(SN)의 냉강롤성형된 각형강관을 사용한 CFT 부재의 중심축하중에 대한 구조성능을 평가한다. 일반적으로 냉간롤성형 및 냉간프레스형성으로 인하여 각형강관의 코너부와 평판부 모두 SN강재에 비해 재질변화가 발생하며, 항복강도와 인장강도 및 항복비의 상한치가 높아지는 경향을 나타낸다. 이러한 현상은 강관의 국부좌굴 이후의 비선형거동에 의해 영향을 주며, 이는 CFT 합성 부재와 같이 비선형해석모델에 대하여 영향을 미친다. 따라서 각형강관의 가공열화도를 평가하기 위하여 각형강관의 재료시험을 수행하였고, 세장비 및 판-폭두께비를 실험변수로 하여 일축 압축력을 받는 CFT부재의 구조성능을 평가하였다.
An all-transparent ultraviolet (UV) photodetector was fabricated by structuring $p-NiO/n-SnO_2/ITO$ on a glass substrate. $SnO_2$ is an important semiconductor material because of its large bandgap, high electron mobility, high transmittance (as high as 80% in the visible range), and high stability under UV light. For these reasons, $SnO_2$ is suitable for a range of applications that involve UV light. In order to form a highly transparent p-n junction for UV detection, $SnO_2$ was deposited onto a device containing NiO as a high-transparent metal conductive oxide for UV detection. We demonstrated that all-transparent UV photodetectors based on $SnO_2$ could provide a definitive photocurrent density of $4nA\;cm^{-2}$ at 0 V under UV light (365 nm) and a low saturation current density of $2.02nA{\times}cm^{-2}$. The device under UV light displayed fast photoresponse with times of 31.69 ms (rise-time) and 35.12 ms (fall-time) and a remarkable photoresponse ratio of 69.37. We analyzed the optical and electrical properties of the $NiO/SnO_2$ device. We demonstrated that the excellent properties of $SnO_2$ are valuable in transparent photoelectric device applications, which can suggest various routes for improving the performance of such devices.
Undoped $SnO_x$ thin films were deposited on Si(100) substrate by using reactive ioassisted deposition technique (R-IAD). In order to investigate the effect of initial oxygen content and heat treatment on the oxidation state and crystalline structure of tin oxide films, $SnO_x$ thin films were post-annealed at 400~$600^{\circ}C$ for 1 hr. in a vacuum ~$5 \times 10^{-3}$ -3/ Torr or were directly deposited on the substrate of $400^{\circ}C$ and the relative arrival ration ($Gamma$) of oxygen ion to Sn metal varied from 0.025 to 0.1, i.e., average impinging energy ($E_a$) form 25 to 100 eV/atom. As $E_a$ increased, the composition ratio of $N_ON{sn}$ changed from 1.25 to 1.93 in post-annealing, treatment and 1.21 to 1.87 in in-situ substrate heating. In case of post-annealing, the oxidation from SnO to $SnO_2$ was closely related to initial oxygen contents and post-annealing temperature, and the perfect oxidation of $SnO_2$ in the film was obtained at higher than $E_a$=75 eV/atom and $600^{\circ}C$. The temperature for perfect oxidation of $SnO_2$ was reduced as low as $400^{\circ}C$ through in-situ substrate heating. The variation of the chemical state of $SnO_x$ thin films with changing $E_a$'s and heating method were also observed by Auger electron spectroscopy.
$Cu_2ZnSnSe_4$ (CZTSe) is one of candidate to alternate $Cu(In,Ga)Se_2$ as solar absorber material for solar cell. The expensive elements of In and Ga are replaced by Zn and Sn, respectively to lower the material cost. In this study we fabricated CZTSe thin film by selenization of single precursor layer consisted metallic constituent. Precursor compositions ratio were selected to have Cu-poor and Zn-rich content and prepared by RF magnetron sputtering. Thermal processing was applied to introduce selenium into as-deposited films at temperatures ranging from 350 to 500 for time up to 120 minutes. Single precursor films showed amorphous structure and consist of individual elements of Cu, Zn, and Sn. It was confirmed by XRD analysis that synthesis of CZTSe compound is occurred from lower temperature process, although concurrently additional phases such as binary cooper selenides are also existed. The quality of CZTSe crystal was improved as temperature increased. We also investigated the optical and electrical properties of as-selenized CZTSe as well.
Bottom-gate tin oxide ($SnO_2$) thin film transistors (TFTs) were fabricated on $N^+$ Si wafers used as gate electrodes. 60-nm-thick $SnO_2$ thin films acting as active layers were sputtered on $SiO_2/Al_2O_3$ films. The $SiO_2/Al_2O_3$ films deposited on the Si wafers were employed for gate dielectrics. In order to increase the resistivity of the $SnO_2$ thin films, oxygen mixed with argon was introduced into the chamber during the sputtering. The mobility of $SnO_2$ TFTs was measured as a function of the flow ratio of oxygen to argon ($O_2/Ar$). The mobility variation with $O_2/Ar$ was analyzed through studies on crystallinity, oxygen binding state, optical properties. X-ray diffraction (XRD) and XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) were carried out to observe the crystallinity and oxygen binding state of $SnO_2$ films. The mobility decreased with increasing $O_2/Ar$. It was found that the decrease of the mobility is mainly due to the decrease in the polarizability of $SnO_2$ films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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