• Title/Summary/Keyword: RF-MEMS

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ICP소스를 이용한 FIB용 가스 이온원 개발

  • Lee, Seung-Hun;Yun, Seong-Hwan;Gang, Jae-Uk;Kim, Do-Geun;Kim, Jong-Guk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.99-99
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    • 2010
  • 최근 집속이온빔을 이용한 미세회로 교정, MEMS 공정 및 이온 도핑 등에 대한 연구개발이 활발히 이루어지고 있다. 기존에 널리 사용되었던 액체 금속 이온 소스의 경우 비교적 큰 angular divergence 및 Ga 이온 소스에 의한 오염이 문제시 되고 있어 이를 대체할 수 있는 가스 이온 소스에 대한 연구를 진행하였다. 본 연구에서 사용된 가스 이온 소스는 2 turn 안테나(1/4 inch Cu tube)가 감긴 반경 4 cm 석영관 내부에 Ar 가스를 주입 후 RF(13.56MHz)-ICP 타입 방전을 이용하였다. 운전 압력은 $10^{-5}\;Torr$ 범위이며 인가된 RF 전력은 최대 150 W이다. 석영관 내 발생된 플라즈마로부터 Ar 이온을 인출하기 위해 2단 인출 전극 구조가 사용되었으며 상단 전극에 고전압이 인가되고 하단 전극이 접지되는 형태이다. 2단 인출 전극의 최대 인출 전압은 10 kV, 상단 및 하단 전극의 구멍 크기는 각각 0.3 mm, 2 mm이다. 이온빔의 퍼짐을 최소화하기 위해 전극 간 공간 내 이온 거동 전산모사를 통해 전극 구조를 설계하였으며 이를 통해 최대 $30\;mA/cm^2$의 이온 전류 밀도 값을 얻을 수 있었다.

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A GaAs Micromachined Millimeter-wave Lowpass Filter Using Microstrip Stepped-Impedance Hairpin Resonator

  • Cho Ju-Hyun;Yun Tae-Soon;Baek Tae-Jong;Ko Baek-Seok;Shin Dong-Hoon;Lee Jong-Chul
    • The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems
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    • v.3 no.2 s.5
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    • pp.85-93
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    • 2004
  • In this paper, microstrip stepped-impedance hairpin resonator (SIR) lowpass filter f.PF) by surface rnicromachining on GaAs substrate is sugsested. This filter has the advantages of compact side, easy fabrication, and sharp cutoff frequency response. The new SIR LPF shows the 3 dB passband of dc to 33 GHz, the insertion loss of 0.82 dB, and the return loss of better than 17 dB up to 25.57 GHz. This filter is useful for many microwave system applications.

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Characteristics of poly 3C-SiC doubkly clamped beam micro resonators (양단이 고정된 빔형 다결정 3C-SiC 마이크로 공진기의 특성)

  • Ryu, Kyeong-Il;Chung, Gwiy-Sang
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.06a
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    • pp.217-217
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    • 2009
  • This paper describes the characteristics of polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam micro resonators. The polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam resonators with 60 ~ 100 ${\mu}m$ lengths, $10\;{\mu}m$ width, and $0.4\;{\mu}m$ thickness were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonant frequency was measured by a laser vibrometer in vacuum at room temperature. For the 60 ~ 100 ${\mu}m$ long cantilevers, the fundamental frequency appeared at 373.4 ~ 908.1 kHz. The resonant frequencies of doubly clamped beam with lengths were higher than simulated results because of tensile stress. Therefore, polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam micro resonators are suitable for RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications.

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Research Trends of Micro-Filter for Mobile Handsets (이동통신 단말기용 초소형 필터 연구 동향)

  • Park Jun-Seok;Jang Byeong-Jun;O Ha-Ryeong;Im Jae-Bong;Jo Hong-Gu
    • The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.16 no.4 s.56
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    • pp.24-37
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    • 2005
  • 무선통신 시스템의 소형화 저가격화 추세로 인하여 RF 및 초고주파 필터의 설계나 구현을 전통적인 초고주파 필터 구현 방법에서 벗어난 고품질, 다기능 재료 및 첨단 가공 기술과 연계된 초고주파 필터 설계 및 제작 기술에 대한 연구가 활발히 진행중이다. 휴대 이동단말 시스템을 포함한 복합 다기능화 되고 있는 다양한 단말기 시스템에 적용될 수 있는 세라믹, MEMS, FBAR, SAW 필터 등과 같은 초소형 고주파 필터 설계 기술 등에 대한 기술 동향에 대하여 기술하였다.

Film Bulk Acoustic Wave Resonator for Bandpass Filter (밴드패스필터 구현을 위한 압전박막공진기 제작)

  • 김인태;박윤권;이시형;이윤희;이전국;김남수;주병권
    • The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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    • v.51 no.12
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    • pp.597-600
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    • 2002
  • Film Bulk Acoustic wave Resonator (FBAR) using thin piezoelectric films can be made as monolithic integrated devices with compatibility to semiconductor process, leading to small size and low cost, high Q RF circuit elements with wide applications in communications area. This paper presents a MMIC compatible suspended FBAR using surface micromachining. Membrane is composed $Si_3N_4SiO_2Si _3N_4$ multi layer and air gap is about 50${\mu}{\textrm}{m}$. Firstly, We perform one dimensional simulation applying transmission line theorem to verify resonance characteristic of the FBAR. Process of the FBAR is used MEMS technology. Fabricated FBAR resonate at 2.4GHz, $K^2_{eff}$ and Q are 4.1% and 1100.

Fabrication of Polycrystalline SiC Doubly Clamped Beam Micro Resonators and Their Characteristics (양단이 고정된 빔형 다결정 3C-SiC 마이크로 공진기의 제작과 그 특성)

  • Chung, Gwiy-Sang;Lee, Tae-Won
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.22 no.4
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    • pp.303-306
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    • 2009
  • This paper describes the characteristics of polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam micro resonators. The polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam resonators with $60{\sim}100{\mu}m$ lengths, $10{\mu}m$ width, and $0.4{\mu}m$ thickness were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonant frequency was measured by a laser vibrometer in vacuum at room temperature. For the $60{\sim}100{\mu}m$ long cantilevers, the fundamental frequency appeared at $373.4{\sim}908.1\;kHz$. The resonant frequencies of doubly clamped beam with lengths were higher than simulated results because of tensile stress. Therefore, polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam micro resonators are suitable for RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications.

Fabrication and characterization of polycrystalline 3C-SiC mocro-resonators (다결정 3C-SiC 마이크로 공진기 제작과 그 특성)

  • Lee, Tae-Won;Chung, Gwiy-Sang
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.250-250
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    • 2008
  • This paper describes the resonant characteristics of polycrystalline SiC micro resonators. The $1{\mu}m$ thick polycrystalline 3C-SiC cantilevers with different lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at room temperature. For the 100 ~ $40{\mu}m$ long cantilevers, the fundamental frequency appeared at 147.2 kHz - 856.3 kHz. The $100{\mu}m$ and $80{\mu}m$ long cantilevers have second mode resonant frequency at 857.5 kHz and 1.14 MHz. Therefore, polycrystalline 3C-SiC micro resonators are suitable for RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications.

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Development of fabrication process for toroidal inductors using electroplating method (도금 공정을 이용한 토로이드형 마이크로 인덕터의 제작 공정 개발)

  • Noh, Il-Ho;Jang, Suk-Won;Kim, Chang-Kyo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2003.07a
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    • pp.408-411
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    • 2003
  • 최근 활발하게 연구가 진행되고 있는 마이크로 인덕터는 자기 데이터 저장을 위한 헤드, 자기장 센서, 마이크로 변압기와 휴대폰의 수동 소자와 같은 다양한 분야에 이용되고 있다. 마이크로 인덕터를 제작하기 위해 UV-LIGA 공정을 개발하였다. 도금 공정을 이용하여 마이크로 인덕터의 철심과 구리선 제작하였다. 도금 공정을 위해 필요한 마이크로 몰드는 여러 종류의 thick photoresist를 이용하여 저응력 공정으로 제작하였다. 도금 공정을 이용하여 toroid형 마이크로 인덕터를 제작하였다. 도금 공정에서 발생 할 수 있는 응력을 최소화할 수 있는 공정을 개발하였다.

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MEMS용 MLCA와 Si기판의 양극접합 특성

  • 정귀상;김재민
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2003.12a
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    • pp.105-108
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    • 2003
  • 본 논문은 파이렉스 #7740 유리박막을 이용한 MEMS용 MLCA와 Si기판의 양극접합 특성에 관한 것이다. 최적의 RF 마그네트론 스퍼터링 조건(Ar 100 %, input power $1W/\textrm{cm}^2$)하에서 MLCA 기판위에 파이렉스 #7740 유리의 특성을 갖는 박막을 증착한 후 600 V, $400^{\circ}C$에서 1시간동안 양극접합했다. 그 다음에 Si 다이어프램을 제조한 후, MLCA/Si 접합계면과 MLCA 구동을 통한 Si 다이어프램 변위특성을 분석 및 평가하였다. 다이어프램 형상에 따라 정밀한 변위 제어가 가능했으며 0.05-0.08 %FS의 우수한 선형성을 나타내었다. 또한, 측정동안 접합계면 균열이나 계면분리가 일어나지 않았다. 따라서, MLCA/Si기판 양극접합기술은 고성능 압전 MEMS 소자 제작공정에 유용하게 사용가능할 것이다.

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Fabrication and characteristics of polycrystalline SiC micro resonators (다결정 SiC 마이크로 공진기의 제작과 그 특성)

  • Chung, Gwiy-Sang;Lee, Tae-Won
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.17 no.6
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    • pp.425-428
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    • 2008
  • This paper describes the resonant characteristics of polycrystalline SiC micro resonators. The $1{\mu}m$ thick polycrystalline 3C-SiC cantilevers with different lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at room temperature. For the $100{\sim}40{\mu}m$ long cantilevers, the fundamental frequency appeared at $147.2kHz{\sim}856.3kHz$. The $100{\mu}m$ and $80{\mu}m$ long cantilevers have second mode resonant frequency at 857.5.kHz and 1.14.MHz, respectively. Therefore, polycrystalline 3C-SiC resonators are suitable for RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications.