• 제목/요약/키워드: RamB

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Application of discrete wavelet transform to prediction of ram stuck phenomena

  • Byun, Seung-Hyun;Cho, Byung-Hak;Shin, Chang-Hoon;Park, Joon-Young
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2005년도 ICCAS
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    • pp.1445-1449
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    • 2005
  • The ram assembly is important equipment in fueling machine of PHWR(Pressurized Heavy Water Reactor) plant where fuel replacement is possible while the plant is in service. Troubles in the ram assembly can cause lots of difficulties in power plant operation. The ram assembly is typically composed of the B-ram, the L-Ram and the C-Ram. The B-ram is focused in this paper because it plays the most important role in the ram assembly. Among the ram fault phenomena, ram stuck phenomena are the most frequent cases in the B-ram, which has a ball screw mechanism driven by a hydraulic motor. Ram stuck phenomena are due to ball wear and damage in ball nut that increase in proportion to the number of fuel replacement. It is required to predict ram stuck phenomena before they occur. In this paper, a method is proposed for predicting ram stuck phenomena using a discrete wavelet transform. The discrete wavelet transform provides information on both the time and frequency characteristics of the input signals. The proposed method uses the frequency bandwidths of coefficients of discrete wavelet decompositions and detail coefficients of discrete wavelet transform to predict ram stuck phenomena. The signal used in this paper is a torque-related signal such as a hydraulic service outlet pressure signal in a hydraulic driving system or a current signal in a DC motor driving system. Finally, the validity of the proposed method is shown via experiment using ball nut characteristic test equipment that simulates ram stuck phenomena due to increased ball friction in ball nut.

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RF 스텔스 효과를 위한 밀리미터 RAM 개발 (Development of RAM in Millimeter Wave Range for RF Stealth)

  • 최창묵;임봉택;고광섭
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권6호
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    • pp.1241-1246
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    • 2009
  • 본 논문은 상대방으로부터 탐지를 최소화시키는 스텔스 기술을 분석하고, 대부분의 레이더 반사 단면적 감소는 형상화로부터 기인되며, 특별한 부위에는 RAM을 이용하여 최소화 시키는 것을 확인하였다. 따라서 RF 스텔스를 위한 밀리미터파 대역의 레이더 반사 단면적을 최소화시키는 측면에서 94 GHz에서 전파흡수량 17 dB로 98 %를 흡수하는 RAM을 설계 및 제작하였다. 결과적으로 개발된 RAM을 플랫폼에 적용시 상대방으로부터 레이더 탐지거리를 62 % 축소시키는 효과를 얻을 수 있다.

RF 스텔스를 위한 밀리미터 RAM 개발 (Development of RAM in Millimeter Wave Range for RF Stealth)

  • 최창묵;임봉택;고광섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2009년도 춘계학술대회
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    • pp.555-558
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    • 2009
  • 본 논문은 상대방으로부터 탐지를 최소화시키는 스텔스 기술을 분석하고, 대부분의 레이더 반사 단면적 감소는 형상화로부터 기인되며, 특별한 부위에는 RAM을 이용하여 최소화 시키는 것을 확인하였다. 따라서 RF 스텔스를 위한 밀리미터파 대역의 레이더 반사 단면적을 최소화시키는 측면에서 94 GHz에서 전파흡수량 17 dB로 98 %를 흡수하는 RAM을 설계 및 제작하였다. 결과적으로 개발된 RAM을 플랫폼에 적용시 상대방으로부터 레이더 탐지거리를 62 % 축소시키는 효과를 얻을 수 있다.

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기동장비 RAM-D 설계목표 할당 모델 (Allocation Model of RAM-B Design Goal for Vehicle System)

  • 한상철;김대용
    • 한국신뢰성학회:학술대회논문집
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    • 한국신뢰성학회 2001년도 정기학술대회
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    • pp.513-520
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    • 2001
  • 신규개발장비에 대하여 사용자가 제시한 RAM-D 요구조건을 만족하기 위한 하부 체계의 RAM-D 설계목표 설정 절차 및 방법에 대하여 기동무기체계의 대표적 장비인 전차를 대상으로 연구하여 RAM-D 요소별 할당 모델을 개발하였다.

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pRAM회로망을 위한 역전파 학습 알고리즘 (A Backpropagation Learning Algorithm for pRAM Networks)

  • 완재희;채수익
    • 전자공학회논문지B
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    • 제31B권1호
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    • pp.107-114
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    • 1994
  • Hardware implementation of the on-chip learning artificial neural networks is important for real-time processing. A pRAM model is based on probabilistic firing of a biological neuron and can be implemented in the VLSI circuit with learning capability. We derive a backpropagation learning algorithm for the pRAM networks and present its circuit implementation with stochastic computation. The simulation results confirm the good convergence of the learning algorithm for the pRAM networks.

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RAM의 병렬 테스팅을 위한 알고리듬개발 및 테스트회로 설계에 관한 연구 (A Study on the Test Circuit Design and Development of Algorithm for Parallel RAM Testing)

  • 조현묵;백경갑;백인천;차균현
    • 한국통신학회논문지
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    • 제17권7호
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    • pp.666-676
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    • 1992
  • 본 논문에서는 RAM에서 발생하는 모든 PSF(Pattern Sensitive Fault)를 검사하기 위한알고리즘과 테스트회로를 제안하였다. 기존의 테스트회로와 사용된 알고리즘은 RAM셀들을 연속적으로 테스트하거나 메모리의 2차원적 구조를 사용하지 못했기 때문에 많은 테스트 시간이 소요되었다. 본 논문에서는 기존의 RAM회로에 테스트를 위한 부가적인 회로를 첨가하여 병렬적으로 RAM을 테스트 하는 방법을 제안하였다. 부가적으로 첨가된 회로로는 병렬 비교기와 오류 검출기, 그룹 선택회로 이고 병렬 테스팅 위해서 수정된 디코더를 사용하였다. 또한, 효과적인 테스트 패턴을 구하기 위해 Eulerian경로의 구성방법에 대해서도 연구를 수행하였다. 결과적으로, 본 논문에서 사용한 알고리즘을 사용하면 b x w=n의 매트릭스 형태로 표현되는 RAM을 테스트하는데 325*워드라인 수 만큼의 동작이 필요하게 된다. 구현한 각 회로에 대해서 회로 시뮬레이션을 수행한 후 10 bit*32 word Testable RAM을 설계하였다.

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Deep polarization observations of a ram pressure stripped galaxy, NGC 4522

  • Choi, Woorak;Chung, Aeree;Kim, Chang-goo;Lee, Bumhyun
    • 천문학회보
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    • 제45권1호
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    • pp.65.1-65.1
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    • 2020
  • We present high-resolution, high-sensitivity continuum data of NGC 4522 observed at 3 cm (X-band) and 10 cm (S-band) in full polarization mode using the JVLA. This observation has 2 - 4 times better spatial resolution and 2 - 5 times better sensitivity compared to previous continuum observations. NGC 4522 is a Virgo spiral galaxy undergoing active ram pressure stripping. This galaxy is particularly well known for the CO emission detected outside its stellar disk, some of which coincides with the extraplanar HI gas and Halpha patches. The major goal of our JVLA observation is to leverage our understanding of the influence of the ram pressure on the general ISM field and multi-phase medium. By combining our new deep radio continuum data and previous observations, we will investigate how the B-field properties can be affected by the ram pressure, and what roles the B-field plays in the stripping process of the multi-phased ISM and in the star formation activity when the ram pressure is present.

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Integration Process and Reliability for $SrBi_2$ $Ta_2O_9$-based Ferroelectric Memories

  • Yang, B.;Lee, S.S.;Kang, Y.M.;Noh, K.H.;Hong, S.K.;Oh, S.H.;Kang, E.Y.;Lee, S.W.;Kim, J.G.;Shu, C.W.;Seong, J.W.;Lee, C.G.;Kang, N.S.;Park, Y.J.
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제1권3호
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    • pp.141-157
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    • 2001
  • Highly reliable packaged 64kbit ferroelectric memories with $0.8{\;}\mu\textrm{m}$ CMOS ensuring ten-year retention and imprint at 125^{\circ}C$ have been successfully developed. These superior reliabilities have resulted from steady integration schemes free from the degradation, due to layer stress and attacks of process impurities. The resent results of research and development for ferroelectric memories at Hynix Semiconductor Inc. are summarized in this invited paper.

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