• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.49 no.11
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• pp.205-210
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• 2012

This paper investigated the performance of QoS management using variations of RED parameters in Differentiated Service. Differentiated Service separates packets from a specific traffic by using QoS parameters such as CIR or PIR. A code point is used to mark each packet which is enqueued into each virtual queue. Different RED parameters are configured for virtual queues according to each code point. As the code point value increases, the RED parameters become harsher. To show QoS Management using variations of RED parameters, this paper used the policy model of time sliding window with 2 color marking (TSW2CM). Simulation results using NS-2 showed that the QoS management of a differentiated service can be obtained from using variations of RED parameters.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2000.09a
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• pp.955-958
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• 2000

본 논문은 음성신호를 이용해 성대의 질환이 있는 환자를 진단하고 병명을 판별하게끔 유도하는 자동 진단 시스템을 개발하기 위한 연구의 일부로, 그중 ARS를 이용하여 환자의 음성을 수집, 분석, 식별의 실험에 대한 연구이다. 본 연구 팀에서는 이미 CSL을 이용한 장애음성 데이터의 수집과 식별에 관한 연구 결과를 발표한바 있다. 하지만 선행연구에서는 방음실에서 디지털 녹음기를 이용하여 수집한 음성을 사용했기 때문에, ARS를 통하여 녹음한 음성과는 샘플링 주파수나 대역폭, 잡음성분등의 데이터의 특성이 상당한 차이가 있다. 이러한 이유로 ARS를 통하여 녹음한 음성에 보다 적합한 파라미터 분석프로그램을 작성하여 파라미터를 구하였다. 이 파라미터들은 Kay사의 MDVP를 기초로하여 작성하였고, 대부분 80%정도의 신뢰성을 가졌다. 수집한 음성의 식별은 정상음성과 양성음성의 두가지 경우로 분리하였다. 식별기법으로는 신경망을 이용하였고, 식별파라미터는 구한 파라미터중 6개의 파라미터를 선별하여 식별한 결과 약 90%정도의 식별율을 가졌다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.9 no.1
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• pp.1-10
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• 1994

본 고에서는 전화망에서 발생되는 여러 전송 장애 요인들이 팩시밀리 통신에서 화상에 어떤 영향을 주는지 각 파라미터에 대하여 측정하였다. 이 연구에서 선정된 주요 파라미터는 최근의 측정 결과를 바탕으로 하였다. 이러한 파라미터들은 전송 선로의 특성에 따른 감쇠 왜곡, 군지연 왜곡 등과 그 외에 임펄스성 잡음, 위상지연, 위상 히트 등이다. 이 파라미터들은 모두 팩시밀리 화상 품질에 영향을 주고 있으므로 일정 수준의 팩시밀리 품질을 유지하기 위해서는 영향을 주는 파라미터를 관리하여야 한다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.11 no.6
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• pp.876-885
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• 2000

A new and simple method is presented for determining the parasitic resistances of MESFET and HEMT from the measured S-parameters under normal active bias without depending on additional DC measurements or iteration or optimization process. The presented method is based on the fact that the difference between source resistance(Rs) and drain resistance(Rd) can be obtained from the measured Z-parameters under zero bias condition. It is possible to define the new internal device including intrinsic device and 3 parasitic resistances by elimination the parasitic inductances and capacitances from the measured S-parameters. Three parasitic resistances are calculated easily from the fact that the real parts of Yint,11 and Yint,12 of intrinsic Y-parameters are zero theoretically and the relations between S-,Z-, Y-matrices. The calculated parasitic resistances using the presented method and successively calculated equivalent circuit parameters give modeled S-parameters which are in good agreement with the measured S-parameters up to 400Hz.

• 전자공학회논문지 IE
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• v.44 no.2
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• pp.1-7
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• 2007

The increasing high frequency capabilities of CMOS have resulted in increased RF and analog design in CMOS. Design of RF and analog circuits depends critically on device S-parameter characteristics, magnitude of real and imaginary components and their behavior as a function of frequency. Utilization of scaled high performance CMOS technologies poses challenges as concerns for reliability degradation mechanisms increase. It is important to understand and quantify the effects of the reliability degradation mechanisms on the S-parameters and in turn on small signal model parameters. Various physical effects influencing small-signal parameters, especially the transconductance and capacitances and their degradation dependence, are discussed in detail. The measured S-parameters of H-gate and T-gate devices in a frequency range from 0.5GHz to 40GHz. All intrinsic and extrinsic parameters are extracted from S-parameters measurements at a single bias point in saturation. In this paper we discuss the analysis of the small signal equivalent circuits of RF SOI MOSFET's verificated for the purpose of exacting the change of parameter of small signal equivalent model followed by device flame.

• Proceedings of the Korean Institute of Intelligent Systems Conference
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• 2005.04a
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• pp.289-292
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• 2005

본 논문에서는 클러스터링과 뉴로-퍼지 모델링을 동시에 실시하는 학습 기법을 제안하였다. 클러스터링을 이용하여 뉴로-퍼지 모델링을 실시하는 일반적인 경우, 클러스터링 학습을 실시한 후 학습된 파라미터를 뉴로-퍼지 모델의 초기 파라미터로 설정하고 모델을 다시 학습하는 방법을 취한다. 즉 클러스터링에서 클러스터의 수를 구하고 파라미터를 최적화함으로써 초기 구조동정과 파라미터 동정을 실시하며 이를 다시 뉴로-퍼지 모델에서 세부적인 파라미터 동정을 실시하는 것이다. 또한 모델에서의 학습은 출력데이터의 오차를 이용한 오차미분기반 학습으로 전제부 소속함수 파라미터를 수정하는 방법을 이용한다. 이 경우 클러스터링의 영향과 모델의 영향이 각각 별개로 고려될 수 있다. 따라서 본 논문에서는 클러스터링을 전제부 소속함수로 부여하고 클러스터링의 학습에 뉴로-퍼지 모델을 이용하면서 또한 모델의 학습에 클러스터링을 직접 적용하는 클러스터링 기반 뉴로-퍼지 모델링을 제안하였으며 이 경우 클러스터링의 학습과 모델의 학습이 동시에 이루어지며 뉴로-퍼지 모델에서 클러스터링의 효과를 직접적으로 확인할 수 있다. 제안된 방법의 유용성을 시뮬레이션을 통하여 보이고자 한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.22 no.4 s.106
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• pp.133-143
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• 2007

PCI Express는 고속 차동신호를 사용한 점대점(point-to-point) 프로토콜로 신호무결성(signal-integrity) 측정을 위해 기존의 병렬버스신호와 다른 파라미터(parameter)들이 사용되고 있다. PCI Express 시스템에서 중요한 전기 파라미터는 loss와 jitter이며 eye diagram을 통해서 분석이 가능하다. 본 고는 PCI Express 송수신 버퍼의 전기 규격과 애드인카드(add-in card) 시스템의 전기적 여유(budgets)의 의미와 분석을 다룬다. 또한 실제적인 PCI Express 시스템에서 전기 파라미터들을 측정하고 분석, 디버깅의 방법을 다룬다.

• Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.267-271
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• 2001

다이오드의 소신호 및 대신호 파라미터 추출은 DC 해석, 외부 기생 소자 추출, 마지막으로 5-파라미터에 의한 내부소자 추출로 이루어진다. DC IV-곡선과 S-파라미터의 curve-fitting으로 내부 파라미터를 구하였고 외부 기생소자는 바이어스에 따라 변하지 성질을 이용하였다. 사용된 소자는 Schottky diode는 SIEMENS사의 BAS125를, Varactor diode는 SONY사의 1t362를, PIN diode는 Hitachi사의 HVM14S를 모델로 사용하였다. 실측을 위해 사용된 소자는 각각 HP사의 HSMS-2822, SONY사의 1t362, HP사의 HSMP-3834을 이용하여 측정하였다.

• Bulletin of the Korean Space Science Society
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• 1993.10a
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• pp.12-12
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• 1993

95년 발사 예정인 무궁화위성의 궤도전이에 필요한 조정 파라미터를 계산하기 위해 원지점 모터 점화 계획 S/W를 만들어서 결과에 대해 분석해 보았다. S/W는 Mission analysis mode와 Insert mode로 구성되는데, Mission analysis mode에서는 표류궤도를 얻기 위한 점화 파라미터를 구하는 것이고, Insert mode에서는 점화 파라미터를 이용해 표류궤도를 구하는 것이다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.25 no.8
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• pp.808-820
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• 2014

In this paper, we fabricated two on-wafer type DUT(Device-Under-Test)s; a 10-dB attenuator and an amplifier using commercially available MMIC and we proposed the measurement method of the noise parameters for the two fabricated DUTs. Since the 10-dB attenuator DUT is a passive device, its noise parameters can be accurately determined when its S-parameters are measured. In the case of the amplifier DUT, its noise parameters are available in the datasheet. Hence, the measured noise parameters using the proposed method can be assessed by comparing with the known noise parameters. The noise parameter measurement method having been presented by the authors requires the S-parameters of the 8-port network used in the measurement and limited to coaxial type DUTs. When on-wafer probes are included in the 8-port network, the 8-port S-parameters requires the measurements with different kinds of connectors. In this paper, we obtained the 8-port S-parameters using the Smart-Cal function in the network analyzer. The measured noise parameters shows about ${\pm}0.2dB$ fluctuations for $NF_{min}$. Other noise parameters with the frequency change show good agreement with the expected results.