• 제목/요약/키워드: RF Noise

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Analytical Noise Parameter Model of Short-Channel RF MOSFETs

  • Jeon, Jong-Wook;Park, Byung-Gook;Lee, Jong-Duk;Shin, Hyung-Cheol
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제7권2호
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    • pp.88-93
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    • 2007
  • In this paper, a simple and improved noise parameter model of RF MOSFETs is developed and verified. Based on the analytical model of channel thermal noise, closed form expressions for four noise parameters are developed from proposed equivalent small signal circuit. The modeling results show a excellent agreement with the measured data of $0.13{\mu}m$ CMOS devices.

단채널 MOSFET의 열잡음 모델링을 위한 잡음 파라메터의 분석과 추출방법 (Analysis and extraction method of noise parameters for short channel MOSFET thermal noise modeling)

  • 김규철
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권12호
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    • pp.2655-2661
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    • 2009
  • 단채널 MOSFET의 열잡음 모델링을 위한 정밀한 잡음 파라메터를 유도하고 추출했다. MOSFET의 잡음 파라메터를 계산하기 위한 Fukui모델을 단채널에서의 기생성분의 영향을 고려하여 수정하였고, 기존의 모델식과 비교하였다. 또한 소자 고유의 잡음원을 얻기 위해서 서브마이크론 MOSFET의 잡음 파라메터(최소잡음지수 $F_{min}$, 등가잡음 저항 $R_n$, 최적 소스어드미턴스 $Y_{opt}=G_{opt}+B_{opt}$)를 추출하는 방법을 제시하였다. 이러한 추출방법을 통하여 프로브패드의 영향과 외부기생소자 영향을 제거한 MOSFET 고유의 잡음 파라메터가 RF잡음측정으로부터 직접 얻어지게 된다.

W-CDMA 수신기 RF System 설계 및 부품 성능 분석 (Design And Component Performance Analysis of RF System for W-CDMA Receiver)

  • 지만구;이규헌;김학선
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(1)
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    • pp.197-200
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    • 2000
  • In this paper, The RF system of W-CDMA receiver is designed and the performance is analyzed. The linearity characteristic and the noise characteristic are presented in the performance. The linearity characteristic is analyzed by PN and IIP3. The noise characteristic is analyzed by NF. In addition, sweeping of the nonlinear components parameter affecting the linear performance is tested and the most maximal possible parameter to maintain the linear performance is introduced. The transceiver RF system of W-CDMA and cdma2000 is designed and presented adapting the nonlinear parameter introduced.

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Interference and noise analysis for hybrid FSO/RF-based 6G mobile backhaul

  • Soyinka Nath;Shree Prakash Singh;Sujata Sengar
    • ETRI Journal
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    • 제44권6호
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    • pp.966-976
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    • 2022
  • Optical wireless communication, or free space optics, is a promising solution for backhauls in sixth-generation mobile systems. However, the susceptibility of optical links to weather conditions has led to FSO links being furnished with radio frequency (RF) backups. These Hybrid FSO/RF systems provide enhanced link availability but lead to RF resource wastage. Cognitive radio technology, in contrast, is well known for its optimal use of RF resources and may be combined with an FSO link to create a Cognitive Hybrid FSO/RF system. This work uses such a system to analyze a configuration for a mobile backhaul in sixth-generation mobile systems. This configuration can seamlessly coexist with established large scale RF cellular networks. The performance of this configuration is analyzed with respect to outage probability and average bit error by considering the impact of optical channel turbulence, misalignment loss, RF interference, and noise. Mathematical closed-form expressions are verified by simulations.

RF 방사 신호로 인한 특정 주파수 수신 잡음 현상의 원인분석 및 개선 (Analysis and Improvement Specific Frequency Reception Noise Phenomena Due to RF Radiation Signal)

  • 권정혁;김종민;이왕상
    • 항공우주시스템공학회지
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    • 제16권3호
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    • pp.73-83
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    • 2022
  • 본 논문에서는 항공기 운영 중에 RF 방사 신호로 인하여 발생한 특정 주파수 대역 대의 수신 잡음에 대한 개선 방안을 연구하였다. 항공기의 통신장비는 내/외부통신의 기능을 담당하기에 비행 임무 수행과 안전에 있어서 매우 중요하다. 잡음이 없고 깨끗한 통신 품질과 송/수신 기능이 구현되어야 한다. 따라서 특정 주파수 대역 대의 수신 잡음 현상을 고장탐구를 통해 원인분석을 하였다. 항공기 내부의 특정 보조시스템 장비에서 발산되는 RF 방사 신호로 인해 발생한 수신 잡음을 무전해 니켈 도금이 적용된 CAP으로 차폐하여 개선하였다. 또한, 개선 방안에 대한 측정 및 검증 결과도 함께 기술하였다.

A New Automatic Compensation Network for System-on-Chip Transceivers

  • Ryu, Jee-Youl;Noh, Seok-Ho
    • ETRI Journal
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    • 제29권3호
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    • pp.371-380
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    • 2007
  • This paper proposes a new automatic compensation network (ACN) for a system-on-chip (SoC) transceiver. We built a 5 GHz low noise amplifier (LNA) with an on-chip ACN using 0.18 ${\mu}m$ SiGe technology. This network is extremely useful for today's radio frequency (RF) integrated circuit devices in a complete RF transceiver environment. The network comprises an RF design-for-testability (DFT) circuit, capacitor mirror banks, and a digital signal processor. The RF DFT circuit consists of a test amplifier and RF peak detectors. The RF DFT circuit helps the network to provide DC output voltages, which makes the compensation network automatic. The proposed technique utilizes output DC voltage measurements and these measured values are translated into the LNA specifications such as input impedance, gain, and noise figure using the developed mathematical equations. The ACN automatically adjusts the performance of the 5 GHz LNA with the processor in the SoC transceiver when the LNA goes out of the normal range of operation. The ACN compensates abnormal operation due to unusual thermal variation or unusual process variation. The ACN is simple, inexpensive and suitable for a complete RF transceiver environment.

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Ka-대역 UHD 위성방송용 저 잡음 하향변환기의 선형성 분석 (The Linearity Analysis of Low Noise Down-Converter for Ka-band UHD Satellite-broadcasting)

  • 목광윤;이영철
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제12권2호
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    • pp.267-272
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    • 2017
  • 본 논문에서는 20GHz 이상의 Ka-대역 위성링크에서 대기 중의 감쇠가 심하므로 높은 품질의 영상신호를 수신하기 위하여 최저 잡음지수를 나타내는 하향변환기의 RF-전단부를 제시하였다. 또한 RF-전단부의 CDR, SFDR 및 OIP3을 버짓 분석에 의하여 높은 동적영역을 나타내는 파라미터 값과 선형성을 분석하였다. 설계된 Ka-대역 하향변환기의 전체이득은 61.8dB, 잡음지수는 1.05dB로 매우 우수한 특성 나타내었으며, 설계 제작된 하향변환기는 우수한 선형성을 요구하는 UHD 급의 고화질 영상전송용 Ka-대역 위성방송 하향변환기에 적용할 수 있다.

L1/L5 밴드 GPS/Galileo 수신기를 위한 $0.13{\mu}m$ 3.6/4.8 mW CMOS RF 수신 회로 (A 3.6/4.8 mW L1/L5 Dual-band RF Front-end for GPS/Galileo Receiver in $0.13{\mu}m$ CMOS Technology)

  • 이형수;조상현;고진호;남일구
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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    • pp.421-422
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    • 2008
  • In this paper, CMOS RF front-end circuits for an L1/L5 dual-band global positioning system (GPS)/Galileo receiver are designed in $0.13\;{\mu}m$ CMOS technology. The RF front-end circuits are composed of an RF single-to-differential low noise amplifier, an RF polyphase filter, two down-conversion mixers, two transimpedance amplifiers, a IF polyphase filter, four de-coupling capacitors. The CMOS RF front-end circuits provide gains of 43 dB and 44 dB, noise figures of 4 dB and 3 dB and consume 3.6 mW and 4.8 mW from 1.2 V supply voltage for L1 and L5, respectively.

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