• 제목/요약/키워드: RF 센서

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UHF RFID 시스템으로부터의 저전력 RF 에너지 하베스팅 (Low Power RF Energy Harvesting from the UHF RFID System)

  • 박정흠
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제23권1호
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    • pp.182-187
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    • 2009
  • 본 논문에서는 에너지 하베스팅의 일환으로 상용의 RFID시스템의 리더 안테나에서 방사되는 RF에너지를 활용하여 무선센서노드의 전원부를 구성하고자 하였다. 이를 위해 렉테나(Rectenna)를 구성하고 효율이 높은 부스트 컨버터를 구성하여 RF전력으로부터 배터리를 충전할 수 있는 DC전력을 얻도록 하였다. RFID 안테나로부터 1.2[W] RF출력 시, 구현된 렉테나로 1[m]거리에서 3.1[mW], 5.5[m]에서 1[mW]정도의 전력을 얻을 수 있었다. 배터리와 연결 시 변환효율을 높이기 위한 부스트 컨버터의 특성은 4[m]거리에서 변환효율 79.3[%], 실제 변환되어 배터리를 충전할 수 있는 전력은 1.36[mW]를 얻을 수 있었으며, 이 값은 무선센서노드로 응용이 가능한 값이다.

a-SiNx:H 박막의 제조 및 특성 (Fabrication and Characteristics of a-SiNx:H Thin Films)

  • 박욱동;김영진;김기완
    • 센서학회지
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    • 제4권2호
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    • pp.58-63
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    • 1995
  • $SiH_{4}$$NH_{3}$의 RF 글로우방전 분해에 의한 PECVD법으로 a-SiNx:H박막을 제조하고 기판온도, RF 전력, 그리고 $NH_{3}/SiH_{4}$ 유량비 등의 변화에 따른 a-SiNx:H 박막의 유전상수와 광학적 밴드갭 등을 조사하였다. a-SiNx:H막의 유전상수와 광학적 밴드갭은 기판온도, RF 전력 및 $NH_{3}/SiH_{4}$ 유량비 등의 증착변수에 따라 크게 변화하였다. 기판온도가 증가할수록 a-SiNx:H막의 유전상수는 증가하였으며 광학적 밴드갭은 감소하였다. 기판온도, RF 전력, 가스압력, $NH_{3}/SiH_{4}$ 유량비 및 두께를 각각 $250^{\circ}C$, 20 W, 500 mTorr, 10 및 $1500\;{\AA}$로 하였을 때 a-SiNx:H막의 유전상수, 절연파괴전장 및 광학적 밴드갭은 각각 4.3, 1 MV/cm 및 2.9 eV로 나타났다.

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USN 센서노드용 5.0GHz 광대역 RF 주파수합성기의 구현 (Implementation of 5.0GHz Wide Band RF Frequency Synthesizer for USN Sensor Nodes)

  • 강호용;김세한;표철식;채상훈
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제48권4호
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    • pp.32-38
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    • 2011
  • IEEE802.15.4 체계의 USN 센서노드 무선통신부에 내장하기 위한 5.0GHz 광대역 RF 주파수 합성기를 0.18${\mu}m$ 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 제작하였다. 고속 저잡음 특성을 얻기 위하여 VCO, 프리스케일러, 1/N 분주기, ${\Sigma}-{\Delta}$ 모듈레이터 분수형 분주기, PLL 공통 회로 등의 설계 최적화에 중점을 두고 설계하였으며, 특히 VCO는 N-P MOS 코어 구조 및 12단 캡 뱅크를 적용하여 고속 및 광대역 튜닝 범위를 동시에 확보하였다. 설계된 칩의 크기는 $1.1{\times}0.7mm^2$이며, IP로 활용하기 위한 코어 부분의 크기는 $1.0{\times}0.4mm^2$이다. 주파수합성기를 제작한 다음 측을 통하여 분석해 본 결과 발진 범위 및 주파수 특성이 양호하게 나타났다.

USN 센서노드용 1.9GHz RF 주파수합성기의 구현 (Implementation of 1.9GHz RF Frequency Synthesizer for USN Sensor Nodes)

  • 강호용;김내수;채상훈
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권5호
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    • pp.49-54
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    • 2009
  • USN 센서노드 무선통신부에 내장하기 위한 1.9GHz RF 주파수 합성기를 $0.18{\mu}m$ 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 구현하였다. 고속 저잡음 특성을 얻기 위하여 VCO, 프리스케일러, 1/N 분주기, ${\Sigma }-{\Delta}$ 모듈레이터 분수형 분주기, PLL 공통 회로 등의 설계 최적화에 중점을 두고 설계하였으며, 특히 VCO는 N-P MOS 코어 구조 및 캡 뱅크를 적용하여 고속 저전력 및 넓은 튜닝 범위를 확보하였다. 설계된 칩의 크기는 $1.2{\times}0.7mm^2$이며, IP로 활용하기 위한 코어 부분의 크기는 $1.1{\times}0.4mm^2$이다. 측정 결과 PLL 회로의 잡음 면에서도 문제가 될 만한 특정 스퍼는 발생하지 않았으며, 6MHz 기본 스퍼에 해당하는 잡음은 -63.06dB로 나타났다. 위상잡음 특성은 1MHz 오프셋에서 -116.17dBc/Hz로서 양호한 특성을 보였다.

USN 센서노드용 50GHz 광대역 RF 주파수합성기의 설계 (Design of 5.0GHz Wide Band RF Frequency Synthesizer for USN Sensor Nodes)

  • 강호용;김내수;채상훈
    • 전자공학회논문지CI
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    • 제45권6호
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    • pp.87-93
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    • 2008
  • IEEE802.15.4 체계의 USN 센서노드 무선통신부에 내장하기 위한 5.0GHz 광대역 RF 주파수 합성기를 $0.18{\mu}m$ 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 설계하였다. 고속 저잡음 특성을 얻기 위하여 VCO, 프리스케일러, 1/N 분주기, ${\Sigma}-{\Delta}$ 모듈레이터 분수형 분주기, PLL 공통 회로 등의 설계 최적화에 중점을 두고 설계하였으며, 특히 VCO는 N-P MOS 코어 구조 및 12단 캡 뱅크를 적용하여 고속 저전력 및 광대역 튜닝 범위를 확보하였다. 설계된 칩의 크기는 $1.1*0.7mm^2$이며, IP로 활용하기 위한 코어 부분의 크기는 $1.0*0.4mm^2$이다. 2가지 종류의 주파수합성기를 설계한 다음 모의실험을 통하여 비교 분석해 본 결과 일부 특성만 개선한다면 IP로써 사용하는데 문제가 없을 것으로 나타났다.

실내환경에서 무선 센서 네트워크구축을 위한 패킷 전송성능평가 (Analysis of Packet Transmission Performance for Construction of Wireless Sensor Networks in Indoor Environment)

  • 이좌형;정인범
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권9호
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    • pp.1941-1946
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    • 2009
  • 무선 센서 네트워크는 사람을 대신해 다양한 환경에서 감시와 정보수집 역할을 수행한다. 센서네트워크는 제한된 하드웨어 자원과 낮은 무선 네트워크 대역폭을 사용한다. 이러한 특성은 통신 중 높은 에러율을 발생시키며 데이터 신뢰도 향상을 위한 오류정정 기법의 필요성이 높다. 센서노드의 환경에 따른 CRC 에러와 패턴에 대한 연구는 오류정정 기법의 적절한 기법 선택을 위한 자료가 된다. 본 논문에서는 실내환경에서 시스템 구성시 데이터 전송률에 영향을 미치는 전송주기와 센서 노드간의 거리, 전송 패킷의 크기, RF의 크기에 대한 실험을 실시한다. 실험한 결과를 바탕으로 시스템 구성에서 고려해야 하는 요소를 알아본다.

The Design and Modeling of a Reconfigurable Inset-Fed Microstrip Patch High Gain Antenna for Wireless Sensor Networks

  • Phan, Duy-Thach;Chung, Gwiy-Sang
    • 센서학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.145-150
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    • 2011
  • In this paper, we designed a tunable microstrip patch antenna using RF MEMS switches. The design and simulation of the antenna were performed using a high frequency structure simulator(HFSS). The antenna was designed for use in the ISM band and either operates at 2.4 GHz or 5.7 GHz achieving -10 dB return-loss bandwidths of 20 MHz and 180 MHz, respectively. In order to obtain high efficiency and improve the ease of integration, a high resistivity silicon(HRS) wafer on a glass substrate was used for the antenna. The antenna achieved high gains: 8 dB at 5.7 GHz and 1 dB at 2.4 GHz. The RF MEMS DC contact switches were simulated and analyzed using ANSYS software.

고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 제작한 ITO 박막의 표면 형태 및 전기적 특성 (Surface morphology and electrical properties of ITO thin films fabricated by RF magnetron sputtering method)

  • 권성열
    • 센서학회지
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    • 제15권1호
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    • pp.71-75
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    • 2006
  • ITO (Indium Tin Oxide) thin films have been fabricated by rf magnetron sputtering with a target of a mixture $In_{2}O_{3]$(90 wt%) and $SnO_{2}$ (10 wt%). ITO films were sputtered with substrate temperature from 30 to $300^{\circ}C$ and working pressure from 1 to under 0.1 m Torr. ITO thin films surface morphology and electrical properties analyzed by SEM Photographs, and X-ray diffractions patterns. The resistivity of ITO thin films was $1.8{\times}10^{-5}{\Omega}/cm$.

A Single-Pole, Eight-Throw, Radio-Frequency, MicroElectroMechanical Systems Switch for Multi-Band / Multi-Mode Front-End Module

  • Kang, Sung-Chan;Kim, Hyeon-Cheol;Chun, Kuk-Jin
    • 센서학회지
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    • 제20권2호
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    • pp.77-81
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    • 2011
  • This paper presents a single-pole eight-throw(SP8T) switch based on proposed a radio-frequency(RF) microelectromechanical systems (MEMS) switches. The proposed switch was driven by a double stop(DS) comb drive, with a lateral resistive contact. Additionally, the proposed switch was designed to have tapered signal line and bi-directionally actuated. A forward actuation connects between signal lines and contact part, and the output becomes on-state. A reverse actuation connects between ground lines and contact part, and the output becomes off-state. The SP8T switch of 3-stage tree topology was developed based on an arrangement of the proposed RF MEMS switches. The developed SP8T switch had an actuation voltage of 12 V, an insertion loss of 1.3 dB, a return loss of 15.1 dB, and an isolation of 31.4 dB at 6 GHz.

무선 센서 네트워크에서 침입 탐지 시스템 (Intrusion Detection System for Wireless Sensor Networks)

  • 이우식;김현종;김남기
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2009년도 춘계학술발표대회
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    • pp.1065-1068
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    • 2009
  • 유비쿼터스(Ubiquitous) 시대의 도래와 함께 무선 센서 네트워크기반 연구가 다방면에서 활발히 진행되고 있다. 또한 센서 네트워크를 이용한 산업이 활발하다. 본 논문에서는 유비쿼터스 시대에 걸맞게 센서 네트워크 기술을 이용한 침입 탐지 시스템을 제안하고, 이를 구현하였다. 이에 MICAz모트를 이용하여 설계하였으며 조도, 가속도센서와 RF신호를 이용하였다.