• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권11호
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• pp.926-929
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• 2012

The $Sr_{0.7}Bi-{2.3}Nb_2O_9$(SBNO) thin films were deposited on Si substrate by RF magnetron sputtering method at $300^{\circ}C$ of substrate temperature. And the SBNO thin films were annealed at $650{\sim}800^{\circ}C$ using RTA (rapid thermal annealing). The grain of SBNO thin films were increased with the increase of annealing temperature. The dielectric constant (100) of SBNO thin film was obtained by RTA above $750^{\circ}C$. The voltage dependence of dielectric loss showed a value within 0.03 in voltage ranges of -5~+5 V. Also, the dielectric constant characteristics showed a stable value with the increase of frequency.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권1호
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• pp.11-16
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• 2016

The conduction behavior and electron concentration change in a-IGZO thin-films according to the RTA (rapid thermal annealing) were studied. The electrical characteristics of TFTs (thin-film-transistors) annealed by different temperatures were measured. The sheet resistance, electron concentration, and oxygen vacancy of a-IGZO film were measured by the four-point-probe-measurement, hall-effect-measurement, and XPS analysis. The RTA process increased the driving current of IGZO TFTs but the VTH shifted to the negative direction at the same time. When the RTA temperature is higher than $250^{\circ}C$, the leakage current at off-state increased significantly. This is attributed to the increase of oxygen vacancy resulting in the increase of electron concentration. We demonstrate that the RTA is a promising process to adjust the VTH of TFT because the RTA process can easily modify the electron concentration and control the conductivity of IGZO film with short process time.

• 대한화장품학회지
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• 제44권3호
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• pp.249-258
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• 2018

대기 오염은 피부의 산화적 손상, 염증 및 노화를 일으킬 수 있다. 레스베라트롤은 폴리페놀 화합물의 일종으로 항산화, 항염증, 멜라닌 생성 억제 작용 등 다양한 생물학적 활성이 있는 한편 열과 빛에 약한 단점이 있다. 레스베라트릴 트라이아세테이트(RTA)는 레스베라트롤에 비해 안정하고, 피부 안전성과 미백 효능이 보고된 화장품 신소재이다. 본 연구의 목적은 직경 $10{\mu}m$ 미만 대기 미립자 물질(PM10)에 노출된 인간 표피각질형성세포(HEK)의 염증 반응에 대한 레스베라트롤과 RTA의 영향을 조사하기 위한 것이다. 배양된 HEK세포를 레스베라트롤과 RTA의 유무 조건에서 PM10에 노출시키고, 세포 생존율, 반응성 산소종(ROS)의 생성 및 염증성 사이토카인의 발현을 분석하였다. PM10을 처리하였을 때 세포 생존율이 감소하였고 종양괴사인자-${\alpha}$($TNF-{\alpha}$), 인터루킨-$1{\beta}$($IL-1{\beta}$), 인터루킨-6(IL-6) 및 인터루킨-8(IL-8)의 발현이 증가하였다. 레스베라트롤과 RTA는 PM10으로 유도된 세포의 사멸과 ROS 생성을 경감시켰다. PM10에 의해 증가되는 여러 염증성 사이토카인의 발현은 레스베라트롤과 RTA에 의해 경감되거나(IL-6), 증진되거나($IL-1{\beta}$), 변화하지 않았다($TNF-{\alpha}$ 및 IL-8). PM10에 의해 유도된 IL-6단백질의 발현이 레스베라트롤과 RTA에 의해 감소되었다. 본 연구의 결과는 레스베라트롤과 RTA가 대기 미립자 물질에 노출된 피부의 세포 손상과 염증 반응을 조절하는 작용이 있음을 시사한다.

• 생물환경조절학회지
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• 제29권3호
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• pp.231-238
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• 2020

딸기는 다년생 초본성 식물로 그 과실은 영양 가치가 높고 인기있는 고부가가치 채소작물이다. 본 연구는 딸기 품종 '설향'과 '매향'의 런너유인각도(RTA)가 절간장과 런너 발생수에 미치는 영향을 조사하여 자묘의 생산성을 높이고 번식효율을 증가시키기 위한 기초 자료를 얻고자 수행되었다. 러너를 0°(상향), 45°, 90°(수평), 135°, 또는 180°(하향)의 각도로 한 달 간 유인하였다. 이 실험은 유리온실에서 주간/야간 온도 29/20℃, 평균 광도 450 μmol m^-2·s^-1 PPFD의 자연광 환경에서 수행하였으며, 1일 광주기는 12시간이었다. '설향'과 '매향'에 있어서 RTA는 런너 수와 절간장에 영향을 주었으며, 자묘 수, 생체중과 건물중에 영향을 미쳤다. RTA 135° 또는 180°에서 두 품종 모두 자묘의 평균 생체중과 건물중이 가장 작았으며, '설향' 품종에서는 런너 길이와 절간장이 짧아졌다. RTA가 두 품종 모두에서 런너의 직경에는 영향을 미치지 않았지만 런너의 형태에는 영향을 미쳤다. RTA중 135°와 비교해서 180°가 가장 많은 자묘를 생산하여 가장 번식효율이 좋았다.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.349-358
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• 2010

모바일 환경의 비디오 스트리밍에서 클라이언트들은 작업 부하의 차이가 큰 비디오를 요청할 수 있기 때문에 적응성은 중요한 문제이다. 본 논문에서는 모바일 또는 무선 통신망에서 MPEG-4 비디오 스트림을 효율적으로 전송하기 위해 제한된 대역폭을 스케쥴링하는 기법이 제시된다. 수락 제어 단계에서는 요청된 각 비디오 대역폭이 평균 대역폭 요건에 따라 할당된다. 실제 스케쥴링 단계에서는 클라이언트들의 재생 상황에 더욱 적합한 스케쥴링이 수행될 수 있도록 하기 위해 클라이언트의 버퍼 수준에 따라 대역폭이 동적으로 할당된다. 제시된 RTA(Real-Time Adaptive) 스케쥴링 프로토콜에서는 버퍼 수준이 낮은 클라이언트에게 일시적으로 더 많은 대역폭이 할당될 수 있다. 버퍼 수준에 기반한 스케쥴링 정책을 사용하는 RTA 프로토콜은 일시적인 과부하 영향을 최소화하는 한편 재생시 실시간적 성능을 최대화할 수 있다. RTA 프로토콜의 성능은 다양한 실험을 통하여 측정되었으며 BSBA(Buffer Sensitive Bandwidth Allocation) 프로토콜과 비교한 결과 RTA 프로토콜이 더 많은 수의 프레임들을 전송함으로써 우수한 성능을 가지는 것으로 분석되었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 한국재료학회 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.88-88
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• 1998

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1992년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.62-62
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• 1992

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제26권5호
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• pp.526-529
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• 2002

• 전기전자학회논문지
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• 제2권1호
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• pp.101-107
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• 1998

인(Phosphorus)을 1MeV로 이온 주입한 후 RTA를 실시하여 미세결함의 특성을 조사하고, 면저항, SRP, SIMS, XTEM 분석과 CMOS 구조에서 래치업 특성을 모의 실험하였다. 도즈량이 증가할수록 면저항은 낮아지고, Rp값은 도즈량이 $1{\times}10^{13}/cm^2,\;5{\times}10^{13}/cm^2,\;1{\times}10^{14}/cm^2$일때 각각 $1.15{\mu}m,\;1.15{\mu},\;1.10{\mu}m$로 나타났다. SIMS 측정결과는 열처리 시간이 길수록 농도의 최대치가 표면으로부터 깊어지고, 농도 또한 낮아짐을 확인하였다. XTEM 분석 결과는 열처리 전에는 결함측정이 불가능했으나, 측정되지 많은 미세결함이 열처리 후 이차결함으로 성장한 것으로 조사되었다. 모의 실험은 buried layer와 connecting layer 구조를 사용하였으며, buried layer보다 connecting layer가 래치업 특성이 우수함을 확인하였다. Connecting layer의 도즈량이 $1{\times}10^{14}/cm^2$이고 이온주입 에너지가 500KeV일 때 trigger current는 $0.6mA/{\mu}m$이상이었고, trigger voltage는 약 6V로 나타났다. Connecting layer의 이온주입 에너지가 낮을수록 래치업 저감효과가 더욱 우수함을 알 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1268_1269
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• 2009

This work shows the effect of rapid thermal annealing (RTA) on properties of indium-zinc oxide (IZO) thin films. The RTA temperatue was controlled between 300 and $500^{\circ}C$ under the two different ambient conditions such as vacuum and oxygen. Structural, optical, and electrical properties of IZO films were characterized in terms of RTA conditions. XRD and resistivity measurements showed that crystallization for IZO films occurred at an RTA temperature of about $400^{\circ}C$. For the IZO film treated at $500^{\circ}C$ of RTA, the resistivity, carrier concentration, hall mobility, and transmittance were approximately $10^2{\Omega}cm$, $10^{15}cm^{-3}$, $10cm^2/V{\cdot}s$, and 85%, respectively, which would be suitable for its application to the channel layer in transparent thin film transistors.