JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.8
no.3
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pp.193-199
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2008
A combined clock and data recovery (CDR) circuit with adaptive cancellation of data-dependent jitter (DDJ) is constructed in all-digital architecture which is amenable to deep submicron technology. The DDJ canceller uses an adaptive FIR filter to compen-sate for any unknown channel characteristic. The proposed CDR decreases jitter in the recovered clock since the DDJ canceller significantly cancels out incoming jitter caused by inter-symbol interference.
Planarians show negative phototaxis and have extensive regenerative ability, including the ability to regenerate the brain. Recently the process of regeneration of the planarian brain has been divided into three steps based on the expression of neural markers. In this study, we have analyzed the process of recovery of the light response during head regeneration. Although morphological observations indicated that regeneration of the eyes and optic nerves appeared to be completed by the fourth day, the recovery of the evasion behavior against light was not recovered within 4 days after amputation. Functional recovery of the evasion behavior could be detected starting 5 days after amputation and then gradually recovered. We previously identified genes which are specifically expressed in the brain after the recovery of morphological structures. This characteristic suggested that these genes may be involved in functional recovery of the brain. To investigate the function of these genes, we performed gene knockout analysis using the RNA interference method. The results clearly indicated that these genes are involved in the functional recovery of the visual system.
In this study, the damage mechanism of large scale steam turbine due to water induction was analyzed and recovery characteristics were reviewed. A turbine consists of the rotating rotor and the stationary casing, and the clearance between them is very small for the efficiency enhancement. If water induction, while relatively cold steam or water is introduced into turbine, occurs, the considerable humping is caused at the casing near the initial water induction point and that induces the rubbing between rotor and casing. Finally, it leads to the catastrophic failure. Bowed rotor has the different characteristics in the recovery depending on damage degree. The elastic deformation due to light rubbing is recovered by turning the rotor with 3 rpm under normal operation condition, but most plastic deformation due to rubbing deforms the local microstructure and that results in permanent deformation which could not be recovered under normal operation condition. Bowed rotor has diverse characteristics depending on the recovery method, and the method is empirical and needs the cutting edge technology. Careful recovery treatment of the rotor will eliminate the risks and secure the high quality rotor similar to new rotor. If any critical error is made during the recovery, the rotor would not be recovered permanently and it should be scrapped.
Solution-processed oxide thin-film transistors (TFTs) have garnered great attention, owing to their many advantages, such as low-cost, large area available for fabrication, mechanical flexibility, and optical transparency. Negative bias stress (NBS)-induced instability of sol-gel IGZO TFTs is one of the biggest concerns arising in practical applications. Thus, understanding the bias stress effect on the electrical properties of sol-gel IGZO TFTs and proposing an effective recovery method for negative bias stressed TFTs is required. In this study, we investigated the variation of transfer characteristics and the corresponding electrical parameters of sol-gel IGZO TFTs caused by NBS and positive bias recovery (PBR). Furthermore, we proposed an effective PBR method for the recovery of negative bias stressed sol-gel IGZO TFTs. The threshold voltage and field-effect mobility were affected by NBS and PBR, while current on/off ratio and sub-threshold swing were not significantly affected. The transfer characteristic of negative bias stressed IGZO TFTs increased in the positive direction after applying PBR with a negative drain voltage, compared to PBR with a positive drain voltage or a drain voltage of 0 V. These results are expected to contribute to the reduction of recovery time of negative bias stressed sol-gel IGZO TFTs.
The purpose of this study was to validate abuse outcomes included Nursing Outcomes Classification(NOC) developed by Johnson and Maas at the University of Iowa. A sample of 71 nurse experts working in university affiliated hospitals participated in this study. They were asked to rate indicators that examplified the outcomes on a scale of 1 (indicator is not at all characteristic) to 5(indicator is very characteristic). A questionnaire with an adaptation of Fehring's methodology was used to establish the content validity of outcomes. The results were as follows: 1. All indicators were considered to be 'supporting' and no indicators were considered to be 'nonsupporting'. 2. 'Abuse Recovery : Emotional' attained an OCV score of 0.780 and was the highest OCV score among abuse outcomes. The highest indicator was 'demonstration of positive interpersonal relationship'. 3. 'Abuse cessation' attained an OCV score of 0.739 and was the lowest OCV score among abuse outcomes. The highest indicator was 'physical abuse has ceased'. 4. 'Abuse Protection' attained an OCV score of 0.743 and the highest indicator was 'plans for avoiding abuse'. 5. 'Abuse Recovery: Financial' attained an OCV score of 0.762 and the highest indicator was 'court-ordered benefits received'. 6. 'Abuse Recovery: Physical' attained an OCV score of 0.767 and the highest indicator was 'resolution of physical health problem'. 7. 'Abuse Recovery: Sexual' attained an OCV score of 0.768 and the highest indicator was 'expression of confidence with gender identity'. More outcomes need to be validated and outcomes sensitive to Korean culture need to be developed.
In this paper, 50V power U-MOSFET which replace the body(PN) diode with Schottky is proposed. As already known, Schottky diode has the advantage of reduced reverse recovery loss than PN diode. Thus, the power MOSFET with integrated Schottky integrated can minimize the reverse recovery loss. The proposed Schottky body diode U-MOSFET(SU-MOS) shows reduction of reverse recovery loss with the same transfer, output characteristic and breakdown voltage. As a result, 21.09% reduction in peak reverse current, 7.68% reduction in reverse recovery time and 35% improvement in figure of merit(FOM) are observed when the Schottky width is $0.2{\mu}m$ and the Schottky barrier height is 0.8eV compared to conventional U-MOSFET(CU-MOS). The device characteristics are analyzed through the Synopsys Sentaurus TCAD tool.
Triply encoded HTIS(hadamard transform imaging spectrometer) is a system which applies the grill spectrometer to the HTIS. we consider a nonideality of mask transparent characteristic in estimating spectrum. Triply encoded system increases the SNR(signal to noise ration) by multiplexing effect. In this paper, we suggest an advanced $T^{-1}$ method for spectrum recovery. Then, we proved the superiority of the suggested method by comparing the average MSE(mean square error) of the other recovery methods.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.22
no.7
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pp.937-945
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1998
The purpose of this paper is to investigate the relationship between pressure recovery and turbulent characteristic value of velocity and pressure, in the case where a swirling flow streams into a conical diffuser. The results of both measurements of the wall pressure fluctuation and velocity fluctuation revealed them to role the large part of the total pressure loss of the flow. The cause of the fluctuation of flow was showed to be the flow separation at the inlet of diffuser at low intensity of swirl, but the flow of diffuser center was instable at high intensity of swirl. The static pressure recovery depends strongly on the magnitude of the turbulent energy in the diffuser, and that this magnitude of the turbulent energy varies as the intensity of swirl at the diffuser inlet.
New concept of energy recovery for plasma display panel (PDP) Is proposed. Different from conventional LC resonant sustaining drivers, the current built up before inverting the polarity of the panel electrodes is utilized to change the panel Polarity together with energy Previously charged in Panel capacitance. This operation Provides zero -voltage-switching of switches and reduction of EMI by rejecting the surge current when the sustain switches are turned on. The build-up current helps to reduce transition time of panel polarity and may produce more stable light waveforms. This method shows a desirable characteristic that the circuit loss is similar to that of series resonant type energy recovery circuit which is very effective method.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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