• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.497-500
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• 1999

This paper reports on the fabrication and characteristics of recessed gate GaN MESFETs fabricated using a photoelectrochemical wet etching method. The unique etching process utilizes photo-resistive mask and KOH based etchant. GaN MESFETs with successfully recessed gate structure was characterized in terms of dc and RF performance. The fabricated GaN MESFET exhibits a current saturation at $V_{DS}$ = 4 V and a pinch-off at $V_{GS}$ =-3V The peak drain current of the device is about 230mA/mm at 300 K and the value is remained almost same for 500K operation. The $f_{T}$ and $f_{max}$ from the device are 6.357Hz and 10.25 GHz, respectively.y.y.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1414-1415
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• 2006

Air-gap type film bulk acoustic wave resonator device using ZnO for piezoelectric layer and sacrifice layer, deposited by RF magnetron sputter with various conditions, fabricated in this study. Also, membrane$(SiO_2)$ and top and bottom electrode(both Al) of piezoelectric layer deposited by RF magnetron sputter. Using micro electro mechanical systems(MEMS) technique, sacrifice layer removed and then air-gap formed. The results of each process checked by XRD, AFM, SEM to obtain good quality device.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권1호
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• pp.78-82
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• 2020

In this study, MOSFETs fabricated on Si-doped, MBE-grown β-Ga₂O₃ are demonstrated. A Si-doped Ga₂O₃ epitaxial layer was grown on a Fe-doped, semi-insulating 1.5 cm × 1 cm Ga₂O₃ substrate using molecular beam epitaxy (MBE). The fabricated devices are circular type MOSFETs with a gate length of 3 ㎛, a source-drain spacing of 20 ㎛, and a gate width of 523 ㎛. The device exhibited a good pinch-off characteristic, a high on-off drain current ratio of approximately 2.7×10⁹, and a high breakdown voltage of 1,080 V, which demonstrates the potential of Ga₂O₃ for power device applications including electric vehicles, railways, and renewable energy.

• 한국항행학회논문지
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• 제28권2호
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• pp.225-231
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• 2024

본 논문에서는 기존의 밀리미터파 안테나 시스템의 기능을 개선하기 위한 새로운 접근법을 제시한다. 장치의 주어진 기하학적 구조 및 고정된 전기적 특성에 적합한 메타물질 표면을 설계함으로써, RF 제품의 방사 필드들의 지향성 및 더 높은 이득을 갖도록 한다. 단일 패치에 대해 주기적 메타물질을 사용하는 다른 설계와 달리, 비주기적 메타표면은 2개의 패치를 처리할 수 있다. 24GHz-라디오 링크에서 더 높은 수신 신호 강도 및 더 긴 RF 경로에 대해, 비주기적 메타표면은 방사 필드들을 10 dB 향상시킨다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제14권5호
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• pp.215-221
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• 2014

본 논문에서는 RF 고전력 스트레스에 의한 SAW 디바이스의 신뢰성 분석을 위하여 향상된 내전력 시험시스템 및 시험방법을 제안하고 고장분석을 통해 고장메카니즘을 분석하였다. 광학현미경, SEM(Scanning Electron Microscope) 및 EDX(Energy Dispersive X-ray Spectro-scopy)장비를 이용하여 고장 분석한 결과, SAW 디바이스의 고장메카니즘은 고전류 밀도 및 고온 조건에서 줄열에 의한 Electromigration으로 분석하였다. Electromigration은 IDT전극에 void와 hillock을 생성하고, 그 결과로 전극이 단락과 단선되어 삽입손실이 증가하는 것이다. 제안된 내전력 시험시스템과 방법을 이용하여 450MHz CDMA용 SAW 필터의 가속수명시험을 수행하고, 아이링 모델과 와이블 분포를 이용하여 SAW 필터의 $B_{10}$수명은 98,500시간으로 추정하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권2호
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• pp.9-14
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• 2005

본 논문에서는bulk dynamic threshold voltage MOSFET(B-DTMOS)와 bulk MOSFET(B-MOS)에서 hot carrier 현상으로 인한 RF 성능 저하를 비교하였다. Normal 및 moderate 모드에서 B-DTMOS의 차단주파수 및 최소잡음지수의 열화가 B-MOS 소자 보다 심하지 않음을 알 수 있었다. 실험 견과로부터 hot carrier에 의한 RF 성능 저하가 DC 특성 열화 보다 심함을 알 수 있었다. 그리고 처음으로 hot carrier 현상으로 인한 B-DTMOS 소자의 RF 전력 특성 저하를 측정하였다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제44권2호
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• pp.1-7
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• 2007

CMOS 소자의 높은 주파수 특성의 증가로 인하여 높은 주파수 범위에서의 RF와 아날로그 회로 설계가 가능하게 되었다. RF와 아날로그 회로 설계는 실수와 허수의 쌓인 S-파라미터의 특성 분석으로 가능하다. 높은 성능을 활용한 CMOS 기술들은 신뢰도와 밀접한 관계가 있으며, 소자의 열화로 인한 S-파라미터의 변화가 소신호 모델 파라미터들에 미치는 영향을 정확하게 분석하는데 매우 중요하다. S-파라미터의 열화로 인한 다양한 물리적인 현상들 특히 트랜스컨덕턴스와 게이트 커패시턴스의 성능 저하를 자세히 분석하였다. 측정에 사용된 H-gate와 T-gate 소자의 S-파라미터를 0.5GHz에서 40GHz 주파수 범위에서 측정하였으며, 소자의 모든 내부와 외부 파라미터들은 포화영역인 하나의 전압 조건에서 추출하였다. 이 논문은 게이트 구조가 다른 소자에 스트레스를 인가하여 소신호 등가 모델을 추출하였으며, 파라미터들의 변화를 비교 분석한 것이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권12호
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• pp.1205-1214
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• 2013

최근 우주에서의 SAR(synthetic aperture radar) 시스템은 영상 해상도와 주파수가 높아지고 있다. 높은 품질의 영상 해상도 일수록 높은 대역폭이 요구되고 RF 구성을 사용하는 광대역 신호 발생기는 매우 복잡해지고 RF 소자의 불균형 성분이 증가한다. 그러므로 이러한 에러를 줄이고 성능을 개선하는것은 매우 중요하다. 본 연구에서, 광대역 신호 발생기의 송신 신호는 위상 잡음, 직교불균형, 비선형 증폭기의 에러 모델이 적용된다. 그리고 광대역 파형 발생기의 가능한 구조들을 정의하고 평가 방법으로 PSLR(peak side lobe ratio)과 ISLR(integrated side lobe ratio)을 측정하였다. 또한, 파형으로부터 진폭과 위상 에러를 추출하고 이차 다항식을 사용하여 비선형 소자에 따른 성능 변화를 검토 하였다. 마지막으로 고출력 증폭기의 비선형 에러를 보상하기 위한 사전왜곡방식을 적용하여 혼변조 성분에 의한 증폭기 출력의 왜곡이 15 dB 감소됨을 확인하였다.

• Journal of Communications and Networks
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• 제11권6호
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• pp.544-555
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• 2009

This work continues a trend of developments aimed at exploiting the physical layer of the open systems interconnection (OSI) model to enhance wireless network security. The goal is to augment activity occurring across other OSI layers and provide improved safeguards against unauthorized access. Relative to intrusion detection and anti-spoofing, this paper provides details for a proof-of-concept investigation involving "air monitor" applications where physical equipment constraints are not overly restrictive. In this case, RF fingerprinting is emerging as a viable security measure for providing device-specific identification (manufacturer, model, and/or serial number). RF fingerprint features can be extracted from various regions of collected bursts, the detection of which has been extensively researched. Given reliable burst detection, the near-term challenge is to find robust fingerprint features to improve device distinguishability. This is addressed here using wavelet domain (WD) RF fingerprinting based on dual-tree complex wavelet transform (DT-$\mathbb{C}WT$) features extracted from the non-transient preamble response of OFDM-based 802.11a signals. Intra-manufacturer classification performance is evaluated using four like-model Cisco devices with dissimilar serial numbers. WD fingerprinting effectiveness is demonstrated using Fisher-based multiple discriminant analysis (MDA) with maximum likelihood (ML) classification. The effects of varying channel SNR, burst detection error and dissimilar SNRs for MDA/ML training and classification are considered. Relative to time domain (TD) RF fingerprinting, WD fingerprinting with DT-$\mathbb{C}WT$ features emerged as the superior alternative for all scenarios at SNRs below 20 dB while achieving performance gains of up to 8 dB at 80% classification accuracy.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.209-209
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• 2007

Passive Device는 RF Circuit을 제작할 때 많은 면적을 차지하고 있으며 이를 감소시키기 위해 여러 연구가 진행되고 있다. 최근 SoP-L 공정을 이용한 많은 연구가 진행되고 있는데 PCB 제작에 이용되는 일반적인 재료와 공정을 그대로 이용함으로써 개발 비용과 시간 면에서 많은 장점을 가지기 때문이다. SoP-L의 또 하나 장점은 다층구조를 만들기가 용이하다는 점이다. 각 층 간에는 Via를 사용하여 연결하게 되는데, RF Circuit은 회로의 구조와 물성에 따라 특성이 결정되며, 그만큼 Via를 썼을 때 그 영향을 생각해야 한다. 본 연구에서는 multi-layer LCP substrate에 다수의 Via를 chain 구조로 형성하여 전기적 특성을 확인하였다. Via가 70um 두께의 substrate를 관통하면서 상층과 하층의 Conductor을 연속적으로 연결하게 된다. 이 구조의 Resistance와 Insertion Loss를 측정하여, Via의 크기 별 수율과 평균적인 Resistance, RF 계측기로 재현성을 확인하였다. 이를 바탕으로 공정에서의 안정성을 확보하고 Via의 크기와 도금방법에 의한 RF Circuit에서의 영향을 파악하여, 앞으로의 RF Device 개발에 도움이 될 것으로 기대한다. 특히 유기물을 이용한 다층구조의 고주파 RF Circuit에 Via를 적용할 때의 영향을 설계에서부터 고려할 수 있는 자료가 될 것이다.