• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.470.2-470.2
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• 2014

RF-PECVD 장치에 의해 증착된 실리콘 질화막(SiNx)은 결정질 실리콘 태양전지에서 반사 방지막 효과 및 우수한 표면 패시베이션 특성을 제공하는 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 실리콘 질화막의 패시베이션 특성을 향상시키기 위해서 공정온도를 $400^{\circ}C$로 고정하고 공정압력, 가스비, RF (radio frequency) power를 가변하였다. 이 때의 실리콘 질화막의 굴절률 및 두께는 각각 2.0, 80 nm로 증착하여 그에 따른 특성에 대해 분석하였다. 공정 압력이 감소할수록 실리콘 질화막이 증착된 결정질 실리콘 태양전지의 유효 반송자 수명이 증가함을 보였고, 반면에 증착속도는 감소하였다. 또한 RF-power 500 W에서 실리콘 질화막이 증착된 결정질 실리콘 태양전지의 유효 반송자 수명이 상대적으로 높았으며 출력이 올라갈수록 증착속도가 증가하였다. 결과적으로 결정질 실리콘 태양전지에 증착한 실리콘 질화막은 0.8torr 공정 압력과 RF-power 500 W에서 $38.8{\mu}s$로 가장 좋은 유효 반송자 수명을 확인하였다. 위의 결과를 바탕으로 결정질 실리콘 태양전지를 제작하였고 향상된 패시베이션 특성을 갖는 실리콘 질화막의 조건을 찾기 위해서 개방전압(open circuit voltage)을 비교하였다. 공정압력 0.8 torr, RF-power 500 W에서 가장 높은 결과를 보였으며 이는 유효 반송자 수명과 유사한 결과를 나타냈다. 하지만 낮은 FF (fill factor)로 인해 변환 효율이 낮은 결과를 보였다. 태양전지 제작시 낮은 fill factor를 보인 이유와 위의 단점을 보완하기 위해 추가 실험을 수행하였으며, 개선된 fill factor를 통해 18.3% 효율의 태양전지를 제작하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.11 no.4
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• pp.808-814
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• 2007

In this paper, the measurement system of crane moving range is concerned with range recognition technology using phase and magnitude of radio wave. By the proposed technology, we design the radio transmitter and receiver and realize the measurement system, and save the data in disk that is earned from 900Mhz RF signal, middle frequency 450khz of analog signal. As a result of RF measurement, we got 9.3 dBm of RF output and 96 dBc@10khz of phase noise. Range information is earned the data through digital signal processing of IF signal. For the estimation of range measured, we analyze the difference between real range and measurement range, and also suggest the method to remove the measurement error using average processing and amplitude properties. A result is 0.12 and 0.00422 deviation in l0mn-30m and within 5m respectively, and then 2.4E-04 deviation in 4m by using compensation of level characteristics lately.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.188-188
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• 2009

ZIO 박막은 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 기판 가열 없이 상온에서 non-alkali 유리 기판 위에 증착하였다. RF/(DC+RF) 비율은 0%에서 100%까지 25% 비율로 증가시키면서 전체 파워는 80W로 유지하였다. 100%의 RF/(DC+RF) 비율에 의해 증착된 ZIO 박막에서 $1.28{\times}10^{-3}{\Omega}cm$의 가장 낮은 비저항을 나타내었으며, 이것은 캐리어 농도의 증가에 기인되어진다고 생각된다. 한편, 결정성은 50%의 RF/(DC+RF) 비율로 증착된 ZIO 박막에서 가장 우수하였다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.15 no.4
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• pp.36-40
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• 2016

The 2 wt.% Al-doped ZnO(AZO) thin films were fabricated on PET substrates with various RF power 20, 35, 50, 65, and 80W by using RF magnetron sputtering in order to investigate the structure, electrical and optical properties of AZO thin films in this study. The XRD measurements showed that AZO films exhibit c-axis orientation. At a RF power of 80W, the AZO films showed the highest (002) diffraction peak with a FWHM of 0.42. At a RF power of 65W, the lowest electrical resistivity was about $1.64{\times}[10]$ ^(-4) ${\Omega}-cm$ and the average transmittance of all films including substrates was over 80% in visible range. Good transparence and conducting properties were obtained due to RF power control. The obtained results indicate that it is acceptable for applications as transparent conductive electrodes.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.15 no.3
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• pp.57-61
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• 2016

We have studied the structural, optical and electrical properties of IGZO thin films. The IGZO thin films were deposited on the silicon wafer by RF magnetron sputtering method. The RF power in sputtering process was varied as 15W, 30W, 45W, 60W, 75W, respectively. All of the thin films transmittance in the visible range was above 85%. XRD analysis showed that amorphous structure of the thin films without any peak. The Hall measurements in the low RF power is the high mobility above $10cm^2/V{\cdot}s$ and the low resistvity are obtained in the IGZO thin films.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.10a
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• pp.1053-1056
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• 1998

Package strutures for RF circuit design are characterized and their equivalent circuitsare developed. The circuit parameters are extracted by using the commercial 3-dimensional field solver. The circuit models are verified by using the full-wave analysis in the RF region. It is demonstarted with the developed circuit models that the packages have substantial effects on the RF circuit performances.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.26 no.4
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• pp.79-89
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• 2011

본 문서에서는 RF 에너지 전송기술의 동향을 살펴보고, 분석된 내용을 바탕으로 국가적인 차원에서 RF 에너지 전송기술을 어떠한 방향으로 이끌어 가야 하는지에 대해 기술하고자 한다. 국가가 반드시 수행해야 할 기반원천기술, 산업적 특성에 따른 신시장 혹은 신기술 구현을 위한 실용원천기술 개발분야를 살펴볼 것이다. 또한 기존 자기공명방식에 대한 한계를 분석하여 한계를 극복하기 위한 핵심원천기술을 서술하였다. 마지막으로 RF 에너지 전송산업이 국내에 잘 정착하기 위한 선도전파정책을 구현하기 위한 연구분야에 대하여 살펴보고자 한다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2005.12a
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• pp.94-96
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• 2005

포항방사광가속기의 전자빔수명을 연장하기 위한 3차 하모닉 초전도 RF 공동기를 개발하고 있다. 저장링 빔물리 계산에 따르면 3차 하모닉 초전도 RF 공동기를 설치할 경우 점자빔의 수명이 약2.3배 증가하는 것으로 나타났다. 또 이 공동기를 설치할 경우 란다우 (Landau) 감쇄 (damping)에 의한 빔의 안정화도 개선되는 효과가 있다. 본 논문은 이것을 실현하기 위한 초전도 RF 공동기의 전자기장 분포와 고차원 전자장 계산을 통하여 최적의 공동기의 모양 결정과 설계 특성에 대한 것을 보고 하고자 한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.22 no.1
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• pp.91-99
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• 2018

This paper has proposed a low-noise and high-linear RF receiver supporting TV white space from 470 MHz to 698 MHz), which is implemented in $0.13-{\mu}m$ CMOS technology. It consists of a low-noise amplifier, a RF band-pass filter, a RF amplifier, a passive down-conversion mixer, and a channel-selection low-pass filter. A low-noise amplifier and RF amplifier provide a high voltage gain to improve the sensitivity level. To suppress strong and nearby interferers, two RF filtering schemes have been performed by using a RF BPF and a down-conversion mixer. The proposed LPF has been based on the common-gate topology and adopted a bi-quad cell to achieve -24dB/oct characteristics. In addition, the RF receiver can support the overall TV band by controlling a LO frequency. The simulated results show a voltage gain of 56 dB, a noise figure of less than 2 dB, and an out-of-channel IIP3 of -2.3 dBm. It consumes 37 mA from a 1.5 V supply voltage.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.18 no.5
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• pp.223-228
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• 2018

In this paper the water sensor using a coaxial cavity resonator is designed and manufactured. The water sensor which can sense water drop linearly has been constructed with voltage controlled oscillator(VCO), coaxial cavity resonator, RF switch, RF detector, A/D converter, DAC and micro controller. The operating frequency range of the designed water sensor is from 2.5GHz to 3.2GHz and the input voltage and current source are 24[V/DC] and 1[A]. The designed sensor circuit includes VCO, RF switch, RF detector which varies the frequency characteristics of the devices in the high frequency of 3GHz. And so we should correct the error of the frequency characteristics of those devices in the sensor circuit. To do this, we make the reference path which switches the signals to the RF detector directly without sending it to the resonator. According to the result of simulation and measurement, we can see that there is 0-50MHz difference between simulated resonator frequency and manufactured resonator frequency.