• 대한화학회지
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• 제27권6호
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• pp.449-456
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• 1983

방사선장해를 예방할 수 있는 특성을 지닌 티오인산 이수소 S-2-(${\omega}$-아미노알킬아미노)에틸들의 간편한 합성법을 연구하였다. 중간체인 3-(2-프탈이미도에틸)-2-옥사졸리디논을 프탈이미드 칼륨염과 3-(2-브로모에틸)-2-옥사졸리디논을 반응시켜 만들었으며, 이 브로모에틸의 옥사졸리디논 유도체는 디에탄올아민으로부터 만들어진 2,2-디브로모 디에틸아민과 탄산염 혼합물의 알카리성 고리닫기 반응으로 합성할 수 있었다. 이 중간체는 30% 브롬화수소(가스)-초산용액으로 반응시켜 브롬화수소 N-(2-(2-브로모에틸아미노)에틸)프탈이미드로 유도되었고 이것을 다시 브롬화수소-초산용액으로 반응시켜 이브롬화수소 N-(2-브롬화에틸)-1,2-에탄디아민을 얻을 수 있었다. 1,3-디아미노프로판과 2-클로로에탄올로부터 2-(3-아미노프로필아미노)에탄올을 합성하고 이것을 Cortese씨법으로 처리하여 이브롬화수소 N-(2-브로모에틸)-1,3-프로판아민을 얻었다. 이들 이브롬화수소들을 DMF 용매에서 티오인산 나트륨으로 처리하여 티오인산 이수소 S-2-(${\omega}$-아미노알킬아미노) 에틸들을 합성하였다. 각각의 합성과정의 특징을 반응조건 및 총수율과 관련시켜 논의하였으며 티오인산 유도체를 합성하는 각편한 방법을 제의하였다.

• 대한화학회지
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• 제20권1호
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• pp.19-34
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• 1976

Sodium sulfisoxazole hexahydrate, $C_{11}H_{12}N_3O_3SNa{\cdot}6H_2O$의 결정 및 분자구조를 X-선 회절법으로 해명하였다. 이 화합물의 결정은 공간군 $P2_1/c$에 속하는 단사형으로 a = 15.68(3), b = 7.70(2), c = $17.94(4){\AA}$, ${\beta}$ = $118(2)^{\circ}$ and Z = 4이다. Weissenberg 사진 촬영으로 얻은 회절반점의 총수는 1717개이며 중원자법을 적용하여 구조해명을 한 후 최소 자승법으로 정밀화하였으며 최종 R값은 0.14이다. Benzene ring과 isoxazole ring은 평면구조를 가지며 서로 $60^{\circ}$의 각을 이루고 있다. 나트륨 원자는 다섯개의 물의 산소 원자들과 N(1)으로 만들어진 찌그러진 팔면체로 배위되어 있다. 분자들은 결정내에서 14개의 서로 다른 종류의 수소결합으로 결합되어 있다. 여섯종류의 $O-H{\cdots}O-H$, 세종류의 $O-H{\cdots}O,$ 두종류의 $O-H{\cdots}N$및 각각 한종류의 $N-H{\cdots}O,$ $O-H{\cdots}N$, $N-H{\cdots}O-H$ 수소결합들이며 그 길이는 2.71에서 $3.04{\AA}$까지이다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.450-460
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• 2019

본 연구는 팀티칭 교수법을 적용한 캡스톤디자인 수업의 주관적 인식을 파악하고자 식음료조리계열 조리전공자를 대상으로 Q방법론을 적용하여 분석하였다. 본 연구의 목적은 팀티칭교수법을 적용한 캡스톤디자인 과목을 수강하는 학생들에 대한 주관적 인식과 이들 사이에서 발견되는 공통적인 구조를 도출하여, 유형들 간의 특성을 기술하고 분석 한 후 향후 시사점을 제시하였다. 유형분석 결과, 총 4가지로 도출되었다. 제 1유형(N=14) : 차별화된 교육과정 만족 형 (Differentiation Curriculum Satisfaction Type), 제 2유형(N=5): 외식창업 계획 형 (Restaurant Business Plan Type), 제 3유형(N=3): 외식프랜차이즈 교육 선호 형(Prefer Franchise Education Type), 제 4유형(N=3): 메뉴개발 수업 선호 형(Prefer menu Development Lesson Type)으로 각각의 유형마다 다양한 특징이 있는 것으로 분석되었다. 향후 팀티칭을 적용한 교육과정 연구에서는 다양한 문헌과 실증연구를 바탕으로 보다 세밀한 Q방법론적인 질문과 분석기법을 보완하여, 응답자들의 다양한 의견들을 보다 구체적으로 분석하고자 한다.

• 한국정보보호학회:학술대회논문집
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• 한국정보보호학회 1997년도 종합학술발표회논문집
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• pp.189-195
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• 1997

S-box의 암호학적 성질이 블록 암호 알고리즘의 안정성을 좌우한다. 여기서 말하는 암호학적 성질이란 선형 공격법에 안전한 높은 비선형성과 입출력 변화공격법에 안전한 입출력 변환의 낮은 균등성을 말한다. 본 논문에서는 갈로아 체의 원시원을 밑으로 하는 멱승 순환 함수를 이용한 S-box의 입출력 변환의 균등성에 관하여 서술한다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제27권6호
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• pp.600-611
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• 2002

본 연구의 목적은 클로로필린이 치주인대 세포 생활력에 미치는 영향을 평가하는데 있다. 치주인대 세포는 건강한 사람에서 발치한 소구치의 치주인대 조직으로부터 채취하여 배양하였다. 비교 기준을 설정하기 위하여, HBSS 내에서 $37^{\ circ}C$로 보관한 치주인대 세포수의 50%가 생존하는데 소요되는 시간을 MTT 분석법에 의해 측정하였다. 그 결과는 6시간이었다. HBSS에 클로로필린 10, 100, 500 nM이 각각 첨가된 3군의 실험 보존액과 F-medium, ViaSpan, Likorol 등 모두 6군의 실험 보존액을 96-well plate에 접종한 후, 치주인대 세포를 동일한 수로 분주하였다. 이를 6시간동안 보관한 후, 각 실험군 보존액에서의 세포 생활력을 MTT 분석법으로 측정하였다 또한, HBSS와 F-medium 및 클로로필린 500 nM이 첨가된 HBSS군의 세포들에 대해 유식세포 계측을 시행하여 각각의 세포주기를 분석하였다. 실험 결과, 클로로필린 500 nM이 첨가된 HBSS에서 보관한 세포들이 가장 높은 생활력을 나타내었으며, 클로로필린이 첨가되지 않은 HBSS에 비해서 유의하게 양호한 세포 생활력 유지 능력을 보였다. 클로로필린으로 처치한 세포들은 클로로필린의 농도가 커짐에 따라 세포 생활력이 증가하는 양상을 나타내었다. 유식세포 계측 결과, HBSS와 F-medium 및 클로로필린 500 nM이 첨가된 HBSS에서 보관한 세포의 77~80%가 G0-G1 단계의 세포 주기로 측정되어, 대부분의 세포들이 안정된 세포 대사 상태를 보이는 것으로 나타났다. 결론적으로, 클로로필린 처치는 치주인대 세포의 생활력 유지에 도움이 되는 것으로 사료된다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2004년도 춘계학술대회
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• pp.69-71
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• 2004

새로운 기술인 Momentary mold surface heating(MmSH)은 기존의 사출성형법으로 제조된 Acrylonitrile Butadiene Styrene(ABS)의 단점을 개선한 사출성형법이다. MmSH로 제조된 ABS와 기존의 사출성형법으로 제조된 ABS의 도금특성을 도금욕 pH 변화에 따라 연구하였다. Sodium hypophosphite가 첨가된 무전해 Ni 도금욕의 PH가 증가할수록 도금 두께가 증가하였고 기존의 사출성형법으로 제조된 ABS의 경우 pH 5이상에서 4B의 밀착력을 가졌다. MmSH로 제조된 ABS의 경우 pH 6이상에서 5B인 12.3N/25mm 이상의 가장 우수한 밀착력을 나타내었다.

• 한국진공학회지
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• 제2권2호
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• pp.188-198
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• 1993

두께가 6~10 nm인 게이트 산화막의 계면에 염소(Cl)를 도입시킨 n-MOS capacitor 및 n-MOSFET을 제잘하여 물성적인 방법(SIMS, ESCA)과 전기적인 방법에 의해서 소자의 특성을 분석, 평가하였다. Last step TCA법을 이용하여 성장시킨 산화막은 No TCA법으로 성장시킨 것보다 mobility가 7% 정도 증가하였고, 결함 밀도도 감소하였다. Time-zero-dielectric-breakdown(TZDB)으로 측정한 결과, Cl를 도입한 막의 파괴 전계(breakdon field)는 18 MV/cm인데, 이것은 Cl을 도입하지 않은 것보다 약 0.6 MV/cm 정도 높은 값이다. 또한 time-dependent-dielectric-breakdown(TDDB) 결과로부터 수명이 20년 이상인 것으로 평가되었고, hot carrier 신뢰성 측정으로부터 평가한 소자의 수명도 양호한 것으로 나타났다. 이상의 결과에서 Cl을 계면에 도입시킨 게이트 산화막을 가진 소자가 좋은 특성을 나타내고 있으므로 Last step TCA법을 종래의 산화막 성장 방법 대신에 사용하면 MOSFET 소자의 새로운 게이트 절연막 성장법으로서 대단히 유용할 것으로 생각된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.235-240
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• 2003

대면적 GaN 기판재료의 개발은 GaN 계열의 응용 가능성을 확대하기 위한 중요한 과제중 하나이다. 이러한 가능성을 조사하고자 본 연구에서는 seed 기판으로 MOCVD-GaN 박막과 소스 물질로서 상업용 GaN 분말을 이용하여 승화법에 의해 GaN 후막 성장을 시도하였다. 일정한 $N_2$ gas와 $NH_3$ gas 유량으로 성장실의 압력을 대기압으로 유지할 때 후막성장에 대한 승화소스물질과 seed 기판 사이의 거리, 상ㆍ하부 히터의 온도, 성장시간 등의 영향들을 연구하였다. 성장된 GaN후막은 SEM 및 XRD등을 이용하여 후막성장 형태 및 구조를 관찰하였고 상온에서 PL특성측정을 통하여 후막의 광학적인 밴드갭 및 결함 등을 조사하였다. 이로부터 양호한 GaN 후막성장에 필요한 공정요소로서 소스와 seed 기판 간 거리, 상ㆍ하부 히터의 온도 및 성장시간 등의 조건들을 정할 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제30권2호
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• pp.41-46
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• 2020

본 연구에서는 HVPE 성장법으로 GaN 성장 시 GaN 내에 잔류하는 stress로 인한 crack 현상을 감소시키고자 기판 종류 및 V/III 비를 조절하여 잔류 stress 특성을 알아보고자 하였다. Sapphire, GaN template 위에 각각 V/III 비 5, 10, 15의 조건으로 GaN을 성장시켜 형성된 hexagonal pit의 분포 및 깊이를 분석하였다. 이를 통해 GaN on GaN template 성장에서 V/III 비가 높을수록 hexagonal pit의 분포 영역 및 깊이가 증가하는 것을 확인하였다. Raman 측정을 통해 hexagonal pit 영역 및 깊이가 컸던 GaN on GaN template 성장에서 V/III 비가 높을수록 stress가 감소하는 것을 확인하였다. 이를 통해 hexagonal pit의 분포 및 깊이가 증가할수록 잔류 stress가 낮아짐을 확인할 수 있었으며, 향후 후막 GaN 성장 시 stress 감소 가능성에 대해 확인하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제39권3호
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• pp.319-325
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• 2015

차량 경량화가 진행되고 있는 요즈음 상용차의 프레임이나 데크를 일반강에서 고장력강으로 대체하고 있는 상황이다. 일반강의 용접부 내구 특성에 대한 연구는 지금까지 많이 이루어졌으나 고장력강 용접부에 대한 연구는 거의 진행되지 않았다. 본 연구에선 첫째, 상용차량에 적합한 용접부 내구를 예측 기법을 찾기 위해 다수의 접근법을 검토해 보았으며 노치계수 접근법인 Radaj 방법을 선택하였다. 둘째, 오버랩 조인트와 T 조인트 용접시편을 이용한 내구시험을 통해서 F-N 선도를 얻었으며, 이 값을 활용하여 HARDOX, ATOS60 재질에 대한 S-N 선도를 추출할 수 있었다. 셋째, 노치계수 접근법을 사용하여 시편 시험으로 얻어진 F-N 선도를 활용하여 고장력강 용접부의 일반적인 S-N 선도를 구할 수 있었다. 넷째, 연구를 통해 얻어진 고장력강 용접부의 내구특성을 상용내구해석 프로그램에 적용하였다. 마지막으로 해석사례를 통해 시험과 해석결과를 비교하였으며, 신뢰할만한 결과를 얻을 수 있었다.