• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권5호
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• pp.37-42
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• 2004

본 논문에서는 선비정질화, 저에너지 이온 주입, 이중 열처리 공정을 이용하여 p/sup ＋/-n 박막 접합을 형성하였다. Ge 이온을 이용하여 결정 Si 기판을 선비정질화하였다. 선비정질화된 시편과 결정 기판에 p-형 불순물인 BF₂이온을 주입하여 접합을 형성하였다. 열처리는 급속 열처리 (RTA : rapid thermal anneal) 방법과 850℃의 노 열처리 (FA : furnace anneal) 방법을 병행하였다. 두 단계의 이중 열처리 방법으로 네 가지 조건을 사용하였는데, 이는 RTA(750℃/10초)＋Ft, FA＋RTA(750℃/10초), RTA(1000℃/10초)＋F4 FA＋RTA(1000℃/10초)이다. Ge 선비정질화를 통하여 시편의 접합 깊이를 감소시킬 수 있었다. RTA 온도가 1000℃인 경우에는 RTA보다는 FA를 먼저 수행하는 것이 접합 깊이(x/sub j/), 면저항(R/sub s/), R/sub s/ x/sub j/, 누설 전류 등의 모든 면에서 유리함을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제3권3호
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• pp.310-315
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• 1993

P-type(100)Si Wafer 위에 400$\AA$의 Ta를 증착하여 열산화법으로 ${Ta_2}{O_5}$박막을 형성시킴 후 RTA후처리를 통하여 절연파괴전장 특성 개선을 이루고자 하였다. 유전상수에 미치는 RTA후처리의 영향은 미약하지만 절연파괴전장을 나타내었으나 결정화 온도 이하의 RTA온도에서는 절연파괴전장이 5.4MV/cm로 RTA효과가 크게 나타났다. 이러한 RTA효과는 RTA온도 $575^{\circ}C$에서 flat band voltage shift가 RTA 시간에 따라 변화가 없는 것으로 미루어 보아 RTA효과는 계면 변화에 의한 것이 아님을 알 수 있었으며, RBS 분석을 통하여 ${Ta_2}{O_5}$1박막의 치밀화에 의한 것임을 확인할 수 있었다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권9호
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• pp.179-185
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• 2013

본 논문에서는 시각에 대해 반응하는 운동 행동의 효과를 분석하기 위해서 응답속도정합-유발전위(RTA-ERP: Response Time Aligned-Event Related Potential)를 모델링하고, RTA-ERP의 진폭과 응답 속도를 이용하여 사이먼 효과를 분석하였다. 건강한 성인 15명(남성 9명, 여성 6명, 평균 연령 31세)을 대상으로, 같은 숫자에 대한 다른 숫자를 찾아 반응하는 '양자극방안' 실험을 7분 동안 수행하였다. 실험결과 제안된 RTA-ERP는 기존의 ERP에 비해 뇌에서의 처리시간 차이에 따른 변이를 보상할 수 있었으며, 향상된 LRP(Lateralized Readiness Potential)와 Pe(Error Related Positivity)를 나타내었다. '일치', '불일치' 시험 패턴에 대하여 '일치'에 대한 RTA-ERP의 진폭과 응답속도는 각각 '불일치'보다 컸으며 진폭은 $0.03{\mu}V$ 크고 반응속도는 43 ms 만큼 빨랐다. 응답속도에 따른 동기 시점을 보정하여 정합함에 따라, RTA-ERP의 진폭특성은 사이먼 효과의 특징인 ERP의 P300 진폭과 대응함을 확인하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권12호
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• pp.1189-1196
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• 2003

Sol-gel법으로 강유전성 B $i_{3.25}$L $a_{0.75}$ $Ti_3$ $O_{12}$ (BLT) stock solution을 합성하고 Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si 기판위에 스핀코팅법으로 BLT 박막을 증착하였다. 본 실험에서는 Bi(TMHD)$_3$, La(III)2-Methoxyethoxide, Ti(IV)i-propoxide를 출발물질로 사용하였으며 2-Methoxyethanol을 용매로 사용하였다. 급속열처리(RTA)가 BLT 박막의 결정성장을 촉진시키기 위해 사용되었고, RTA를 실시한 시편과 RTA를 실시하지 않은 시편의 전기적 특성을 비교하였다. RTA를 실시한 후 72$0^{\circ}C$에서 로 열처리 한 BLT 박막의 경우 5V 인가 전압 하에서 2Pr 값은 RTA를 실시하지 않은 경우보다 27% 증가한 20.46$\mu$C/$ extrm{cm}^2$이었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.26-32
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• 2021

카본 전극 페로브스카이트 태양전지의 광활성층을 형성하는데 열판, 오븐, 쾌속열처리로 방법을 달리하며 이때 광전기적 특성과 미세구조 변화를 확인하였다. Glass/FTO/compact TiO2/meso TiO2/meso ZrO2/perovskite/carbon electrode 구조의 페로브스카이트 태양전지 소자를 열판 공정, 오븐 공정, RTA(rapid thermal annealing) 공정을 이용하여 준비하였다. 이때 광전기적 특성과 미세구조를 solar simulator와 광학현미경, 장발산주사전자현미경을 이용하여 각 소자의 특성을 분석하였다. 광전기적 특성 분석 결과, RTA 공정을 이용하여 제작한 소자에서 가장 우수한 광전기적 특성을 확인할 수 있었다. 미세구조 분석 결과 열판 공정과 오븐 공정으로 제작한 시편은 카본 전극 상부에 과잉 페로브스카이트 상이 형성되고, RTA 공정으로 제작한 시편에서는 시편 상부에 과잉 페로브스카이트 상 없이, 균일한 페로브스카이트가 형성된 것을 확인할 수 있었다. 또한 단면 미세구조에서는 RTA 공정으로 제작한 소자가 다공성 카본 전극 층에 고밀도의 페로브스카이트 층을 형성하여 우수한 광전기적 특성을 나타내었다. 따라서 대면적 소자 제작의 공정시간을 고려한 새로운 열처리방안으로 RTA 방법의 채용 가능성을 확인하였다.

• 한국응용약물학회:학술대회논문집
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• 한국응용약물학회 1996년도 춘계학술대회
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• pp.277-277
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• 1996

Anti-CALLA Fab-RTA immunotoxins were constructed using two crosslinking agent, SMPT and SMCC, to generate a disulfide and a thioether bridge between Fab fragment of K269-65 MoAb and RTA toxin moieties, respectively. These immunotoxins were selectively immunoreative with CALLA$\^$+/ B-lineage Daudi cells. SMPT and SMCC mediated RTA immunotoxins were prepared with 49% and 53% of the RTA conjugation yields, respectively. SDS-PAGE analysis show that immunotoxins were constructed with major Fab-1 RTA (76kda), minor Fab-2RTA (106kda) and Fab-3RTA (136kda) compositions. The breakdown rates of immunotoxins were determined in the presence of glutathione by measuring the amount of reduced immunotoxins using size-exclusion HPLC. The SMCC immunotoxins were more resistant to the glutathione than SMPT immunotoxins. But, our data showed that the SMPT mediated disulfide bonded immunotoxins were much more active than the SMCC mediated thioether bonded immunotoxins to kill the target cells in vitro.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.709-712
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• 2001

The effects of post annealing temperature by the Rapid Thermal Annealing(RTA) on the electrical properties of Pb(Zr,Ti)O$_3$(PZT) thin film were investigated. Analyses by the RTA treatments reveled that the leakage current of PZT thin films strongly depend on heating temperature and time. It was found that leakage current properties of PZT capacitor were changed by heating temperature during the RTA annealing. On Pt/Ti/Si substrates, PZT films are deposited at 350 $^{\circ}C$ by rf magnetron sputtering. The X-ray diffusion (XRD) was confirmed the formation of PZT thin film. Leakage current characteristics were improved with decreasing the post annealing temperature of PZT thin film. RTA annealed film on the 700$^{\circ}C$ shows ferroelectric and electrical properties with a remanent polarization of 12.4${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$ coercive field of 117kV/cm, leakage current J= 6.2${\times}$10$\^$-6/ A/$\textrm{cm}^2$

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.1010-1013
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• 2001

Zinc oxide(ZnO) films were prepared by ultrasonic spray pyrolysis on indium (In) films deposited by evaporation and subsequently submitted to rapid thermal annealing (RTA). The RTA was processed in air or a vacuum ambient. The crystallographic properties and surface morphologies of the films were characterized before and after the RTA by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy(SEM), respectively. The resistivity variation of the films with RTA temperature and time was measured by the 4-point probe method. Auger electron spectroscopy(AES) was carried out to figure out the distribution of indium atoms in the ZnO films. The resistivity of the ZnO on In(ZnO/In) films decreased to 2${\times}$10$\^$-3/ $\Omega$cm by diffusion of the In. The In diffusion into the ZnO films roughened the surface of the ZnO films. The results of depth profile by AES showed a hump of In atoms around ZnO/In interface after the RTA at 800$^{\circ}C$, which disappeared by the RTA at 1000$^{\circ}C$. The effects of temperature, time and ambient during the RTA on the structural and electrical properties of the ZnO/In films were discussed.

• Journal of Magnetics
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• 제10권2호
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• pp.52-57
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• 2005

In this research, magnetoresistance (MR) ratio (MR), resistivity, and exchange coupling field $(H_{ex})$ behaviors for sputter deposited spin valves with FeMn antiferromagnetic layer have been extensively investigated by rapid thermal annealing (RTA) as well as conventional annealing (CA) method. 10 s of RTA revealed that interdiffusion was not significant up to $325^{\circ}C$ at the interfaces between the layers when the RTA time was short. The MR of FeMn spin valves were reduced when the spin valves were exposed to temperature of $250^{\circ}C$, even for a short time period of 10 s prior to CA. $H_{ex}$ was maintained up to $325^{\circ}C$ of CA when the specimen was subjected to 10 s of RTA at $200^{\circ}C$ prior to CA, which is $25^{\circ}C$ higher than the result obtained from the CA without prior RTA. Therefore, the stability of $H_{ex}$ could be enhanced by a prior RTA before performing CA up to annealing temperature of $325^{\circ}C$. MR and sensitivity of the specimens annealed without magnetic field up to $275^{\circ}C$ were recovered to the values prior to CA, but $H_{ex}$ was not recovered. This means that reduced MR sensitivity and MR during the device fabrication can be recovered by a field RTA.

• 한국진공학회지
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• 제22권6호
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• pp.321-326
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• 2013

디지털 합금(digital alloy) InGaAlAs 다중 양자 우물(multiple quantum wells: MQWs) 구조의 열처리(rapid thermal annealing: RTA) 온도에 따른 발광 특성을 PL (photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)를 이용하여 분석하였다. $700^{\circ}C$에서 $850^{\circ}C$까지 온도를 변화시켜 RTA한 디지털 합금 MQWs의 PL 결과는 $750^{\circ}C$에서 RTA한 시료가 가장 강한 PL 세기와 가장 좁은 반치폭을 나타내었다. 이것은 $750^{\circ}C$에서 30초 동안 RTA하였을 때 비발광 재결합 센터가 감소하고 가장 매끄러운 경계면이 형성되는 것을 나타낸다. RTA 온도를 $800^{\circ}C$와 $850^{\circ}C$로 증가하였을 때 PL 피크는 청색편이 하였으며 PL 세기는 감소하였다. PL 피크의 청색편이는 RTA 온도가 증가함에 따라 InGaAs/InAlAs SPS (short-period superlattice)의 경계면에서의 Ga과 Al의 혼합(intermixing)으로 Al 함량이 증가한 것으로 설명되며, PL 세기의 감소는 경계면의 거칠기의 증가와 인듐의 상분리(phase separation)로 인한 비균일 조성(compositional fluctuation)으로 설명된다. RTA 온도를 증가하였을 때 PL 소멸시간은 증가하였으며, 이것은 비발광 재결합 센터(결정 결함)가 감소한 것을 나타낸다. 디지털 합금 InGaAlAs MQWs 시료의 PL 특성은 적절한 RTA 조건에서 현저히 향상되는 것을 확인하였다.