We have investigated the electro-optical (EO) performances of the flexible liquid crystal display (LCD) on twisted nematic (TN) mode according to variation of cell gap in comparison with glass LCD. There were four kinds of cells which were having cell gaps of 3$\mu$m, 4$\mu$m and 5$\mu$m, especially the lowest 2$\mu$m on flexible and glass substrates separately. The EO performances of the flexible cells on the rubbed potyimide (PI) were almost the same those of glass cells. The response time of flexible cells was shorter than that of glass cells but the alignment of liquid crystal (LC) of flexible cells was weaker than that of glass cells. The residual DC of flexible cells was on the increase like that of glass cells in compliance with lowering cell gap.
In this study, we investigated about electrooptics characteristic of three kind of TN cell on the polyimide surface. Monodomain alignments of thermal stressed TN cell over temperature of liquid crystal isotropic phase were almost same that of no thermal stressed TN cells. However, the thermal stressed TN cell have many defects. Also, threshold voltage and response time of thermal stressed TN cells show same performances of no thermal stressed TN cells. There were little changes of value in these TN cells. However, transmittances of TN cells on the polyimide surface decrease with increasing thermal stress time. Finally, the residual DC voltage of the thermal stressed TN cell on the polyimide surface show decrease of characteristics as increasing thermal stress time. Therefore, thermal stability of TN cell was decreased by high thermal stress for the long times.
We have investigated electro-optical characteristics in three kinds of TN cells on the polyimide surface. Transmittance of no thermal stressed TN cells were better than that of thermal stressed TN cells. Also. the threshold voltage and the response time of thermal stressed TN cells were same that of no thermal stressed TN cells. There were little change of value in these TN cells. On the other hand. transmittances of TN cells on the polyimide surface decreased by increasing thermal stress time. Moreover. the residual DC of the thermal stressed TN cells on the polyimide surface showed the characteristics of thermal stressed TN cells were weakened as increasing thermal stress temperature and time. Therefore. thermal stability of TN cells were decreased gradually by giving high thermal stress for a long time.
In this paper, we compared the properties of the chromium nitride (CrN) films prepared by inductively coupled plasma magnetron sputtering (ICPMS). As a comparison, CrN film prepared by a direct current magnetron sputtering (dcMS) is also studied. The crystal structure, surface and cross-sectional microstructure and composite properties of the as-deposited CrN films are compared by x-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, nanoindentation tester and corrosion resistance tester, respectively. It is found that the as-deposited CrN films by ICPMS grew preferentially on (200) plane when compared with that by dcMS on (111) plane. As a result, the films deposited by ICPMS have a very compact microstructure with high hardness: the nanoindentation hardness reached 19.8 GPa and 13.5 GPa by dcMS, respectively. Besides, the residual stress of CrN films prepared by ICPMS is also relatively large. After measuring the corrosion resistance, the corrosion current of films prepared by ICPMS was three order of magnitude smaller than that of CrN films deposited by dcMS.
It is well known that Raman spectroscopy is powerful tool in analysis of sp3/sp3 bonding fraction in diamond-like carbon(DLC) films. Raman spectra of DLC film is composed of D-peak centered at 1350cm-1 and G-peak centered at 1530cm-1. The sp3/sp3 fraction is qualitatively acquired by deconvolution method. However, in case of DLC film, it is generally observed that G-peak position shifts toward low wavenumber as th sp3 fraction increases. However, opposite results were frequently observed in ta-C films. ta-C film has much higher residual compressive stress due to its high sp3 fraction compared to the DLC films deposited by CVD method. Effect of residual stress on G-peak position is most recommendable parameter in Raman analysis of ta-C, due to its smallest fitting error among many parameters acquired by peak deconvolution of symmetric spectra. In current study, the effect of residual stress on Raman spectra was quantitatively evaluated by free-hang method. ta-C films of different residual stress were deposited on Si-wafer by modifying DC-bias voltage during deposition. The variation of the G-peak position along the etching depth were observed in the free-hangs of 20~30${\mu}{\textrm}{m}$ etching depth. Mathematical result based on Airy stress function, was compared with experimental results. The more reliable analysis excluding stress-induced shift was possible by elimination of the Raman shift due to residual compressiove stress.
$SO_2$and CO gas removal characteristics of a wire-to-cylinder type nonthermal discharge plasma reactor in various applied voltage (-dc, ac, fast rising pulse and high frequency pulse) and a crossed dc magnetic field have been investigated. The experiment has been emphasized on the oxidizing characteristics of $SO_2$ and CO gas by $O_3$ and the applying of a crossed magnetic field, which would induce the cyclotronic and drift motions of electrons making the residual time longer in the removal airgap space. And it also would enhance the energy of electrons and the electrophysicochemical actions to remove the pollutant gases effectively. It is found thatthe corona onset voltage and the breakdown voltage were decreased with increasing the crossed magnetic field and decrease initial fed $SO_2$and CO concentration. As a result, a higher ozone generation and $SO_2$ and CO gas removal rate of 20[%] can be obtained with -dc, ac and fast rising pulse corona discharges in the crossed dc current-induced magnetic field. But high frequency pulse didn't show effect in applying of a crossed magnetic field.
This paper presents an end-point control of 1-link flexible arm tip-mass by using fuzzy position control algorithm. The arm is mounted on a translational mechanism driven by a ballscrew, whose rotation is controlled by a DC servomotor. Tip position is controlled so that it follows a desired position. Feedback signal is composed of both tip displacement error and change of error. This paper gives tip responses according to the variations of tip-mass and beam length, and the effects of reducing the residual vibrations occurring at the end-point. In the case of the residual vibrations of tip displacement, fuzzy control has better results than the PD-control.
The paper describes the development of arrester for 154kV class power station and substation. The arrester employs silicone insulating materials for Its housing, instead of the conventional porcelain housing. The sealing integrity is related to safe operation of surge arrester, the prime failure reason of porcelain housed arresters is moisture ingress. In this paper, the sealing integrity of polymeric surge arresters for ultra high voltage is investigated with moisture ingress test. The diagnostic techniques are discusses, including watt loss, partial discharge, AC leakage current, 1mA DC voltage and residual voltage.
Titanium nitride (TiN) coatings were produced on AISI 420 stainless steel by DC magnetron sputtering of a Ti target changing the processing variables, such as the flow rate of $N_2/Ar$, substrate temperature and the existence of Ti interlayer between TiN coatings and substrates. The hardness and residual stress in the films were investigated using nanoindentation and a laser scanning device, respectively. The stoichiometry and surface morphology were investigated using X-Ray Diffraction and SEM. The corrosion property of the films was also studied using a polarization method in NaCl (0.9%) solution. Mechanical properties including hardness and residual stress were related to the ratio of $N_2/Ar$ flow rate. The corrosion resistance also was related to the processing variables.
실리콘 기판상에 여러 조건의 전류밀도에서 로듐 도금을 실시하였다. 직류전원의 경우 전류밀도가 증가하면 로듐 표면에 균열이 발생하였다. 잔류응력을 낮추기 위하여 펄스전류를 인가하였다. 펄스전류의 off 시간이 도금층의 잔류응력을 낮추는데 영향을 주었다. 펄스전류의 인가 주기를 5:5로 하였을 경우 균열 없는 로듐 도금층을 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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