• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.787-792
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• 2004

본 논문에서는 근거리무선 통신용 RF 모듈을 구성하는 핵심 부품인 5.5GHz 대역의 발진기를 설계 제작하였다. NEC사의 잡음 특성이 우수한 HJ FET인 NE3210S01를 사용하여 위상잡음 특성을 개선하였고, 구현된 회로는 HP사의 회로 시뮬레이터인 ADS2002를 사용하여 설계 및 제작하였으며 발진기의 특성을 측정한 결과, 중심 주파수 5.5 GHz에서 출력전력이 10 dBm 그리고 2차 고조파 억압이 -31 dBc이며 중심 주파수 100 kHz offset에서 -98.83 dBc의 위상잡음 특성을 얻었다. 제작된 발진기는 근거리 무선 통신용 국부 발진기로 이용될 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.96-100
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• 2004

본 논문에서는 근거리무선 통신용 RF 모들을 구성하는 핵심 부품인 5.5GHz 대역의 발진기를 설계 제작하였다. NEC사의 잡음 특성이 우수한 HJ FET인 NE3210S01를 사용하여 위상잡음 특성을 개선하였고, 구현된 회로는 HP사의 회로 시뮬레이터인 ADS2002를 사용하여 설계 및 제작하였으며 발진기의 특성을 측정한 결과, 중심 주파수 5.5 GHz에서 출력전력이 10 ㏈m 그리고 2차 고조파 억압이 -31 ㏈c이며 중심 주파수 100 KHz offset에서 -98.83 ㏈c의 위상잡음 특성을 얻었다. 제작된 발진기는 근거리 무선 통신용 국부 발진기로 이용될 수 있다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제10권1호
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• pp.175-180
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• 2005

최근 마이크로파 및 밀리미터파 통신 레이더 시스템에서 통신 속도가 점차 고속화 되고 이용자의 수요 또한 급속히 증가하는 추세이기 때문에 보다 넓은 대역폭을 수용하기 위해 좀더 높은 주파수와 불요파 억압특성을 갖는 신호원이 요구된다. 주파수가 높아질수록 설계가 어렵고 소자의 가격이 상승하게 된다. 이를 극복하기 위해 3분의1주파수에서 설계가 가능한 새로운 형태의 합성기를 이용한 Triple-Push 발진기를 제안하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.98-107
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• 1998

FM-DS /SS 시스댐 구현을 위하여, 주입되는 신호에 동기하는 주입형 SO (Synchronous Oscillator)에 대하 여 해석하였다. 송신부에서는 FM의 RF 출력 신호와 DS /SS(Direct Sequence /Spread Spectrum)을 이용하 여 FM-DS /SS 변조 방식을 채택하였으며, 수신부에서는,SO를 수신부의 PN(Pusudo Noise) 클럭 동기를 위한 슬라이딩 상관기로 사용하여 FM-DS/SS의 복조를 위한 동기부로 이용하였다. 그 결과 수신주파수가 도플러와 같은 현상에서도 안정된 동기성능을 유지하였으며, FM-DS /SS의 시스템에 적용하여 PN 동기 및 동기 특성 을 입증하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권11호
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• pp.536-543
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• 2003

In this paper, we describe a unique self oscillating and mixing (SOM) down-converter design using a modified defected ground structure (DGS). The proposed SOM converter is consisted of self-oscillator, which can produce negative resistance and select resonance frequency, RF matching circuit, and IF low pass filter. As the advantage of this SOM converter can mix LO and RF signals as well as inducing LO signal with only one active device. it is designed as a simple structure and the low cost. Also, there is easy advantage to be applied in RFIC/MMIC technology because it offers excellent phase noise performance in spite of using micro-strip structure. The LO signal for the proposed SOM converter is designed at 1㎓ and RF frequency was chosen to be 800MHz. The achieved conversion loss and phase noise performances of the implemented SOM converter are 15㏈ and -95dBc/Hz at 100KHz offset frequency respectively. The equivalent circuit parameters for DGS are extracted by using a three dimensional EM simulator and simple circuit analysis method.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제9권2호
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• pp.98-104
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• 2009

An InGaP/GaAs MMIC LC VCO designed with Harmonic Noise Frequency Filtering(HNFF) technique is presented. In this VCO, internal inductance is found to lower the phase noise, based on an analytic understanding of phase noise. This VCO directly drives the on-chip double balanced mixer to convert RF carrier to IF frequency through local oscillator. Furthermore, final power performance is improved by output amplifier. This paper presents the design for a 1.721 GHz enhanced LC VCO, high power double balance mixer, and output amplifier that have been designed to optimize low phase noise and high output power. The presented asymmetric inductance tank(AIT) VCO exhibited a phase noise of -133.96 dBc/Hz at 1 MHz offset and a tuning range from 1.46 GHz to 1.721 GHz. In measurement, on-chip down-converter shows a third-order input intercept point(IIP3) of 12.55 dBm, a third-order output intercept point(OIP3) of 21.45 dBm, an RF return loss of -31 dB, and an IF return loss of -26 dB. The RF-IF isolation is -57 dB. Also, a conversion gain is 8.9 dB through output amplifier. The total on-chip down-converter is implanted in 2.56${\times}$1.07 mm$^2$ of chip area.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권10호
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• pp.964-970
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• 2013

본 논문은 적층된 칩 사이의 3차원 대역 통과 무선 통신 인터페이스를 제안한다. 제안 방법은 적층된 칩 사이의 작은 커패시턴스를 포함한 3차원 공진기를 이용하여 자주 주파수 발진기(free running oscillator)를 구성하고, 이 발진기를 진폭 변조하여 추가적인 정합회로 없이 수신단에서 포락선 검파를 통해 신호를 검출한다. 제안 방법을 검증하기 위해 110 nm CMOS 공정을 사용하여 송수신 칩을 설계하고, 제작하여 50 ${\mu}m$ 두께의 칩 사이에 2 Gb/s의 데이터 전송 속도를 확인하였다. 제작한 칩은 동작전압 1.2 V를 사용하며, 송수신 칩을 합하여 4.32 mW의 전력을 소모한다. 칩의 크기는 송신단은 0.045 $mm^2$이고, 수신단은 0.029 $mm^2$이다.

• 전기학회논문지
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• 제60권12호
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• pp.2286-2292
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• 2011

In this paper we present the design of Low Noise Amplifier(LNA), mixer and filter for RF front-end part of partial discharge monitoring system. The monitoring system of partial discharge in high voltage power machinery is used to prevent many kinds of industrial accidents, and is usually composed of three parts - sensor, RF front-end and digital microcontroller unit. In our study, LNA, mixer and filter are key components of the RF front-end. The LNA consists of common gate and common source-cascaded structure and uses the resistive feedback for broad band matching. A coupled line structure is utilized to implement the filter, of which size is reduced by the meander structure. The mixer is designed using dual gate structure for high isolation between RF and local oscillator signal.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제3권2호
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• pp.118-125
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• 2003

This paper presents a 5.8-㎓ oscillator that uses a novel defected ground structure(DGS), which is etched on the metallic ground plane. As the suggested defected ground structure is the structure for mounting an active device, it is the roles of a feedback loop inducing a negative resistance as well as a frequency-selective circuit. Applying the feedback loop between the drain and the gate of a FET device produces precise phase conversion in the feedback loop. The equivalent circuit parameters of the DGS are extracted by using a three-dimensional EM simulation ,md simple circuit analysis method. In order to demonstrate a new DGS oscillator, we designed the oscillator at 5.8-㎓. The experimental results show 4.17 ㏈m output power with over 22 % dc-to-RF power efficiency and - 85.8 ㏈c/Hz phase noise at 100 KHz offset from the fundamental carrier at 5.81 ㎓.

• 한국항행학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.122-131
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• 2008

본 논문에서는 마이크로스트립 헤어핀 형태의 링 공진기를 이용하여 저위상 잡음을 개선한 소형화된 S 대역에 사용가능한 발진기를 설계 및 제작하였다. 기판은 고조파 특성이 우수한 유전율 ${\varepsilon}_r$=3.5 기판두께 h=20mil 금속두께 t=17um 손실 탄젠트 $tan{\delta}$=0.0025 인 TACONIC사의 RF-35를 사용하였다. 측정된 결과 발진 주파수는 2.45 GHz에서 출력전력은 20.9 dBm으로서 기존의 발진기에 비하여 상당히 높은 출력을 얻었고, 위상 잡음 특성은 100 kHz offset에서 -100.5 dBc/Hz 로서 기존의 발진기 성능과 비교하면 우수한 특성이 있음을 확인할 수 있었고, 고조파 억압 특성은 32 dBc 이상으로서 우수한 특성을 갖는 발진기임을 보여주었다. 본 논문에서 제안된 발진기의 형태를 이용하여 RFIC, MIC, MMIC 형태로 제작한다면 발진기를 소형화할 수 있을 것이며, 이 제작된 발진기는 S-밴드의 주파수원으로 이용 가능할 수 있을 것으로 사료된다.