• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.903-908
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따른 문턱전압이동 현상에 대하여 분석하였다. 반도체소자를 도핑시킬 때는 주로 이온주입법을 사용하며 이때 분포함수는 가우스분포를 나타내고 있다. 가우스분포함수는 이온주입범위 및 분포편차에 따라 형태를 달리하며 이에 따라 전송특성도 변화하게 된다. 그러므로 비대칭 DGMOSFET의 채널 내 도핑분포함수의 변화는 문턱전압에 영향을 미칠 것이다. 문턱전압은 트랜지스터가 동작하는 최소한의 게이트전압이므로 단위폭 당 드레인 전류가 $0.1{\mu}A$ 흐를 때 상단 게이트전압으로 정의하였다. 문턱전압을 구하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식으로부터 급수형태로 유도하였다. 결과적으로 도핑농도가 증가하면 도핑분포함수에 따라 문턱전압은 크게 변하였으며 특히, 고 도핑 영역에서 하단 게이트전압에 따라 이온주입범위 및 분포편차에 의한 문턱전압의 변화가 크게 나타나는 것을 알 수 있었다.

• 디지털융복합연구
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• 제17권5호
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• pp.391-398
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• 2019

본 연구는 육상의 세부종목에 따라 성별, 나이범주, 운동경력, 금지약물에 대한 정보 및 교육 여부, 완벽주의성향 및 지각된 동기 분위기가 도핑에 대한 태도에 미치는 영향을 확인하여 육상선수에게 특성화된 도핑예방프로그램 개발에 유용한 정보를 제공하고자 한다. 172명의 국내 육상선수를 대상으로 설문지를 통해 인구통계학적 특성과 도핑정보 관련 질문, 도핑에 대한 태도, 완벽주의성향 및 지각된 동기 분위기에 대한 자료를 수집하였고, 각 요인 중 도핑에 대한 태도에 관한 영향요인을 탐색하기 위해 단계적 다중회귀분석을 실시하였다. 그 결과, 필드종목과 트랙종목의 성인선수는 청소년선수에 비해 도핑에 대한 태도에 더 허용적인 것으로 확인되었고, 트랙종목 선수의 경우에는 완벽주의성향의 하위요인 중 코치의 비판을 더 큰 의미로 받아들일수록 도핑에 대해 더 허용적인 태도를 보이는 반면, 개인적 기준이 중요할수록 도핑에 대해 더 억압적인 태도를 보였다. 이러한 결과는 육상의 세부종목의 특성을 고려한 반도핑 전략 마련에 있어 유용한 정보가 될 것으로 생각된다.

• 디지털융복합연구
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• 제17권5호
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• pp.385-390
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• 2019

본 연구는 도핑 (doping)에 대한 태도를 정량적으로 평가하기 위해 개발된 Performance Enhancement Attitude Scale (PEAS)의 다양한 버전에 대해 모형적합도 (model fit)를 확인함으로써 대한민국 엘리트선수에게 적합한 한국형 PEAS에 대한 정보를 제공하고자 하였다. 180명의 엘리트 육상선수를 대상으로 잘 훈련된 2명의 조사자 감독하에 17문항 PEAS를 자가기입식으로 응답하는 방법으로 자료를 수집하였고, 이를 활용하여 11문항과 9문항, 8문항 및 6문항으로 구분하여 모형적합도를 확인하였다. 그 결과, 8문항 PEAS가 대한민국 엘리트 육상선수에게 좋은 적합도를 보였고, 6문항 PEAS는 청소년선수에게 좋은 적합도를 보였으나 통계적으로 유의하게 나타나지는 않았다. 이러한 결과는 8문항 PEAS를 사용하는 것이 성인 및 청소년 육상선수의 도핑에 대한 태도를 측정하는 데에 더 타당하다는 것을 의미하고, 추후 이를 활용하여 도핑 행위에 영향을 미치는 심리사회학적 요인을 확인한다면 반도핑 전략 개발에 있어서 정확한 정보를 제공할 수 있을 것이다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제5회(2016년)
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• pp.285-287
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• 2016

이황화 몰리브덴(Molybdenum disulfide: $MoS_2$)을 채널(Channel) 물질로 이용하여 metal-oxide-semiconductor(MOS) 구조를 제작하고, 효율적인 제작과정을 제시하였고 특히, Source/Drain의 Doping concentration을 조절하여 효과적인 $MoS_2$ Transistor를 제작 및 시뮬레이션 하였다. 그 후 여러 MOSFET의 특성 분석을 통하여 소자로서의 기능을 확인해보았다. 그리고 특히 채널의 전기적인 특성을 분석하고 채널 내 그리고 contact 사이의 저항 및 mobility의 특성을 알아보았는데, 그 중 Source/Drain Doping Effect와 performance 분석을 통해, 최적화된 $MoS_2$ Transistor를 찾아보았다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2004년도 제15회 정기총회 및 동계학술발표회
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• pp.360-361
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• 2004

An atomization doping process is proposed to manufacture nonlinear optical fiber containing higher concentration of PbTe nano-particles in the core of the fiber than that by the conventional solution doping process. The absorption peaks appeared near 725nm, 880nm, and 1050nm are attributed to the PbTe quantum dots in the fiber core.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.930-932
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• 2007

In order to understand the doping control for the belt source evaporation, the Alq3 and NPB were codeposited on the Ta plate to re-sublimate. The very slow heating $(0.1^{\circ}C/s)$ of the Ta plate shows the separated rate signals of Alq3 and NPB sublimated from the Alq3-mixed NPB organic film on Ta plate. The ratio of the vapor rates of Alq3 and NPB was measured as same as that of each sublimation rates. Therefore, the doping control of the belt source evaporation is of the ratio of the vaporization rates of host and dopants.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제11권11호
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• pp.22-27
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• 1998

We have investigated the effect of an ion shower doping of the laser annealed poly-Si films at an elevated substrate temperatures. The substrate temperature was varied from room temperature to 300$^{\circ}C$ when the poly-Si film was doped with phosphorus by a non-mass-separated ion shower. Optical, structural, and electrical characterizations have been performed in order to study the effect of the ion showering doping. The sheet resistance of the doped poly-Si films was decreased from7${\times}$106 $\Omega$/$\square$ to 700 $\Omega$/$\square$ when the substrate temperature was increased from room temperature to 300$^{\circ}C$. This low sheet resistance is due to the fact that the doped film doesn't become amorphous but remains in the polycrystalline phase. The mildly elevated substrate temperature appears to reduce ion damages incurred in poly-Si films during ion-shower doping. Using the ion-shower doping at 250$^{\circ}C$, the field effect mobility of 120 $\textrm{cm}^2$/(v$.$s) has been obtained for the n-channel poly-Si TFTs.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.177-180
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• 2004

발광층에 Alq3와 rubrene을 mixed host로 사용하고 DCJTB를 형광 dopant로 사용한 다층 박막 구조의 red OLEDs를 제작하였다. 소자의 구조는 $ITO:Anode(120nm)/{\alpha}-NPD:HTL(40nm)/Alq_3+Rubrene(mixed\;host\;1:1)+DCJTB(red\;dopant\;3%)+:EML(20nm)/Alq_3:ETL(40nm)/MgAg(Mg\;5%\;wt):Cathode(150nm)$ 로서 EML내부에 DCJTB를 Totally Doping Method와 Dotted-Line Doping Method의 두 가지 방법으로 도핑 하였다. Mixed host구조에 DCJTB를 6구간으로 나누어 Dotted Line Doping한 소자는 luminance yield가 $9.2cd/A@10mA/cm^2$ 이었다. 이 소자는 DCJTB만을 Totally Doping한 소자의 luminance yield $3.2cd/A@10mA/cm^2$에 비해 약 190%정도의 높은 효율 향상을 보였다. 또한 $10mA/cm^2$에 도달하는 전압은 5.5V Vs. 8.5V로서 mixed host를 사용한 소자에서 약 3V정도 구동전압이 낮아지는 효과가 있었다. 발광 스펙트럼의 Full Width Half Maximum(FWHM)은 각각 56.6nm와 61nm로서 rubrene을 mixed host로 사용한 소자에서 높은 색 순도를 얻을 수 있었다. 이러한 성능의 향상은 $Alq_3$와 혼합된 rubrene에 의한 낮은 전하주 입장벽, 높은 전류밀도에서 나타나는 발광감쇄현상의 감소, 그리고 발광층의 DLD구조에 의한 전하의 trap & confinement 에 따른 발광 exciton의 형성확률이 증가한데서 나타났다고 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 학술대회 및 기술세미나 논문집 디스플레이 광소자
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• pp.81-82
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• 2006

Doping is a well-known method for improving electroluminescent (EL) efficiency of organic light emitting diodes. In our study, doping with 2 materials simultaneously, we could achieve improved EL efficiency. The emission layer was tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum, and the 2 dopants were N,N'-dimethyl-quinacridone (DMQA) and 10-(2-Benzothiazolyl)-2, 3, 6, 7-tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl 1-1H, 5H, 11H-[1] benzopyrano [6,7,8-ij]quinolizin-11-one (C-545T). The EL intensity of co-doped device was nearly flat, it shows that co-doping technique could be a effective way to improve the EL efficiency. EL efficiency of Single-doped device based on DMQA and C-S45T were ~6.47Cd/A and ~7.45Cd/A, respectively. Co-doped device showed higher EL efficiency of ~8.30Cd/A.

• 한국재료학회지
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• 제28권10호
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• pp.564-569
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• 2018

$Cu_2ZnSn(S,Se)_4$ (CZTSSe) films were prepared on Mo coated soda lime glass substrates by sulfo-selenization of sputtered stacked Zn-Sn-Cu(CZT) precursor films. The precursor was dried in a capped state with aqueous NaOH solution. The CZT precursor films were sulfo-selenized in the S + Se vapor atmosphere. Sodium was doped during the sulfo-selenization treatment. The effect of sodium doping on the structural and electrical properties of the CZTSSe thin films were studied using FE-SEM(field-emission scanning electron microscopy), XRD(X-ray diffraction), XRF(X-ray fluorescence spectroscopy), dark current, SIMS(secondary ion mass spectrometry), conversion efficiency. The XRD, XRF, FE-SEM, Dark current, SIMS and cell efficiency results indicated that the properties of sulfo-selenized CZTSSe thin films were strongly related to the sodium doping. Further detailed analysis and discussion for effect of sodium doping on the properties CZTSSe thin films will be discussed.