Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.12
no.2
s.35
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pp.149-154
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2005
We fabricated Ni/Co(or Co/Ni) composite silicide layers on the non-patterned wafers from Ni(20 nm)/Co(20 nm)/poly-Si(70 nm) structure by rapid thermal annealing of $700{\~}1100^{\circ}C$ for 40 seconds. The sheet resistance, cross-sectional microstructure, and surface roughness were investigated by a four point probe, a field emission scanning electron microscope, and a scanning probe microscope, respectively. The sheet resistance increased abruptly while thickness decreased as silicidation temperature increased. We propose that the poly silicon inversion due to fast metal diffusion lead to decrease silicide thickness. Our results imply that we should consider the serious inversion and fast transformation in designing and process f3r the nano-height fully cobalt nickel composite silicide gates.
Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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2008.04a
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pp.609-612
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2008
Ultra Super Early Strength Cement is a material that satisfies these requirements. early hydration heat however, is significant over regular concrete, thus discretion is advised for thermal cracks in accordance with heat generation when constructing a large-scale structures. In addition, the negative point that it is difficult to achieve required strength in a short period of time following rubbing process while retaining workability, the cement is being used conditionally for engineering material and Ultra Super Early Strength Cement for maintenance material for construction doesn't exist. Magnesia Phosphate Cement, which is currently under studies in overseas uses no extra admixture and has strong points of Ultra Super Early Strength as well as favorable construction-ability and adhesive stability to the prototype concrete. These factors stem recognition that it could be used as maintenance material for construction of diverse applicability. In order to provide necessary data to increase practicality of the magnesia phosphate cement for Ultra Super Early Strength Mortar, the study carried out simulate experiment on member of framework to review field applicability.
GDC20($Ce_{0.8}Gd_{0.2}O_{1.9}$) powder was synthesized by oxalate co-precipitation and milling and its thermal decomposition, phase formation, and sinterability were investigated. As-prepared precipitates were non-crystalline due to the milling process and completely decomposed at 400$^{\circ}C$ The powder calcined at 800$^{\circ}C$ for 2 h contained fine p]sty particles with an average size of 0.69 $\mu$m. Attrition milling of the calcined powder for 2 h had a little milling effect, resulting in a slight decrease in the particle size to 0.45 $\mu$m. The milled powder consisted of small spherical primary particles and some large particles, which had been agglomerated during calcination. Due to the excellent sinterability of the powder, sintering of the powder compacts for 4 h showed relative densities of 78.7% at 1000$^{\circ}C$ and 97.8% at 1300$^{\circ}C$, respectively. Densification was found to almost complete at temperature above 1200$^{\circ}C$ and a dense and homogeneous microstructure was obtained. A rapid grain growth occurred between 1200$^{\circ}C$ and 1300$^{\circ}C$. Grains in 0.1$\sim$0.5 $\mu$m sizes at 1200$^{\circ}C$ grew to 0.2$\sim$2 $\mu$m and their size distribution became broader at 1300$^{\circ}C$.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.9
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pp.807-811
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2003
We investigated the electrical characterisitics of T $a_2$$O_{5}$ (tantalum pentoxide) film and Ti-O/T $a_2$$O_{5}$ film deposited on $Al_2$$O_3$based substrate. Ta (tantalum) electrode and $Al_2$$O_3$ substrate was used for the purpose of simplifying the manufacturing process in IPD's (integrated passive devices). Dielectric materials (T $a_2$$O_{5}$ and Ti-O/T $a_2$$O_{5}$ films) deposited on Ta/Ti/A $l_2$$O_3$ were annealed at 700 $^{\circ}C$ for 60 sec. in vacuum. The XRD results showed that as-deposited T $a_2$$O_{5}$ film possessed amorphous structure, which was transformed to crystallines by rapid thermal heat treatment. We compared the lnJ- $E^{{\frac}{1}{2}}$, C-V, C-F of both as-deposited and annealed dielectric thin films deposited on Ta bottom electrode. From this results, we concluded that the leakage current could be reduced by introducing Ti-O buffer layer and conduction mechanisms of T $a_2$$O_{5}$ and Ti-O/T $a_2$$O_{5}$ could be interpreted appropriately by Schottky emission effect.
Park, Hyung-Ho;Kwon, Kwang-Ho;Lee, Sang-Hwan;Koak, Byung-Hwa;Nahm, Sahn;Lee, Hee-Tae;Kwon, Oh-Joon;Cho, Kyoung-Ik;Kang, Young-Il
ETRI Journal
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v.16
no.1
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pp.45-57
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1994
The effects of reactive ion etching (RIE) of $SiO_2$ layer in $CHF_3/C_2F_6$ on the underlying Si surface have been studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary ion mass spectrometer, Rutherford backscattering spectroscopy, and high resolution transmission electron microscopy. We found that two distinguishable modified layers are formed by RIE : (i) a uniform residue surface layer of 4 nm thickness composed entirely of carbon, fluorine, oxygen, and hydrogen with 9 different kinds of chemical bonds and (ii) a contaminated silicon layer of about 50 nm thickness with carbon and fluorine atoms without any observable crystalline defects. To search the removal condition of the silicon surface residue, we monitored the changes of surface compositions for the etched silicon after various post treatments as rapid thermal anneal, $O_2$, $NF_3$, $SF_6$, and $Cl_2$ plasma treatments. XPS analysis revealed that $NF_3$ treatment is most effective. With 10 seconds exposure to $NF_3$ plasma, the fluorocarbon residue film decomposes. The remained fluorine completely disappears after the following wet cleaning.
Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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2004.03a
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pp.75-78
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2004
Various jet engines (Turbine engine family and RAM Jet engine) have been developed for high speed aircrafts. but their application to hypersonic flight is restricted by principle problems such as increase of total pressure loss and thermal stress. Therefore, the development of next generation propulsion system for hypersonic aircraft is a very important subject in the aerospace engineering field, SCRAM Jet engine based on a key technology, Supersonic Combustion. is supposed as the best choice for the hypersonic flight. Since Supersonic Combustion requires both rapid ignition and stable flame holding within supersonic air stream, much attention have to be given on the mixing state between air stream and fuel flow. However. the wider diffusion of fuel is expected with less total pressure loss in the supersonic air stream. So. in this study the direction of fuel injection is inclined 30 degree to downstream and the total pressure of jet is controlled for lower penetration height than thickness of boundary layer. Under these flow configuration both streams, fuel and supersonic air stream, would not mix enough. To spread fuel wider into supersonic air an aerodynamic force, baroclinic torque, is adopted. Baroclinic torque is generated by a spatial misalignment between pressure gradient (shock wave plane) and density gradient (mixing layer). A wedge is installed in downstream of injector orifice to induce an oblique shock. The schlieren optical visualization from side transparent wall and the total pressure measurement at exit cross section of combustor estimate how mixing is enhanced by the incidence of shock wave into supersonic boundary layer composed by fuel and air. In this study non-combustionable helium gas is injected with total pressure 0.66㎫ instead of flammable fuel to clarify mixing process. Mach number 1.8. total pressure O.5㎫, total temperature 288K are set up for supersonic air stream.
Cho, Bo Hwan;Kim, Seon Cheol;Mun, Sun Hong;Kim, Seung Tae;Ahn, Byung Tae
Current Photovoltaic Research
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v.3
no.1
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pp.32-38
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2015
CIGS solar cell consisted of various films. In this research, we investigated electrode materials in $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) cells, including Al-doped ZnO (ZnO:Al), intrinsic ZnO (i-ZnO), and Al films. The sputtered ZnO:Al film with a sputtering power at 200W showed the lowest series resistance and highest cell efficiency. The electrical resistivity of the 200-W sputtered ZnO:Al film was $5.2{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ by the rapid thermal annealing at $200^{\circ}C$ for 1 min. The electrical resistivity of i-ZnO was not measurable due to its high resistance. But the optical transmittance was highest with less oxygen supply and high efficiency cell was achieved with $O_2/(Ar+O_2)$ ratio was 1% due to the increase of short-circuit current. No significant change in the cell performance by inserting a Ni layer between Al and ZnO:Al films was observed.
Lee, Ju Yeon;Kim, In Young;Minhao, Wu;Moon, Jong Ha;Kim, Jin Hyeok
Current Photovoltaic Research
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v.3
no.4
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pp.135-139
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2015
$Cu_2SnS_3$ (CTS) based thin film solar cells (TFSCs) are of great interest because of its earth abundant, low-toxic and eco-friendly material with high optical absorption coefficient of $10^4cm^{-1}$. In this study, the DC sputtered precursor thin films have been sulfurized using rapid thermal annealing (RTA) system in the graphite box under Ar gas atmosphere for 10 minute. The systematic variation of sulfur powder during annealing process has been carried out and their effects on the structural, morphological and optical properties of CTS thin films have been investigated. The preliminary power conversion efficiency of 1.47% with a short circuit current density of $33.9mA/cm^2$, an open circuit voltage of 159.7 mV, and a fill factor of 27% were obtained for CTS thin film annealed with 0.05g of S powder, although the processing parameter s have not yet been optimized.
Visible photoluminescence(PU was observed from hydrogenated amorphous silicon deposited on silicon(a-Si : H/Si) using electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition (ECR- PECVD) with silane ($SiH_{4}$) gas as the reactant source. The PL spectra from a-Si : H/Si were very similar to those from porous silicon. Hydrogen contents of samples annealed under oxygen atmosphere for 2minutes at $500^{\circ}C$ by rapid thermal annealing were reduced to 1~2%, and the samples did not show visible PL, indicating that hydrogen has a very important role in the PL process of a- Si : H/Si. As the thickness of deposited a-Si : H film increased, PL intensity decreased. The visi¬ble PL from a-Si: H deposited on Si by ECR-PECVD with $SiH_{4}$ . is suggested to be from silicon hydrides formed at the interface between the Si substrate and the deposited a-Si : H film during the deposition.
Magnetic $Ni_{0.7}Co_{0.3}Fe_2O_4$ nanoparticles that were prepared via the rapid combustion process were functionalized and modified to obtain magnetic $Ni_{0.7}Co_{0.3}Fe_2O_4@SiO_2-CHO$ nanocomposites, on which penicillin G acylase (PGA) was covalently immobilized. Selections of immobilization concentration and time of fixation were explored. Catalytic performance of immobilized PGA was characterized. The free PGA had greatest activity at pH 8.0 and $45^{\circ}C$ while immobilized PGA's activities peaked at pH 7.5 and $45^{\circ}C$. Immobilized PGA had better thermal stability than free PGA at the range of $30-50^{\circ}C$ for different time intervals. The activity of free PGA would be 0 and that of immobilized PGA still retained some activities at $60^{\circ}C$ after 2 h. $V_{max}$ and $K_m$ of immobilized PGA were 1.55 mol/min and 0.15 mol/l, respectively. Free PGA's $V_{max}$ and $K_m$ separately were 0.74 mol/min and 0.028 mol/l. Immobilized PGA displayed more than 50% activity after 10 successive cycles. We concluded that immobilized PGA with magnetic $Ni_{0.7}Co_{0.3}Fe_2O_4@SiO_2-CHO$ nanocomposites could become a novel example for the immobilization of other amidohydrolases.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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