• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권2호
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• pp.98-101
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• 2018

In this paper, we discuss the fabrication of metal alloy resistors. We connected them in parallel to estimate their resistance and temperature coefficient of resistance (TCR). The fabricated resistors have different resistances, 5 and $10{\Omega}$ and different TCRs, 50 and $200ppm/^{\circ}C$. Each resistor was confirmed to have the correct atomic composition through the use of energy dispersive X-ray (EDX). The resistors' electrical properties were confirmed by measuring resistance and TCR. The resistance and TCR of the resistors connected in parallel were estimated through the increase in resistance due to the increase in temperature, and were compared with the measured values. We are confident that this TCR estimation technique, which uses the increase in resistance due to temperature, will be very useful in designing and fabricating resistors with low and stable TCR.

• 폴리머
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• 제26권3호
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• pp.367-374
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• 2002

본 연구에서는 나노 입자의 카본블랙을 결정성 고분자에 분산시켜 특정한 온도에서 저항이 급격하게 증가하는 positive temperature coefficient resistance (PTCR) 특성을 연구하였다. 열가소성 수지를 이용한 PTCR 소재를 열처리에 의하여 고분자의 큐리온도를 조절할 수 있었다. 나노입자 카본블랙이 고분자 구조내에 고르게 분산이 되지 않고, 카본블랙의 함량이 과다하면 negative temperature coefficient resistance (NTCR) 현상이 발생하였다. 카본블랙의 함량과 내부전압을 조절함에 따라 발열 온도를 선정할 수 있었다. 카본블랙의 함량에 따라 전기 전도성이 다르게 나타났으며, 20 wt% 이상에서는 저항이 거의 일정하게 나타난다는 것을 확인하였다. 본 연구에서 제조된 PTCR 소재는 반복적인 가열 냉각에 따른 상온에서의 초기 저항의 변화가 거의 없어 재현성을 확인하였으며, 초기의 낮은 저항에 의한 순간적인 발열에 의하여 저온에서의 PTCR 성능이 향상되었다.

• 폴리머
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• 제26권6호
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• pp.812-820
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• 2002

본 연구에서는 나노입자인 카본블랙을 고분자에 분산시킨 복합체를 각각 용액혼합과 용융혼합을 이용하여 positive temperature coefficient (PTC) 특성을 연구하였다. 전도성 나노입자인 카본블랙과 고분자 복합체의 저항 통전 (threshold)은 용융혼합하였을 때 카본블랙의 함량이 35wt% 이상에서 나타났으며. 용액혼합에서는 카본블랙 함량이 40 wt% 이상에서 나타났다. Ethyl-one vinylacetate copolymer (EVA)의 경우, 온도의 변화에 따라서 저항이 서서히 증가하다가 용융점 근처에서 극대값을 나타내었지만, high density polyethylene (HDPE)의 경우는 저항이 온도의 변화에 따라 일정하다가 용융점 근처에서 증가하기 시작하여 용융점에서 극대값을 나타내었다. 통전 후의 낮은 저항과, scanning electron microscopy (SEM)으로 관찰한 결과로부터 전도성 나노입자의 카본블랙 분산방법에서 용액혼합의 분산 정도가 용융혼합 못지않게 나타났다. PTC 소재에 전류인가시 큐리온도에서 1차적으로 저항이 증가하였으며, 고분자의 용융점에서 2차적으로 트립온도가 될 때까지 저항이 증가하다가 트립온도 이후에는 저항이 일정하게 유지됨을 알 수 있었다.

• Membrane and Water Treatment
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• 제2권3호
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• pp.159-173
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• 2011

The air gap membrane distillation (AGMD) process was applied for water desalination. The main objective of the present work was to study the heat and mass transfer mechanism of the process. The experiments were performed on a flat sheet module using aqueous NaCl solutions as a feed. The membrane employed was hydrophobic PTFE of pore size 0.22 ${\mu}m$. A mathematical model is proposed to evaluate the membrane mass transfer coefficient, thermal boundary layers' heat transfer coefficients, membrane / liquid interface temperatures and the temperature polarization coefficients. The mass transfer model was validated by the experimentally and fitted well with the combined Knudsen and molecular diffusion mechanism. The mass transfer coefficient increased with an increase in feed bulk temperature. The experimental parameters such as, feed temperature, 313 to 333 K, feed velocity, 0.8 to 1.8 m/s (turbulent flow region) were analyzed. The permeation fluxes increased with feed temperature and velocity. The effect of feed bulk temperature on the boundary layers' heat transfer coefficients was shown and fairly discussed. The temperature polarization coefficient increased with feed velocity and decreased with temperature. The values obtained were 0.56 to 0.82, indicating the effective heat transfer of the system. The fouling was observed during the 90 h experimental run in the application of natural ground water and seawater. The time dependent fouling resistance can be added in the total transport resistance.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권2호
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• pp.107-111
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• 2018

In this study, we designed the temperature coefficient of resistance (TCR) and heat radiation properties of shunt fixed resistors by adjusting the atomic composition of a metal alloy resistor, and fabricated a resistor that satisfied the designed properties. Resistors with similar atomic composition of copper and nickel showed low TCR and excellent shunt fixed resistor properties such as short-time overload, rated load, humidity load, and high temperature load. Finally, we expect that improved sensor accuracy will be obtained in current-distribution-type shunt fixed resistor for IoT sensors by designing the atomic composition of the metal alloy resistor proposed in this work.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2002년도 학술대회지
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• pp.671-674
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• 2002

Pressure compensating temperature control valve(TCV) is one of the important control devices, which is used to maintain the constant temperature of working fluid in power and chemical plants. The ratio of cylinder hole diameters of inlet and outlet is the main design parameters of TCV. So this needs to be investigated to improve the function of control of temperature and void fraction. In this study, numerical analysis is carried out with various ratios of cylinder hole diameters of the inlet and outlet in the TCV. Especial1y, the distribution of the static pressure Is investigated to calculate the new coefficient($C_{\upsilon}$) and resistance coefficient(K). The governing equations are derived from making using of three-dimensional Naver-Stokes equations with standard $k-{\varepsilon}$ turbulence model and SIMPLE algorithm. Using a commercial code, PHOENICS, pressure and flow fields in TCV are calculated with different inlet and outlet diameters of the cylinder hole for cold and hot water passages.

• 폴리머
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• 제27권4호
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• pp.275-284
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• 2003

접착성이 없는 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE)과 나노입자 카본블랙 복합체를 대상으로 전극과의 계면 접착 향상과 고분자 가교 특성에 따른 양온도 계수 (PTC) 특성을 연구하였다. 은페이스트를 전극으로 사용하였을 때에는, 전극과 HDPE의 접착 계면 저항으로 인하여 카본함량이 45 wt% 이상에서 1 $\Omega$ 이었으나, 덴드라이트 (dendrite)된 구리 전극의 경우 HDPE와 전극간의 넓은 면적 접촉에 의한 계면 저항이 0.2 $\Omega$ 이하였다. HDPE와 은페이스트의 계면 저항의 증가로 인하여 구리 박막을 사용하였을 때보다 전체적으로 저항이 높게 나타났다. HDPE와 나노입자 카본블랙 복합체는 온도가 증가하여 HDPE의 비캣연화온도까지는 저항이 일정하게 유지하다가, HDPE의 연화점에서 증가하기 시작하여 용융점에서 극대 값을 나타내는 전형적인 PTC특성을 보여주었다. 일반적으로 HDPE의 용융점을 넘어서면 음온도 계수 (NTC) 현상이 나타나는데, 가교결합을 시킨 HDPE의 경우는, 용융점 이상에서 NTC 현상이 나타나지 않고 저항이 일정하게 유지되거나 증가하는 경향이 나타났다. 구리 (copper) 전극과 고분자와의 계면 접촉 면적을 증가시키기 위하여 크롬 (chromium)을 덴드라이트시킨 전극을 사용하여 계면 접촉 저항을 감소시켰다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권5호
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• pp.290-297
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• 2003

전자와 정공의 온도 관련 이온화 계수로부터 추출한 온도 함수의 유효 이온화 계수 및 전자 이동도를 이용하여 실리콘 전력 MOSFET의 항복 전압과 on 저항을 위한 온도 함수의 해석적 표현식을 유도하였다. 온도 함수의 해석적 항복 전압 결과를 4x10/sup 14/ cm/sup -3/, 1x10/sup 15/ cm/sup -3/, 6x10/sup 16/ cm/sup -3/의 도핑 농도에 대해 각각 실험 결과와 비교하였고, 온도 및 항복 전압 함수의 on 저항 변화도 각각 실험 결과와 비교하였다. 각농도에 따른 온도 함수의 해석적 항복 전압은 77∼300k의 온도 범위에서 실험 결과와 10% 이내의 오차로 잘 일치하였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2001년도 추계학술대회논문집A
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• pp.876-881
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• 2001

DLC(Diamond-like carbon) films possess high hardness, low friction coefficient, and good wear resistance. Due to these properties, DLC films have been used extensively in magnetic hard disk industry. The objective of the present study was to investigate the influence of environmental condition on the tribological behavior of DLC coated hard disk. It is found that the tribological characteristics of DLC films are strongly affected by relative humidity and temperature. Specifically, the friction coefficient increases with increase in temperature at relative humidity of 50%. However, at 20% and 85% RH the effect of temperature was not significant. Also, the degree of wear could be observed using an AFM.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.725-728
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• 2001

We have fabricated thin films using the DC/RF magnetron sputtering of 74wt%Ni-l8wt%Cr-4wt%Al-4wt%Cu alloy target and studied the effect of the process parameters on the electrical properties for low TCR(Temperature Coefficient of Resistance) films. In sputtering process, pressure, power and substrate temperature, are varied as controllable parameter. The films are annealed to 400$^{\circ}C$ in air and nitrogen atmosphere. The sheet resistance, TCR of the films increases with increasing annealing temperature. It abruptly increased as annealing temperature increased over 300$^{\circ}C$ in air atmosphere. From XRD, it is found that these results are due to the existence of NiO on film surface formed by annealing. As a results of them, TCR can be controlled by variation of sputter process parameter and annealing of thin film.