• Korean Chemical Engineering Research
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• 제48권3호
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• pp.355-358
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• 2010

유도 결합 저온 플라즈마를 사용하여 폴리카보네이트 시료를 처리한 후 표면 특성 변화를 분석하였다. 표면 거칠기는 플라즈마 공정조건에 상관없이 표면 처리 후에 모두 증가하였으나, 산소 분위기에서 플라즈마 처리했을 때 가장 크게 증가하였다. 표면의 화학 결합 분석에서 플라즈마 처리 전 시료의 산소 함량이 산소 플라즈마 처리 후에 43% 증가하여 표면에 친수성 극성기의 형성이 촉진되었다. 공정 변수 중, 처리 시간에 따른 접촉각 변화는 산소 분위기에서 가장 낮은 접촉각 $9.17^{\circ}$을 얻을 수 있었고, 방전 전력의 증가는 같은 처리 시간에서 빠르게 접촉각의 감소를 보여 플라즈마 표면처리 시간을 단축시키는 효과를 주었다. 그러나 방전기체 유량의 증가에 대한 접촉각 변화에 대한 영향성이 크지 않았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권1호
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• pp.33-40
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• 2014

전기방사법(Electrospinning technique)을 이용하여 PVdF-HFP(Poly vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene) 멤브레인을 제조하고, 그 멤브레인 표면위에 DLC(Diamond-like carbon) 코팅공정을 적용하여 멤브레인의 표면변화 및 접촉각 변화를 조사하였다. Ar 플라즈마 처리시간 및 처리조건에 따라 PVdF-HFP 멤브레인 파이버 표면이 주름(wrinkles)형태로 변화 하였다. 이러한 Ar 플라즈마 처리가 된 PVdF-HFP 멤브레인은 초친수성(super-hydrophilic) 특성으로 변했지만, 초친수성 PVdF-HFP 멤브레인에 DLC 코팅공정을 적용하면 반대로 초소수성(super-hydrophobic) 특성으로 변화되었다. 이러한 특성을 가진 표면을 접촉각 측정과 XPS, FE-SEM 측정으로 분석하였다. 따라서 화학적 조성과 표면 형상에 의해 접촉각 특성을 가지는 것으로 확인하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 추계기술심포지움논문집
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• pp.73-77
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• 2002

n형 SiC를 이용한 오옴성 접합을 알아보고자 Cu/Si/Cu 형태의 접합실험을 실시하였다. 오옴성 접합의 형성을 위하여 Cu/Si/Cu를 증착 하고 열처리를 시행하였다. 열처리는 RTP를 이용한 진공상태의 2-step 방법으로 시행하였다. 접합에 계산을 위하여 TLM구조로, 면 저항(Rs), 접촉저항(Rc), 이동거리(L$_{T}$), 패드간거리(d), 저항(R$_{T}$)값을 구하면 접합비 저항(Pc) 값을 알 수 있다. 이로 인한 결과 값은 접촉저항 값은 2$\Omega$이었고, 이동간 거리는 1$\mu\textrm{m}$이었으며 접합비저항($\rho$c)=1.0x$10^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$ 값을 얻을 수 있었다. 물리적 변화를 AES 및 XRD를 이용하여 알아보았다. SiC 계면 상에 Cu의 변화로 인한 silicide형성이 이루어짐을 알 수 있었다.있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제29권5호
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• pp.345-349
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• 1996

The wetting property of polymer surfaces is very important for practical applications. Plasma source ion implantation technique was used to improve the wetting properties of polymer surfaces. Poly(ethylene terephtalate) and other polymer sheets were mounted on the target stage and an RF plasma was generated by means of an antenna located inside the vacuum chamber. High voltage pulses of up to -10kV, 10 $\mu$sec, and up to 1 kHz were applied to the stage. The samples were implanted for 5 minutes with using Ar, $N_2,O_2,CH_4,CF_4$ and their mixture as source gases. A contact angle meter was used to measure the water contact angles of the implanted samples and of the samples stored in ambient conditions after implantation. The modified surfaces were analysed with Time-Of-Flight Mass Spectrometer (TOF-SIMS) and Auger Electron Spectroscopy (AES). The oxygen-implanted samples showed extremely low water contact angles of $3^{\circ}C$ compared to $79^{\circ}C$ of unimplanted ones. Furthermore, the modified surfaces were relatively stable with respect to aging in ambient conditions, which is one of the major concerns of the other surface treatment techniques. From TOF-SIMS analysis it was found that oxygen-containing functional groups had been formed on the implanted surfaces. On the other hand, the $CF_4$-implanted samples turned out to be more hydro-phobic than unimplanted ones, giving water contact angles exceeding $100^{\circ}C$ . The experiment showed that plasma source ion implantation is a very promising technique for polymer surface modification especially for large area treatment.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권3호
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• pp.152-155
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• 2013

$TiO_2$ films were deposited on glass substrates with and without $O_2$ plasma etching by using the RF-magnetron sputtering method. We focused on the effect of surface structure on the photoinduced hydrophilic properties of $TiO_2$ films, fabricated on different surface conditions according to the presence or absence of the $O_2$ plasma treatment on glass substrates. The wettability and photoinduced hydrophilic properties of the $TiO_2$ films were investigated according to the changes in water contact angles under UV light irradiations with a very low intensity of 0.1 $mW/cm^2$. The photoinduced hydrophilic properties on the $TiO_2$ formed above the plasma treated glass were also superior to those on the $TiO_2$ formed above the bare glass. This enhanced $TiO_2$ film has been used practically for self cleaning and anti-fogging glasses.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2004년도 하계학술대회
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• pp.11-14
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• 2004

In this paper, a novel tunable bandpass filter using tunable series inductors and MEMS switches for wireless LAN applications was proposed. The proposed tunable filter was fabricated using a micromachining technology and performances of the fabricated filter were estimated. The filter consists of spiral inductors, MIM capacitors and direct-contact type MEMS switches, and its frequency tunability is achieved by changing the inductance that is induced by ON/OFF actuations of the MEMS switches. The actuation voltage of the MEMS switches was 58 V, and the measured center frequencies were 2.55 GHz and 5.1 GHz, respectively. The passband insertion loss and 3-dB bandwidth were 4.2 dB and 22.5 % at 2.55 GHz, and 5.2 dB and 23.5 % at 5.1 GHz, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.272-272
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• 2008

Diamond-like carbon (DLC) 박막은 높은 경도, 내 마모성, 화학적 안정성, 전기적 절연성, 높은 광 투과성을 가지고 있어, 공구강, 광학렌즈 및 플라스틱의 보호 코팅을 위해 응용되어진다. 하지만, DLC 박막은 높은 잔류응력으로 adhesion이 떨어진다는 단점이 있다. 따라서 본 연구에서는 전처리가 13.56MHz 150W RF플라즈마 화학기상 증착(RF-PECVD) 법을 통한 DLC 박막의 합성에 어떤 영향을 미치는지 알아보기 위해, $H_2$ (80 sccm), $O_2$ (10 sccm), $N_2$ (20 sccm)의 다른 가스를 사용하여 전처리를 하였다. DLC 박막 합성 후, 특성은 Raman, scratch test, contact angle 등의 측정을 통하여 분석되었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제3권1호
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• pp.1-12
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• 2003

This paper describes a study on the abnormal behavior of the electrical characteristics of the (n)GaAs/Ti/Pt/Au Schottky contacts prepared by the two techniques of electron beam deposition and rf sputtering and after an annealing treatment. The samples were characterized by I-V and C-V measurements carried out over the temperature range of 150 - 350 K both in the as prepared state and after a 300 C, 30 min. anneal step. The variation of ideality factor with forward bias, the variation of ideality factor and barrier height with temperature and the difference between the capacitance barrier and current barrier show the presence of a thin interfacial oxide layer along with barrier height inhomogenieties at the metal/semiconductor interface. This barrier height inhomogeneity model also explains the lower barrier height for the sputtered samples to be due to the presence of low barrier height patches produced because of high plasma energy. After the annealing step the contacts prepared by electron beam have the highest typical current barrier height of 0.85 eV and capacitance barrier height of 0.86 eV whereas those prepared by sputtering (at the highest power studied) have the lowest typical current barrier height of 0.67 eV and capacitance barrier height of 0.78 eV.

• 한국표면공학회지
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• 제44권6호
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• pp.250-254
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• 2011

NiO-AZO films were deposited on glass substrate by DC and RF magnetron co-sputtering system in pure $O_2$ gas without substrate heating during deposition. In order to control the chemical composition of the film, NiO target was supplied with constant RF power of 150 W and AZO target (doped with 2.98 at% aluminum) with DC power varied between 40 W to 80 W. Deposited NiO-AZO films were evaluated by structural and chemical analysis. With introducing AZO, XRD and XPS data reveal that NiO were supplied with more oxygen. these results could be strongly affected by the higher bond enthalpy of NiO compared to ZnO, which makes it possible for NiO to obtain excessive oxygen from ZnO.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.341-341
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• 2011

초발수 표면은 자가세정, 부식방지, 방오특성의 특징을 가진다. 이러한 특성은 오염성이 높은 건물외장재 및 자동차유리, 태양전지 모듈유리, 디스플레이등 적용분야가 매우 다양하며, 코팅 방법으로 sol-gel, CVD, PVD등의 여러 가지 방법으로 많은 연구가 보고 되고 있다. 초발수 표면을 제작하는 대표적인 방법으로 PTFE와 같은 낮은 표면에너지를 가지는 물질을 증착하는 방법이 많이 사용되고 있으나, 초발수 표면에 가까운 접촉각을 구현하기에는 한계가 있다. 본 연구에서는 여러 가지 기판(Al, Cu, Sus, glass)에 추가적으로 표면 미세요철구조를 만들어 특성을 분석 하였다. 표면의 미세구조는 기판을 산에 Etching 하는 방법으로 Sample을 준비 하였다. 준비된 기판에 RF-Magnetron Sputtering 방법을 이용하여 PTFE를 증착하여 특성을 분석 하였다. 표면과 물방울이 이루는 각도를 알아보기 위해 Contact Angle을 측정한 결과 Glass와 Sus 기판을 제외한 Al과 Cu기판에서 약 150도에 이르는 초발수 특성을 보였으며, 이러한 표면형상을 관찰하기 위해서 SEM 측정을 해본 결과 표면의 미세요철구조가 확인 되었으며, AFM 측정결과 표면의 미세요철의 거칠기가 Etching공정을 통해 증가 된 것을 확인할 수 있었으며, Etching후 Al과 Cu는 수 nm ~ mm의 거칠기를 보였으며, 거칠기가 증가하여 접촉각의 향상에 기여 하였으리라 생각된다. XPS 측정결과 낮은 표면에너지를 가지는 CF2와 CF3 피크가 보이는 것으로 보아 표면에너지가 낮아져 접촉각이 높아졌으리라 사료 된다.