본 논문에서는 고압방전등 전자안정기의 제작시 발생하는 음향공진 현상을 방지하기 위해서 방전등에 55.5[Hz]구형파를 인가하였고, 이 경우 방전등의 부저항특성 및 방전등의 시동특성에 효과적으로 대응하기 위해 인버터에 공급되는 전원을 정전류 쵸핑에 의한 DC전압으로 하였다. 설계된 전자안정기는 220[V]AC전원 전압을 정류하고, 스위칭 주파수가 30[kHz]인 정전류 쵸핑으로 방전등의 관전압에 맞는 DC전압을 인버터에 공급하며, 인버터에서 55.5[Hz]의 구형파를 방전등에 인가하도록 설계하였다. 설계한 전자안정기를 제작하여 실험한 결과, 비교된 재래식 안정기보다 효율이 향상되고, 플리커현상이 발생하지 않으며, 방전등 시스템의 정전력화 및 조광기능을 갖추고 있어서 탁월한 실용성을 입증하였다. 제작한 전자안정기의 용량은 300[W] 입력전압은 220[V]이며, 실험에 사용한 램프는 정격전력이 300[W]이며 관전압 135[V] 관전류는 2.0[A]로서 측정하였다.
According to electrical output up rating of a permanent magnet motor and request to operate for a large variable speed range, resonance between structural natural vibration and electromagnetic force inside the motor can take place and make noise. This paper describes the mechanism of a resonance between them and noise lowering procedure by frequency shift when they are applied to the reluctance torque largely employed new motor named Permanent magnet Reluctance Motor (PRM).
Recently, the machine tools have been needed for high speed and accuracy to increase productivity. The most Important thing to get a more stabilized machine is to know the frequency response which has an effect on manufacture a lot. This problem should be considered seriously by many researchers. There are many application programs about FEM but Just using FEM program to get information of the object is not enough to put our confidence in the stability of the machine tool design. Therefore, the purpose of this research is to make a study for proving one of the ways to design to produce stabilized a machine more efficiently by comparing FRT method and FEM. At these two tests, we can learn about the frequency response area causing resonance and we can reconfirm the result to trust.
In this paper, the electronic ballast was developed to control 250W metal halide lamp. To avoid acoustic resonance phenomenon, we calculated the acoustic resonance band and determined the driving frequence to from 70kHz to 100kHz. Due to the switching loss of MOSFET, many problems are caused in the inverter circuit during lighting the lamp, so we have reduced the loss by connecting the capacitor to reduce inrush current In this paper, main research area is to find the methods to operate the Iamp on regulated constant output. After detecting the current I and voltage V of the lamp, we changed the driving frequency by changing the DC voltage level.
By introducing a compressive-strained quanternary InGaAsP quantum-wells instead of a conventional ternary InGaAs quantum-wells in 1.55.mu.m DFB-LD, the lasing performances canb e improved and the problems caused by the thickness non-uniformity and the compositional abruptness among the hetero-interpaces canb e relaxed. In this paper, we investigated an iptimum InGaAsP/InGaAsP multiple-quantum-well(MQW) structure as an active layer in a direct-modulated 1.55.mu. DFB-LD from the view point of threshold current, chirping charcteristics, and resonance frequency. The optimum compressive-strained MQW structure was revealed as InGaAsP/InGaAsP structure with strain amount of about 1.2%, number of wells $N_{w}$ of 7, well width $L_{w}$ of 58.agns.. The threshold current density J of 500A/c $m^{2}$, the linewidth enhancement factor a of 1.8, and differential resonance frequency of d $f_{r}$/d(I-I)$^{1}$2/=2GHz/(mA)$^{1}$2/(atI=2 $I_{th}$) were expected in 1.55.mu.m .gamma./4-shifted DFB-LD with the cavity length of 400.mu.m long and kL value of 1.25. These values are considerably improved ones compared to those of 1.55um DFB-LD with InGaAs/InGaAsP MQW which have enhancement factor and the resonance frequence frequency by the detuning of lasing wavelength and gain-peak wavelength. It was found that the linewidth enhancement factor of 20% and differential resonance frequency of 35% without the degradation of the threshold current density could be enhanced in the range of -15nm~-20nm detuning which can be realized by controlling the thickness and Incomposition of InGaAsP well. well.and Incomposition of InGaAsP well. well.
위스퍼링 갤러리 모드가 동작하는 유전체 원판 공진기의 공진 특성은 모드를 여기시키기 위하여 원판 공진기 주위에 배치한 외부 회로에 의하여 영향올 받게 된다. 이러한 현상올 해석하기 위하여, 원판 공진기를 모드 결합이 일어나는 결합부와 결합이 일어나지 않는 비결합부로 나누어 해석하였다. 결합부에서는 원판올 정합회로로 임피던스 매칭한 후, 비평형 유전체 도파로의 결합 전송 방정식을 유도하였다. 결합 전송 방정식으로부터 결합 계수, 결합 전자계 분포, 전력의 이동량 및 모드 결합 현상을 고려한 공진 주파수를 계산하였다. 또한, 공진 특성에 관한 실험을 통하여, 공진 주파수의 계산치와 실험치 간의 오차가 약 1.28%이고 FSR의 경우 약 0.6%임을 알 수 있었다.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제33권8호
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pp.1239-1245
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2009
안테나를 소형화하는 기법에는 많은 접근 방법들이 있다. 본 논문에서는 안테나에 집중소자를 이용한 정합회로를 통하여 안테나의 소형화를 시도하였다. 안테나의 크기의 큰 영향을 주는 그라운드를 PCB 회로 기판과 공유함으로써 형상적인 크기를 최소화하도록 시도하였으며, 안테나의 급전부에 고주파용 집중소자를 이용한 매칭회로를 구성하여 안테나의 임피던스 정합특성을 분석하였다. 본 논문에서 제안된 안테나는 공진주파수의 파장에 비해 매우 작은 크기인 $7\;{\times}\;24\;mm$로 제작되었으며, 860 MHz 대역에서 -18 dB의 반사특성을 보이며 Z-Wave 시스템에 적용가능성을 확인하였다.
This paper is a study on electromagnetic wave absorption properties for the composition ratio of Ni-Zn-Fe$_2$O$_4$. Li-Zn-Fe$_2$O$_4$was composed of Fe$_2$O$_3$ 48∼51mo1%, LiO 18 ∼22mo1%, ZnO 34∼27mo1%. and sintering was carried out at 1200$^{\circ}C$. Through the experiments, the resonance phenomenon occured at low frequence range for high permeability, and vice versa. Specialy, In the case of Fe$_2$O$_3$49mol%, NiO 20mo1%, ZnO 3lmol% ,and the matching thickness was 10mm , the absorbing bandwith was 0.35 ∼0.95GHz. Also, In the case of Fe$_2$O$_3$51mo1%. NiO 22mo1%, ZnO 27mol%, we could get the absorbing bandwith of 0.45∼1.2GHz when the matching thickness was 6mm. Therefore. it is proved that electromagnetic wave absorbers with the above bandwidth range can be fabricated successful1y.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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