• 한국지반환경공학회 논문집
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• 제17권12호
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• pp.55-64
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• 2016

본 논문에서는 기존의 허용응력설계법(ASD)과 신뢰성해석에 기반을 둔 하중저항계수설계법(LRFD)과 유로코드의 부분안전계수설계법(PSFD)을 사용하여 풍화토지반 얕은기초의 전단파괴에 대한 지지력과 안전여유 산정결과에 대하여 비교 분석하였다. 얕은기초의 지지력에 영향을 주는 지반정수의 불확실성을 정량화하기 위하여 시공 및 설계용 평판재하시험 자료를 수집하고 확률 통계 분석을 통하여 극한지지력의 저항편향계수와 변동계수를 조사하였다. 국내 현장의 얕은기초 대표 단면 예에 대한 신뢰성해석(FORM)을 통하여 신뢰도지수를 구하고 지반정수의 확률변수가 전단파괴에 미치는 영향을 조사하기 위하여 확률변수의 민감도 분석을 하였다. ASD설계법, ASD설계법의 안전율에 대응하는 목표신뢰도 지수의 LRFD설계법, PSFD설계법을 사용하여 얕은기초 대표단면의 안정성 검토를 실시하여 산정된 각 설계법의 안전여유에 대하여 비교 검토를 실시하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.105-109
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• 1992

ITO film, 1500${\AA}$ of thickness, onto glass and p-InP wafer was prepared by e-beam evaporator. The bet ITO film had the resistivity 5.3${\times}$10$\^$-3/ $\Omega$-cm, the concentration 6.5${\times}$10$\^$20/cm$\^$-3/, the transmittance above 80%, and the optical energy gap about 3.5eV. The higher pressure of injected oxygen, the less reverse bias saturation current and the more open circuit voltage. Under the optimum evaporation conditions, the efficiency was 7.19% and the series resistance, and the shunt resistance were respectively 8.5%, 3${\alpha}$, and 26K$\Omega$. The interdependence between activation energy and pre-exponential factor was found. We found he surface of the p-InP became n-type and consquently supposed that the buried homojunction formation, that is, n+-ITO/n-InP/p-InP was caused by Sn diffusion or loss of phosphorus in the interface layer.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.821-824
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• 2005

Probe storage is one of the strong candidates for future mobile storage device since it has potential of recording density over I $Tb/in^2$ with r/w speed over 100 Mbps. It also uses silicon-processing technology that suits the purpose of small form factor. In this paper, write characteristics of resistive probe that can rotate the field direction of PZT by field-induced resistance changes in a small resistive region at the apex of the tip will be presented. Also, the relationship between the size of tip and the available write width is investigated for different source bias conditions. For this study, two-dimensional computer simulation ($SILVACO^{TM}$) was performed. With optimum design, the width of the writing electric field can be smaller than 50nm

• 전기학회논문지
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• 제58권7호
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• pp.1386-1392
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• 2009

An analysis is presented for super-high-speed optical demodulation by an avalanche photodiode(APD) with electric mixing. A normalized gain is defined to evaluate the performance of the optical mixing detection. Unlike previous work, we include the effect of the nonlinear variation of the APD capacitance with bias voltage as well as the effect of parasitic and amplifier input capacitance. As a results, the normalized gain is dependent on the signal frequency and the frequency difference between the signal and the local oscillator frequency. However, the current through the equivalent resistance of the APD is almost independent of signal frequency. The mixing output is mainly attributed to the nonlinearity of the multiplication factor. We show also that there is an optimal local oscillator voltage at which the normalized gain is maximized for a given avalanche photodiode.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권5호
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• pp.492-499
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• 2013

We have investigated the electrical properties of Ru/Ni/n-GaN Schottky structure using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements at room temperature. The barrier height (${\Phi}_{bo}$) and ideality factor (n) of Ru/Ni/n-GaN Schottky structure are found to be 0.66 eV and 1.44, respectively. The ${\Phi}_{bo}$ and the series resistance ($R_S$) obtained from Cheung's method are compared with modified Norde's method, and it is seen that there is a good agreement with each other. The energy distribution of interface state density ($N_{SS}$) is determined from the I-V measurements by taking into account the bias dependence of the effective barrier height. Further, the interface state density $N_{SS}$ as determined by Terman's method is found to be $2.14{\times}10^{12}\;cm^{-2}\;eV^{-1}$ for the Ru/Ni/n-GaN diode. Results show that the interface state density and series resistance has a significant effect on the electrical characteristics of studied diode.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제11C권3호
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• pp.70-74
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• 2001

Admittance or impedance spectroscopy is one of the powerful tools to study dielectric relaxation and loss processes in organic and inorganic materials. In this study, the frequency dependent properties of an indium tin oxide/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum($Alq_3$)/aluminum structure have been studied. The conductance of the $Alq_3$ film increases with the DC applied voltage up to 4V and decreases above 4V in the low frequency region. This indicates that the resistance of the device decreases with the applied bias due to the carrier injection enhancement, thereafter the injected carriers form the space charge and the additional injection of carriers is prevented. The Cole-Cole plot of the admittance takes a one-semicircle shape, which means that the device can be modeled as a parallel resistor-capacitor network. The resistance and capacitance were estimated as 8.62k${\Omega}$ and 2.7nF, respectively, at 3V in the low frequency region. The dielectric constant ( ${\epsilon}'$ ) of the $Alq_3$ film is independent of the frequency in the low frequency region below 100kHz, while the frequency dependency was observed at above 100kHz. The dielectric loss factor ( ${\epsilon}"$ ) of the $Alq_3$ film shows the dielectric dispersion below 100kHz and dielectric absorption in higher frequency domain. The dispersion is thought to be related to the hopping process of the carriers. The ${\epsilon}"$ is proportional to the reciprocal of the frequency. The dielectric relaxation time was extracted to about 0.318${\mu}s$ from the dielectric absorption spectrum.

• 대한토목학회논문집
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• 제26권3A호
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• pp.539-546
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• 2006

국내 LRFD 도로교설계규정을 정립하기 위한 기초 자료를 제공하기 위하여 단경간 플레이트 거더 및 박스 거더 합성단면을 하중저항계수설계법으로 설계하고 설계된 단면의 휨에 대한 신뢰도해석을 수행하였다. 신뢰도해석에서 휨저항강도는 최근 국내에서 생산된 16,000여 구조용 강재 표본의 항복강도 통계적 특성이 반영된 강합성단면의 휨저항강도 통계를 이용하였다. 활하중에 의한 작용모멘트 통계는 고정된 값을 사용하지 않고 편심계수 0.95-1.05를, 변동계수는 0.15-0.25로 가정하였다. 강거더 자중, 콘크리트 바닥판 자중, 포장면 자중 등에 의한 고정하중 모멘트 통계 값은 AASHTO 보정자료를 사용하였다. Rackwitz-Fiessler 법으로 신뢰도해석을 수행하고 지간별, 강거더 형식별, 활하중 모멘트의 불확실성 정도별로 신뢰도지수 계산 결과를 제시하였다.

• 한국재료학회지
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• 제8권4호
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• pp.288-292
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• 1998

n-well Si(100) 영역에 $BF_{2}$를 이온주입 [에너지: 30KeV, 주입량 : $5\times10^{15}cm^{-2}$] 하고 Co($120\AA$)/Ti($40\AA$)이중막을 진공증착하여 RTA-silicidation을 통해 Co/Ti 이중막 실리사이드층을 갖는 p+ -n극저접합 다이오드를 제작하였다. 제작된 소자의 이상계수와 비접촉저항 및 누설전류는 각각 1.06, $1.2\times10^{-6}\Omega\cdot\textrm{cm}^2$, $8.6\muA/\textrm{cm}^2$(-3V)로 나타났으며 실리사이드층을 갖는 이미터 영역의 면저항은 약 $8\Omega\Box$로, 실리상이드/실리콘 계면에서 보론 농도는 약 $6\times10^{19}cm^{-3}$으로, 실리사이드 두께(~$500\AA$)를 포함한 접합깊이는 약 $0.14\mu{m}$로 형성되었다. 다이오드 제작에서 Co/Ti 이중막 실리사이드 층의 형성은 소자의 누설전류를 다소 증가시켰으나 이상계수의 개선과 이미터 영역의 면저항 및 비접촉저항의 감소를 가져왔다.

• 한국자기학회지
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• 제10권6호
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• pp.310-317
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• 2000

먼지 입자에 의한 thermal asperity(TA)써 발생은 드라이브의 신뢰성에 큰 영향을 미친다. 본 논문에서는 드라이브의 입자 분사 시험 등을 통하여 헤드 및 디스크의 TA민감도를 분석하고 TA발생의 중요 인자들을 고찰하였다. 헤드의 TA 민감도는 MR 및 GMR 센서의 재질 및 특성에 많은 영향을 받으며 특히 바이어스 전류가 증가함에 띠라 TA 민감도는 증가한다. 한편 슬라이더의 ABS 형태를 적절히 설계 함으로서 TA를 어느 정도 감소시킬 수 있다. 디스크의 경우 디스크 카본 overcoat층의 scratch저항력을 증가시킴으로써 TA의 발생을 감소시킬 수 있다. 그러나 먼지 입자가 디스크 표면에 부착되는 정도를 결정하는 표면에너지는 TA 발생에 거의 영향을 미치지 않는다. 이는 TA 발생을 초래하는 먼지 입자의 크기가 1-2 $\mu\textrm{m}$로서 디스크 표면의 윤활막에 의한 모세관력이 너무 커서 입자들이 디스크표면으로부터 이탈할 수 없기 때문이다

• Journal of Magnetics
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• 제16권3호
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• pp.211-215
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• 2011

The dynamic magnetostriction characteristics of an Fe-based nanocrystalline FeCuNbSiB alloy are investigated as a function of the dc bias magnetic field. The experimental results show that the piezomagnetic coefficient of FeCuNbSiB is about 2.1 times higher than that of Terfenol-D at the low dc magnetic bias $H_{dc}$ = 46 Oe. Moreover, FeCuNbSiB has a large resonant dynamic strain coefficient at quite low Hdc due to a high mechanical quality factor, which is 3-5 times greater than that of Terfenol-D at the same low $H_{dc}$. Based on such magnetostriction characteristics, we fabricate a new type of transducer with FeCuNbSiB/PZT-8/FeCuNbSiB. Its maximum resonant magnetoelectric voltage coefficient achieves ~10 V/Oe. The ME output power reaches 331.8 ${\mu}W$ at an optimum load resistance of 7 $k{\Omega}$ under 0.4 Oe ac magnetic field, which is 50 times higher than that of the previous ultrasonic-horn-substrate composite transducer and it decreases the size by nearly 86%. The performance indicate that the FeCuNbSiB/PZT-8/FeCuNbSiB transducer is promising for application in highly efficient magnetoelectric energy conversion.