• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.188.1-188.1
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• 2014

Aluminum is widely used as a material for electrode on silicon based devices. Especially, aluminum films are used as backside and front-side electrodes in silicon quantum dot (QD) solar cells. In this point, the diffusion of aluminum is very important for the enhancement of power conversion efficiency by improvement of contact property. Aluminum was deposited on a Si (100) wafer and a Si QD layer by ion beam sputter system with a DC ion gun. The Si QD layer was fabricated by $1100^{\circ}C$ annealing of the $SiO_2/SiO_1$ multilayer film grown by ion beam sputtering deposition. Cs ion beam with a low energy and a grazing incidence angle was used in SIMS depth profiling analysis to obtain high depth resolution. Diffusion behavior of aluminum in the Al/Si and Al/Si QD interfaces was investigated by secondary ion mass spectrometry (SIMS) as a function of heat treatment temperature. It was found that aluminum is diffused into Si substrate at $450^{\circ}C$. In this presentation, the effect of heat treatment temperature and Si nitride diffusion barrier on the diffusion of Al will be discussed.

• 센서학회지
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• 제8권2호
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• pp.163-170
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• 1999

각각 8개의 N과 P채널 EEPROM을 이용하여 광섬유 엔진 모니터용 압력센서를 위한 A/D 변환기를 설계하였다. EEPROM의 쓰기와 소거동작에서 요구되는 높은 프로그래밍 전압의 크기를 낮추기 위한 지역전계강화 효과가 소개된다. 프로그래밍 모드에서 EEPROM의 선형적 저장능력을 관찰하기 위해 MOSIS의 $1.2\;{\mu}m$ double-poly CMOS 공정을 이용하여 셀이 제작되었다. 그 결과 1.25V와 2V구간에서 10mV 미만의 오차 내에서 셀이 선형적으로 프로그램 되는 것을 보았다. 이러한 실험 결과를 이용하여 프로그램 가능한 A/B 변환기의 동작이 Hspice에서 시뮤레이션 되었으며, 그 결과 A/D 변환기가 $37\;{\mu}W$의 전력을 소모하고 동작주파수는 333MHz 정도인 것으로 관찰되었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권2호
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• pp.100-105
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• 2004

The influencing factors on the OPC (optical proximity correction) results are quantitatively analyzed using OPCed L/S patterns. ${\sigma}$ values of proximity variations are measured to be 9.3 nm and 15.2 nm for PR-A and PR-B, respectively. The effect of post exposure bake condition is assessed. 16.2 nm and 13.8 nm of variations are observed. Proximity variations of 11.6 nm and 15.2 nm are measured by changing the illumination condition. In order not to seriously deteriorate the OPC, these factors should be fixed after the OPC rules are extracted. Proximity variations of 11.4, 13.9, and 15.2 nm are observed for the mask mean-to-targets of 0, 2 and 4 nm, respectively. The decrease the OPC grid size from 1 nm to 0.5 nm enhances the correction resolution and the OCV is reduced from 14.6 nm to 11.4 nm. The enhancement amount of proximity variations are 9.2 nm corresponding to 39% improvement. The critical dimension (CD) uniformity improvement for adopting the small grid size is confirmed by measuring the CD uniformity on real SRAM pattern. CD uniformities are measured 9.9 nm and 8.7 nm for grid size of 1 nm and 0.5 nm, respectively. 22% improvement of the CD uniformity is achieved. The decrease of OPC grid size is shown to improve not only the proximity correction, but also the uniformity.

• 대한전자공학회논문지SP
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• 제48권1호
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• pp.46-53
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• 2011

비지역적 평균 기반 영상 잡음 제거 알고리즘은 이론적 배경이 간단한데 반해 영상 잡음 제거 성능은 우수하여 최근 가장 널리 사용되는 잡음제거 알고리즘 중에 하나이다. 그러나 기존의 비지역작 평균 기반 알고리즘도 여전히 평탄 영역에서의 잡음 제거 효과가 미흡하며 잡음 제거 과정에서 경계 및 패턴 영역의 흐려짐과 같은 문제점이 있어 다양한 방식으로 개선된 알고리즘이 개발되고 있다. 본 논문에서는 비지역적 평균값을 구할 때 사용되는 가중치를 가중치 정렬을 통해 재 정의된 임계치로서 갱신하고 그로부터 잡음 제거 효과를 향상시키는 개선된 비지역적 평균 알고리즘을 제안한다. 가중치 정렬을 통해 갱신된 가중치들을 통해 경계 및 패턴 영역에서 보다 고르고 선명하게 가중치를 구할 수 있어 결과적으로 잡음 제거로 인한 흐려짐 없이 잡음 제거가 가능하다. 다양한 잡음 정도를 갖는 실험 영상에 제안된 방법을 테스트하여 기존에 제안된 비지역적 평균 기반 알고리즘들에 비해 시각적, 수치적 성능에서 우수한 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제23권11호
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• pp.1315-1322
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• 2012

주파수 영역 반사 진단법은 케이블의 임피던스 값을 측정하여 케이블의 고장점 위치를 진단한다. 전력 케이블 진단과 같이 험한 환경 또는 활성 상태에서의 진단을 위해서는 회로망 분석기보다 오실로스코프를 이용한 시간 영역 임피던스 측정이 널리 사용되고 있다. 그러나 시간 영역에서 임피던스 측정은 주파수가 증가하면 각종 기생 성분에 의해 임피던스 오차가 증가하여, 고장점 진단의 정밀도가 떨어진다. 본 논문에서는 시간 영역 임피던스 측정에 연산증폭기를 이용한 측정 시스템을 구현하고, 오차 보정 방법을 도입하여 좀 더 광대역에서 정확한 시간 영역 임피던스 측정을 수행하는 방법을 제시하고, 실제 케이블 측정 결과를 비교하여 제안된 방법을 검증한다.

• 전자공학회논문지
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• 제54권2호
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• pp.47-52
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• 2017

본 논문에서는 생체 신호 처리를 위한 중간 속도를 갖는 A/D 변환기 설계를 위하여 1.8V 전원의 CMOS SAR(Successive Approximation Register) A/D 변환기를 설계하였다. 본 논문에서 C-DAC Array의 MSB단을 4분할하여 선형성을 향상시킨 10비트 SAR A/D 변환기 설계를 제안한다. 아날로그 입력이 인가되는 MSB 단의 전하가 충전되는 시간을 확보하여 선형성을 높였다. MSB단이 아날로그 입력을 샘플링하는 블록이기 때문에 초기 값을 보다 정교하게 받아들이는 원리를 통해 선형성을 확보하였다. C-DAC에서 Split 커패시터를 사용하여 면적을 최소화하고, 전력을 감소시켰다. 제안된 SAR A/D 변환기는 0.18um CMOS 공정을 이용하여 설계하였고, 공급 전압 1.8V에서 4MS/s의 변환속도를 가지며, 7.5비트의 ENOB(Effective Number of Bit)이 측정되었다. $850{\times}650um^2$의 면적, 총 전력소모는 123.105uW이고, 170.016fJ/step의 FOM(Figure of Merit)을 확인할 수 있다.

• Journal of the Korean Academy of Child and Adolescent Psychiatry
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• 제3권1호
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• pp.129-137
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• 1992

이 논문에서는 Tolchhin의 증례분석을 토대로 청소년의 전화 정신 치료의 임상적 효용성을 분석하였고 국내외 문헌분석을 통해 치료과정에서 고려해야 할 몇가지 문제점과 치료원칙에 관해 기술 하였다. 정규적으로 정신치료를 받고 있는 대부분의 청소년들은 전화로 자신의 치료자와 직접 연락이 닿을 수 있음을 알고, 전화에 대한 답변을 얻을 수 있다는 사실을 알게 될때 도움을 받을 수 있다. 또한 치료자의 전화는 젊은 환자에게 긍정적인 치료적 동맹을 맺게 해 주는데 도움을 줄 수 있다. 전화 정신 치료는 외래치료가 힘든 학생들의 치료에 있어 보조적 치료기법으로 큰 도움을 주며, 매우 도전적이고 즉각적인 응답을 바라는 집단인 청소년에 대한 치료적 장비로서 중요하고 유용한 치료기법으로 기여할 수 있다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.34.1-34.1
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• 2009

A great deal of attention has been focused on ZnO nanowires for various electronics and optoelectronics applications. in the pursuit of next generation nanodevices, it would be highly preferred if well-ordered ZnO nanowires of lower dimension could be fabricated on silicon. Before the growth of nanowires, silicon substrates were selectively etched using silicon nitride as masking layer. Vertical aligned ZnO nanowires were grown by metal organic chemical vapor deposition on patterned silicon substrate. The shape of nanostructures was greatly influenced by the micropatterned surface of the substrate. The aspect ratio, packing fraction and the number density of nanowires on top surface are around 10, 0.8 and $10^7\;per\;mm^2$, respectively, whereas the values are 20, 0.3 and $5\times10^7\;per\;mm^2$, respectively, towards the bottom of the cavity. XRD patterns suggest that the nanostructures have good crystallinity. High-resolution transmission electron microscopy confirmed the single crystalline growth of the ZnO nanowires along [0001] direction.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권2호
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• pp.139-146
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• 2017

본 논문에서는 2채널 displaced phase center antenna(DPCA) 기반의 SAR-GMTI 시스템에서 지상이동 표적의 속도 정보를 추정하는 알고리즘을 제안한다. 제시된 알고리즘에서는 이동표적의 across-track 속도는 기존의 along-track interferometry(ATI) 기법을 이용하여 추정이 가능하다고 가정한 후 표적의 along-track 속도를 추정하는 방법을 제시한다. 이를 위해 기존 이동표적 구조를 변형하여 이동표적 속도를 영으로 만들고, 이를 레이다 속도에 반영하여 레이다 속도가 변화된 새로운 기하학적 구조를 얻는다. 이후 합성 개구면(synthetic aperture) 내의 subaperture 신호에 대한 푸리에 변환을 통해 공간 주파수 중심점 위치를 이용하여 표적의 along-track 속도를 추정한다. 시뮬레이션을 통해 제안한 알고리즘의 속도 추정 성능을 검증하고, 또한 추정된 속도가 보상되어 이동표적 영상의 해상도 및 SINR이 개선됨을 보인다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제16권4호
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• pp.519-523
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• 2006

To improve epothilones production and the ratio of epothilone B/A, carbon sources were investigated in flask culture of Sorangium cellulosum. Depending on the initial concentration, starch significantly enhanced cell growth, but the maximum epothilones productivity and the maximum epothilones production (0.3 mg/l day and 2.6 mg/l at 15 g/l starch, respectively) were relatively low compared with cell growth. On the other hand, addition of glycerol did not stimulate cell growth, but epothilone production was increased from 2.81 mg/l to 7.59 mg/l. Addition of glycerol to culture medium resulted in more significant enhancement of the production of epothilone A, whereas epothilone B levels were relatively constant. Furthermore, when sodium propionate was added as a precursor of methylmalonyl-CoA, it resulted in increase of both total epothilones production and epothilone B/A resolution. Maximum epothilone A and B concentrations reached 10.9 mg/l and 8.58 mg/l, respectively, at 5 mM sodium propionate.