• 정보처리학회논문지A
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• 제10A권6호
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• pp.685-690
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• 2003

새로운 무선인터넷 디바이스로써 주목받고 있는 PDA는 기능 개선을 위해서 다양한 애플리케이션 개발이 이루어지고 있으며 수시로 응용프로그램이 설치되어지고 있다. 또한 PDA는 전원이 방전 될 경우에 RAM(Random Access Memory)에 저장되어 있는 데이터가 모두 삭제되는 단점이 있어서 그때마다 프로그램을 다시 복원해야 한다. 본 논문에서는 PDA의 응용 프로그램을 설치할 경우에 사용자가 직접 애플리케이션을 설치해야 하는 기존의 문제점을 해결하기 위하여 자동으로 PDA 응용프로그램이 설치되는 시스템(PAIS : PDA Automatic Installation System)을 제안하였다. 이 시스템을 적용한 경우 사용자에게는 설치에 소요되는 시간과 노력을 감소시켜 편의를 제공하고, 기업에게는 프로그램 설치관련 홍보물 제작에 소요되던 비용을 절감 할 수 있는 효과가 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.342-342
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• 2012

Resistance-change Random Access Memory (ReRAM), which utilizes electrochemical control of nanoscale quantities of metal in thin films of solid electrolyte, shows great promise as a future solid state memory. The technology utilizes the electrochemical formation and removal of metallic pathways in thin films of solid electrolyte. Key attributes are low voltage and current operation, excellent scalability, and a simple fabrication sequence. In this study, we investigated the nature of thin films formed by photo doping of Ag+ ions into chalcogenide materials for use in solid electrolyte of programmable metallization cell devices. We measured the I-V characteristics by field-effect of the device. The results imply that a Ag-rich phase separates owing to the reaction of Ag with free atoms from chalcogenide materials.

• 디지털콘텐츠
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• 8호통권159호
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• pp.66-71
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• 2006

예전에 모뎀을 통한 PC통신이 한창 유행할 때, ROM족이라는 유행어가 있었다. RAM(Random Access Memory)과 함께 컴퓨터의 기억장치로 활용되는, 읽기만 가능한 저장매체(Read Only Memory)를 뜻하는 용어였다. 그런데 이 용어는 이 속성을 빗대어 게시판을 읽기만 하는 회원(Read Only Member)을 가리키는 말로도 쓰였다. 정보화시대에 있어서 정보라는 것, 비록 형태가 없는 것들이 대부분이지만 이 역시 누군가가 사용하기 위해서는 누군가가 만들어내야 한다. 수요와 공급이 일어나는 정보 유통 구조다. 혹자는 ROM족으로 소비생활에만 치중하지만, 또 다른 혹자들은 소비와 생산을 동시에 하는 프로슈머(ProSumer) 역할을 한다. 이번호에서는 이러한 생산성을 띤 소비자들에 대한 이야기를 하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.79-79
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• 2013

Quantum-structures with nanoparticles have been attractive for various electronic and photonic devices [1,2]. In recent, nonvolatile memories such as nano-floating gate memory (NFGM) and resistance random access memory (ReRAM) have been studied using silicides, metals, and metal oxides nanoparticles [3,4]. In this study, we fabricated nonvolatile memories with silicides (WSi2, Ti2Si, V2Si) and metal-oxide (Cu2O, Fe2O3, ZnO, SnO2, In2O3 and etc.) nanoparticles embedded in polyimide matrix, and photovoltaic device also with SiC nanoparticles. The capacitance-voltageand current-voltage data showed a threshold voltage shift as a function of write/erase voltage, which implies the carrier charging and discharging into the metal-oxide nanoparticles. We have investigated also the electrical properties of ReRAM consisted with the nanoparticles embedded in ZnO, SiO2, polyimide layer on the monolayered graphene. We will discuss what the current bistability of the nanoparticle ReRAM with monolayered graphene, which occurred as a result of fully functional operation of the nonvolatile memory device. A photovoltaic device structure with nanoparticles was fabricated and its optical properties were also studied by photoluminescence and UV-Vis absorption measurements. We will discuss a feasibility of nanoparticles to application of nonvolatile memories and photovoltaic devices.

• 정보과학회 논문지
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• 제42권3호
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• pp.379-389
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• 2015

Phase Change Memory (PCM 또는 PRAM), Magneto Resistive RAM (MRAM)과 같은 차세대 비휘발성 메모리가 등장하면서, Dynamic Random-Access Memory (DRAM)을 PRAM으로 대체하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 PRAM을 메인 메모리로 사용하는 시스템에서 지금까지 널리 사용되고 있는 기존의 조인 알고리즘(블록 네스티드 조인, 소트-머지 조인, 그레이스 해시 조인, 하이브리드 해시 조인)들을 사용했을 때 발생하는 내구성과 성능 문제를 비교, 분석한다. 본 연구의 실험결과에 의하면 기존의 조인 알고리즘들을 PRAM에 맞게 재설계해야 하는 필요성이 제기되었다. 특히, 본 연구는 조인 알고리즘들을 PRAM에 적용했을 때 발생하는 이슈들을 과학적으로 규명한 첫 시도이다. 그리고 기존의 조인 알고리즘들을 PRAM에 적용했을 때 발생하는 내구성과 성능을 비교하기 위한 PRAM 기반의 시스템을 모델링하고 시뮬레이터를 구현한 것에 연구의 의의를 둘 수 있다.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제14권4호
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• pp.378-388
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• 2008

플래시 메모리는 전력 소모가 작고 충격과 진동에 강하며 크기가 작다는 특성 때문에 최근 노트북이나 UMPC(Ultra Mobile PC)와 같은 이동 컴퓨팅 시스템에서 하드디스크를 대체할 대용량 저장 매체로서 주목 받고 있다. 플래시 메모리에 기반한 저장 장치는 일반적으로 랜덤 읽기 성능이나 순차 읽기, 순차 쓰기 성능이 매우 좋은데 비해, 덮어쓰기가 불가능한 플래시 메모리의 물리적인 제약으로 인하여 소량의 랜덤 쓰기 성능은 떨어진다. 본 논문은 이 문제를 해결하기 위한 두 가지 중요한 특징을 갖는 SSD(Solid State Disk) 아키텍처를 제안하였다. 첫 번째로 비휘발성 이면서도 SRAM과 동일한 인터페이스로 덮어쓰기가 가능한 작은 크기의 FRAM(Ferroelectric RAM)을 NAND 플래시 메모리와 함께 사용하여 소량 쓰기 오버헤드를 최소화하였다. 두 번째, 호스트 쓰기 요청들도 소량 랜덤 쓰기와 대량 순차 쓰기로 분류하여 각각에 대해 최적의 쓰기 버퍼 관리 방법을 적용하였다. 평가 보드 상에서 SSD 프로토타입을 구현하고 PC 사용 환경의 워크로드에 기반한 벤치마크를 이용하여 성능을 평가해 본 결과 랜덤 패턴을 보이는 워크로드에서는 하드디스크나 기존의 상용 SSD들에 비해 처리율(throughput) 측면에서 3배 이상의 성능을 보였다.

• ETRI Journal
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• 제30권6호
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• pp.826-832
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• 2008

The metal-ferroelectric-metal (MFM) capacitor in the ferroelectric random access memory (FeRAM) embedded RFID chip is used in both the memory cell region and the peripheral analog and digital circuit area for capacitance parameter control. The capacitance value of the MFM capacitor is about 30 times larger than that of conventional capacitors, such as the poly-insulator-poly (PIP) capacitor and the metal-insulator-metal (MIM) capacitor. An MFM capacitor directly stacked over the analog and memory circuit region can share the layout area with the circuit region; thus, the chip size can be reduced by about 60%. The energy transformation efficiency using the MFM scheme is higher than that of the PIP scheme in RFID chips. The radio frequency operational signal properties using circuits with MFM capacitors are almost the same as or better than with PIP, MIM, and MOS capacitors. For the default value specification requirement, the default set cell is designed with an additional dummy cell.

• 한국융합학회논문지
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• 제11권10호
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• pp.1-7
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• 2020

뉴로모픽 소자 초기 단계인 저항 변화형 메모리 소자의 제작 공정으로, 진공 공정의 연속성을 유지하였고, 고집적, 고신뢰성을 보장하는 뉴로모픽 컴퓨팅을 위한 저항 변화 메모리 소자 제작 및 공정 기술에 적합한 플라즈마 모듈을 적용하였다. 플라즈마 모듈을 적용한 저항메모리(ReRAM) 소자의 제작과 연구는 ReRAM 소자 기반의 TiO₂/TiOx 산화물박막의 제작방법과 소재의 변화를 통한 다양한 실험을 통하여 완성되었다. XRD를 이용하여 rutile결정을 측정하였고, 반도체 파라미터 측정기로 저항 메모리의 HRS : LRS 비율이 2.99 × 10³ 이상이고, 구동 전압 측정이 0.3 V이하에서 구동이 가능한 저항 변화형 메모리 소자의 제작을 확인 하였다. 산소 플라즈마 모듈을 적용한 뉴로모픽 저항메모리 제작과 TiOx 박막을 증착하여 성능을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권9호
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• pp.710-712
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• 2011

In this study, we fabricate resistive switching random access memory (ReRAM) devices constructed with a Al/$HfO_2$/ITO structure on glass substrates and investigate their memory characteristics. The hafnium oxide thin film used as a resistive switching layer is sputtered at room temperature in a sputtering system with a cooling unit. The Al/$HfO_2$/ITO device exhibits bipolar resistive switching characteristics, and the ratio of the high resistance (HRS) to low resistance states (LRS) is more than 60. In addition, the resistance ratio maintains even after $10^4$ seconds.

• 한국컴퓨터산업학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.205-215
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• 2006

본 논문에서는 최근의 64비트 마이크로프로세서에 대해서 PLA설계법 및 검사가 쉽고 용이하도록 하는 방법에 대해서 논하였다. VLSI에서 RAM. ROM. PLA를 사용한 설계법이 정착 되어가고 있으며 PLA는 논리설계와 회로변경 및 검사가 용이하기 때문에 성능과 가격이 중요하다. 향후에도 PLA는 VLSI 설계의 기본요소로서 중요한 위치를 점유할 것이다.