본 논문에서는 RF 집적회로의 설계사양을 시간영역에서 테스팅이 가능한 구간고장모델링 기법을 제안한다. 먼저 구간고장모델을 정의하였고, 정상동작구간을 결정하여 구간고장모델이 될 수 있는 조건을 증명하였다. 그리고 구간고장모델 조건을 5.25 GHz 저잡음 증폭기에 적용하여 능동소자와 수동소자의 강고장과 파라메트릭 고장의 검출이 가능한 9개의 구간고장모델을 모의실험에 의하여 구하였다. 본 논문에서 얻어진 구간고장모델을 기반으로 출력에 나타나는 출력파형의 변화를 시간영역에서 관찰하여 설계사양 테스팅을 수행할 수 있으므로 RF 집적회로의 테스팅 시간과 비용을 줄일 수 있다.
Brain MRI 검사에서는 영상을 얻기 위해 RF Pulse를 인체에 조사하게 되는데 이때 조사된 RF Pulse 에너지의 상당부분은 우리 몸에 그대로 흡수되게 되고 이로 인해 인체의 온도가 상승하게 되는데 노출 정도에 따라 인체에 영향을 주게 된다. 동일한 RF Pulse 에너지를 주었더라도 인체에 금속이 삽입되었다면 금속으로 인해 인체의 전도도가 상당히 증가하기 때문에 SAR값이 증가하고 체온도 역시 상승할 것이다. 따라서 치아임플란트를 했을 때와 하지 않았을 때 인체의 머리에 나타나는 SAR값의 변화와 인체의 온도변화는 차이가 있지 않을까라는 의문으로 이번 연구를 시작하게 되었다. 실험은 3.0 Tesla MRI장비에서 발생되는 128MHz RF Pulse 주파수대에서 치아임플란트의 사용 유무에 따른 인체가 받는 SAR와 체온의 변화를 XFDTD 프로그램을 사용하여 인체두부 모델과 치아임플란트 모델을 활성화시켜 실험하였다. MRI장비에서 치아임플란트로 인해 인체두부 모델에 흡수되는 SAR의 평균값과 체온 상승을 살펴 본 결과 모두 증가하고 있음을 알 수 있다. 또한 계산 결과 평균 최대 SAR값과 뇌 부분의 최대 온도 상승이 국제 안전 기준치 이하로 나타났으나, 치아임플란트의 개수 증가에 따라 값이 변할 수 있으므로 그 영향을 간과할 수 없으며, 향후 과제로 치아임플란트 개수와 체적의 증가와 치아임플란트 재질에 따른 SAR, 온도 상승 시뮬레이션이 필요하다.
군 통신위성 탑재 체의 개념모델(payload Concept Model; PCM) 연구는 실제 위성의 설계 및 제작 이전에 탑재 체를 지상에서 상용부품으로 구성하고 실제 위성과 가까운 통신전파 조건에서 시험하여 그 특성과 성능을 미리 파악하고자 하는 것이다. 본 논문에서는 이러한 통신 탑재 체 개념 모델을 구현하기 위한 기계구조물의 설계와 제작 과정을 기술하고 있다. 제작된 개념모델의 설계 조건의 만족여부를 검증하기 위하여 기본 RF 특성 시험을 실시하였으며 시스템이 양호한 통신품질을 제공함과 정상적으로 작동됨이 확인되었다.
In this paper, we propose a method that applies Adaptive Frequency Sampling(AFS) technique to the equivalent circuit model for RF passive components. Thes days wireless communication system is getting smaller and smaller. So EMI/EMC is an issue in RF. We can solve PI(Power Integrity)/SI(Signal Integrity) that one of EMI/EMC problem apply IFFT for 3D EM simulation multiple with input signal. That is time comuming task. Therefore equivalent circuit model using RF passive component is important. AFS schemes are implemented to obtain the rational functions. S parameters of the equivalent circuit moldel is compared to those of EM simulation in case of the microstrip line structure.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제15권5호
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pp.485-489
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2015
An accurate large-signal BSIM4 macro model including new empirical bias-dependent equations of the drain-source capacitance and channel resistance constructed from bias-dependent data extracted from S-parameters of RF MOSFETs is developed to reduce $S_{22}$-parameter error of a conventional BSIM4 model. Its accuracy is validated by finding the much better agreement up to 40 GHz between the measured and modeled $S_{22}$-parameter than the conventional one in the wide bias range.
Pulse modulation technique provide additional controling method for electron temperature and density in rf and microwave processing plasma. Transient characteristics of electron density and temperature have been measured in pulse modulated rf inductively coupled argon plasma using simple probe circuit. Electron temperature relaxation is clearly identified in the after glow stage. Controllability of average electron temperature and density depends on the modulation frequency and duty ratio. Numerical calculation of time-dependent electron density and temperature have been performed based on the global model. It has been shown that simple langmuir probe measurement method used for continuous plasma is also applicable to time-dependent measurement of pulse modulated plasma.
본 논문에서는 투톤(two-tone) 신호가 입력된 RF 전력 증폭기의 출력단에서 관찰되는 메모리 효과를 신경망회로를 이용하여 모델링 하였다. 입력 신호의 톤 간격과 전력 레벨의 변화에 따른 출력 전력의 IMD(Inter-Modulation Distortion) 비대칭성을 측정하여 고출력 RF 전력 증폭기의 메모리 효과를 확인하였으며, 서로 다른 중심 주파수에서의 메모리 효과도 실험적으로 확인하였다. 투톤 입력 신호 테스트에 기초한 전력 증폭기의 모델링 방법으로 TDNN(Tapped Delay Line-Neural Network)방식을 적용하였으며 이 방식이 다른 여러 가지 모델링 방법과 비교하여 매우 신뢰할만한 정확성을 가짐을 보였다.
기존 무선에너지 하비스팅시스템에서 유저는 하나의 Hybirid-AP (H-AP)로부터 에너지와 정보를 동시에 받았다. 하지만 무선에너지 하비스팅은 거리가 멀수록 감쇄가 심하기 때문에 H-AP에서 거리가 먼 유저들은 낮은 하비스팅 효율 가진다 (이중 근거리/원거리 문제). 이러한 문제를 해결하기 위해서 본 논문은 Power beacon (PB)을 통해 유저에게 별도의 파워를 공급하는 비결합 무선에너지 하비스팅 네트워크를 시스템 모델로 사용하였다. 이 논문의 주된 목적은 다양한 제약 조건과 Quality of service (QoS), 그리고 Quality of harvested power (QoP)를 만족하면서 목적 함수인 Energy efficiency (EE)를 최대화 하는 것이다. 제안된 시스템은 라그랑지안 쌍대 분해법 이론을 기반으로 EE 최대화를 위한 최적의 시간 스케줄링 알고리즘을 제안한다. 이 알고리즘을 통해 프레임 분해 요소, H-AP의 송신파워, 그리고 PB의 송신파워의 최적 값과 EE의 최대값을 구할 수 있다. 모의 실험 결과는 제안된 알고리즘으로 파라미터가 최적 값으로 빠르게 수렴하고 제안된 모델의 성능이 기존의 시스템 모델보다 우수하다는 것을 증명한다.
$CF_4$ gas is one of the most useful gases in modern technologies for semiconductor fabrication. However, there are many problems which should be solved in order to fabricate semiconductor device, for example, etching speed drop due to ion charge-up and etching selectivity drop due to the high electron energy. One of useful method in order to suppress their damages above is pulsed-time modulated plasma (PM). However, transient responses of charged particles occur when the source power is turned-on and -off in PM method. To control plasma properties in detail, such a transient phenomenon must be investigated. In this paper, we investigate $CF_4$ RF plasma properties under a one-dimensional fluid model. And also for dynamic and stable control of $CF_4$ plasmas, we investigated the transient behavior of the plasmas after step up or down of the amplitude of the power source voltage $V_s$(t). Fundamental properties of transient $CF_4$ plasmas was discussed. Furthermore, we intend to discuss new method for pulsed-time plasma modulation.
The process of heat treatment in cold forging is an essential role in enhancing mechanical properties. However, it relies heavily on the experience and skill of individuals. The aim of this study is to predict hardness using machine learning to optimize production efficiency in cold forging manufacturing. Random Forest (RF), Gradient Boosting Regressor (GBR), Extra Trees (ET), and ADAboosting (ADA) models were utilized. In the result, the RF, GBR, and ET models show the excellent performance. However, it was observed that GBR and ET models leaned significantly towards the influence of temperature, unlike the RF model. We suggest that RF model demonstrates greater reliability in predicting hardness due to its ability to consider various variables that occur during the cold forging process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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