• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제14권8호
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• pp.1041-1049
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• 2011

사회의 발전과 함께 사회 기반을 구성하는 시설물들의 관리에 대한 연구가 지속되고 있으며, 사회 각 분야에서는 다양한 아이디어를 바탕으로 새로운 시스템을 구축하여 왔다. 그 중 상수도 관망 관리를 위해서 현재 시공되어 운영되고 있는 RTD-1000은 누수 및 파손 등을 원격으로 감지하는 기기로써, PC 기반의 시스템 형태를 가지고 있다. 하지만 PC 기반에서 오는 리소스 소비, 발열, 소비전력이 크다는 취약점이었다. 본 논문에서는 RTD-1000의 취약점을 보완한 개량된 시스템인 RTD-2000을 제안한다. 이 시스템은 WinCE 기반의 ARM9 개발 킷과 LCD가 제거된 TDR만으로 설계 및 구현되었다. RTD-1000에 탑재되었던 윈도우 기반의 각종 감지 프로그램들은 ARM9 기반의 전용 임베디드 S/W로 대체하였고, 성능 비교를 위하여 시뮬레이션 및 평가를 수행하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.299-302
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• 2000

RTD temperature sensor is a thermoresistor which uses the liner dependence of the resistance of the sensing material on the temperature, and has good stability and sensibility, so it can be used in highly precise temperature measurement. In this study RTD sensor was fabricated using Pt thin film. The Pt thin film was deposited on alumina using DC-Sputter, and annealed with various temperature. Through the experiments of XRD, AFM, 4-point probe, the surface structure of the thin film with annealing conditions and their effects on the electrical resistance were investigated. RTD with serpentine pattern was fabricated using Lift-off and resistance-temperature characteristics were studied.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권5A호
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• pp.660-667
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• 2000

이 논문은 CDMA 이동전화 기지국의 통화량(Traffic) 분석을 위한 연구이다. RTD(Round Trip Delay)는 기지국과 이동국 사이의 통화로 구성 소요시간을 계산하는 하나의 개선된 방법이다. RTD 방식을 이용하여 무선통신 구간에서 발생하는 통화로 접속시간을 계산하고, 하나의 기지국(교척교)에서 실험을 실시하여 실제거리와 RTD 값의 차이를 비교 분석하였다. 또한 CDMA 기지국(BTS) Traffic과 중계기(BTS로부터 RF를 직접 분기하여 호를 처리) 사이의 Traffic을 구분하기 위한 하나의 방법으로 RTD 방식을 제안하였고, 이를 확인하기 위해 기지국의 중계기 수신단에 일정한 지연(임의의 Delay) 소자를 삽입하여 모국(BTS)과 자국(중계기)의 수신신호 시간 차이(Gap)에 의한 Traffic 분석 실험을 통해서 그 유효성을 입증하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권7호
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• pp.612-616
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• 2000

This paper describes on the fabrication and characteristics of hot-film type micro-flowsensors integrated with Pt-RTD(resistance thermometer device) and micro-heater on the Si membrane in which MgO thin-film was used as medium layer in order to improve adhesion of Pt thin-film to SiO$_2$layer. The MgO layer improved adhesion of Pt thin-film to SiO$_2$layer without any chemical reactions to Pt thin-film under high annealing temperatures. Output voltages increased due to increase of heat-loss from sensor to external. The output voltage was 82 mV at $N_2$flow rate of 2000 sccm/min heating power of 1.2 W. The response time($\tau$:63%) was about 50 msec when input flow was stepinput

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권2호
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• pp.78-81
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• 2000

The closed-form analytic solutions for the breakdown voltage of 6H-SiC RTD(silicon carbide reachthrough diode) having metal$-n^--n^+$ Schottky structure or $p^+-n^--n^+$, are successfully derived by solving impact ionization integral using an effective ionization coefficient. For the lightly doped n- epitaxial layer, the breakdown voltage of SiC RTD are nearly constant with the increased doping concentration while the breakdown voltages decrease for the heavily doped epitaxial layer.

• 센서학회지
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• 제9권3호
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• pp.171-176
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• 2000

반응성 스퍼터링과 고주파 마그네트론 스퍼터링으로 각각 증착된 MgO 박막과 그 위에 증착된 백금박막의 열처리 온도 및 시간에 따른 물리적, 전기적 특성을 4침 탐침기, 주사전자현미경 및 X선 회절법을 이용하여 분석하였다. $1000^{\circ}C$, 2시간의 열처리 조건하에서 MgO 박막은 백금박막과 화학적 반응없이 백금박막의 열산화막에 대한 부착특성을 개선시켰으며, 그 위에 증착된 백금박막의 면저항 및 비저항은 각각 $0.1288\;{\Omega}/{\square}$, $12.88\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$이었다. Lift-off 방법을 이용하여 $SiO_2$/Si기판상에 백금 저항체를 만들었으며, 백금 와이어, 백금 페이스트 그리고 SOG를 이용하여 마이크로 열 센서용 박막형 Pt-RTD를 제작하였다. $25{\sim}400^{\circ}C$의 온도범위에서 $1.0{\mu}m$의 두께를 갖는 제작된 Pt-RTD의 저항온도계수는 벌크 백금에 가까운 $3927ppm/^{\circ}C$로 측정되었다. 측정온도범위내에서 저항값은 선형적인 변화를 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 영호남학술대회 논문집
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• pp.17-20
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• 2000

This paper describes on the fabrication and characteristics of hot-film type micro-flowsensors integrated with Pt-RTD's and micro-heaters on the Si substrate, in which MgO thin-films were used as medium layer in order to improve adhesion of Pt thin-films to $SiO_2$ layer, The MgO layer improved adhesion of Pt thin-films to $SiO_2$ layer without any chemical reactions to Pt thin-films under high annealing temperatures. In investigating output characteristics of the fabricated micro-flowsensors, the output voltages increased as gas flow rate and its conductivity increased due to increase of heat-loss from sensor to external. Output voltage was 82 mV at $N_2$ flow rate of 2000 seem/min, heating power of 1.2W.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제14권11호
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• pp.1450-1457
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• 2011

현재, 일반적인 누수감지 모니터링 시스템은 라이선스를 지불하는 전자 지도를 이용하기에, 시스템 구축비용과 관리 주체인 지자체의 재정 지출을 높이며 유지보수, 기능 확장, 타 시스템과의 호환 등 비효율적인 문제점을 안고 있다. 이에 본 논문에서는 인터넷 범용 지도를 이용해 저비용과 고효율을 지향하는 상수도 관망 모니터링 시스템을 개발한다. 이 시스템은 호환성이 높은 무료 지도를 활용하기에 기존의 시스템보다 구축비용과 하드웨어 요구 사항은 낮아지며, 결과적으로 전체 모니터링 시스템의 성능은 향상되고, 구축 원가는 급격히 절감된다. 시공과 함께 구축할 수 있는 파이프라인 DB 구축 방식도 함께 제안하여 전반적인 시스템의 현장 적용성도 높이는 결과를 도출한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권8호
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• pp.658-662
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• 2001

This paper describes on the fabrication and characteristics of hot-film type micro-flowsensors integrated with Pt-RTD(resistance thermometer device) and micro-heater on the SOI(Si-on-insulator) membrane and trench structures, in which MGO thin-film was used as medium layer in order to improve adhesion of Pt thin-film to SiO$_2$ layer. Output voltages increased due to increase of heat-loss from sensor to external. The output voltage was 250 nV at N$_2$ flow rate of 2000 sccm/min, heating power of 0.3 W. The response time($\tau$:63%) was about 42 msec when input flow was step-input. The results indicated that micro-flowsensors with the SOI membrane and trench structures have properties of a high-resolution and ow consume power.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.358-361
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• 1999

This paper describes on the fabrication and characteristics of hot-film type micro-flowsensors integrated with Pt-RTD\`s and micro-heater on the Si substrate, in which MgO thin-films were used as medium layer in order to improve adhesion of Pt thin-films to SiO$_2$ layer The MgO layer improved adhesion of Pt thin-films to SiO$_2$` layer without any chemical reactions to Pt thin-films under high as gas flow rate and its conductivity increased due to increase of heat-loss from sensor to external. Output voltage was 82 mV at N2 flow rate of 2000 sccm/min, heating power of 1.2W. The respons time was about 100 msec when input flow was step-input