최근 대두되고 있는 무선 센서네트워크는 지상뿐만 아니라 해양에서도 필요성이 점차 커지고 있다. 해양에서의 무선통신을 하기 위해서는 지상에서 사용하는 RF와 같이 높은 주파수를 사용할 수 없기 때문에 낮은 주파수 대역을 사용하여야 한다. 따라서 본 논문에서는 낮은 주파수 대역을 사용하는 초음파를 센서노드에 장착하고 이들 센서 노드들의 통신 수행을 위하여 수중통신모듈을 설계 및 구현하였다. 그리고 실험을 통하여 텍스트 기반의 통신이 성공하였음을 확인할 수 있었다. 본 논문에서 구현된 수중통신 모듈은 추후 해양 센서네트워크 서비스를 위한 해양 센서노드 제작에 기반이 될 것이다.
주위 환경에서 사물과 컴퓨터간이나 사물과 사물간의 통신은 고급화된 서비스를 지원하기 위하여 절대적으로 필요한 요소가 되었다. 본 논문에서는 작은 공간에서 다양한 서비스를 제공하기 위한 방법으로 센서노드들을 제작하고, 이들이 제공하는 정보를 수집하고 센서노드들을 제어하고 관리하는 제어용 단말기를 Strong-Arm을 이용하여 제작하였다. 이 단말기를 주축으로 작은 센서노드들을 연결하는 성형 네트워크를 구성하였다. 단말기와 센서노드들간의 통신은 RF무선을 사용하였으며, 폴링기반의 통신 방법을 제안하였다. 본 논문에서 제안된 통신 방법은 8초이내에 256개의 센서 노드들과 정보를 주고 받을 수 있으므로, 거실이나 오피스 규모의 작은 공간에서 다양한 서비스를 제공하는데 적합할 것이다.
본 논문에서는 논리 설계를 위해서 I-ROB 3000이라는 로봇 키트를 사용하여 논리 설계를 검증하였다. 이 검증에는 iRoV-Lab 3000의 장착된 로봇 모듈인 FPA 모듈,Stepper Motor 모듈,적외선 송수신센서 모듈, 카메라 모듈,RF 모듈 LED,TEXT LCD, 7-segment를 제어하기 위한 FPGA를 사용하며,FPGA설계를 위해 Schematic Design 또는HDL에 대해 연구한다.로봇 설계 시스템의 내부구조를 이해하고 개발환경을 구축할수 있다. 로봇의 구성요소와 각각의 구성요소(Sensor 모듈,display 모듈, Stepper Motor 모듈,RF 모듈)의 동작 원리를 개발한다.
본 논문에서는 SoC 키트에 해당하는 iRoV-Lab 3000의 장착된 로봇 모듈인 FPA 모듈, Stepper Motor 모듈, 적외선 송수신 센서 모듈, 카메라 모듈, RF 모듈 LED, TEXT LCD, 7-segment를 제어하기 위한 FPGA를 사용하며, FPGA설계를 위해 Schematic Design 또는 HDL에 대해 연구한다. FPGA의 내부구조를 이해하고 개발환경을 구축할 수 있다. 로봇의 구성요소와 각각의 구성요소(Sensor 모듈, display 모듈, Stepper Motor 모듈, RF 모듈)의 동작 원리를 개발한다.
링 레이저 자이로스코프는 회전각을 검출하는 센서로서 광학식이 가지는 정밀함과 견고성으로 관성항법을 비롯한 운동 제어를 필요로 하는 여러 분야에서 기존의 기계식 자이로스코프를 대체해 오고 있다. 링 레이저 자이로는 세 개 또는 네 개의 반사경으로 밀폐된 고리형 공진기를 구성하고 He-Ne 기체를 봉입하여 방전시킴으로써 서로 반대 방향으로 진행하는 레이저를 동시에 발진시키면 Sagnac 효과에 의해 공진기의 회전각에 비례하여 두 레이저의 주파수 차이가 발생하는 원리를 이용한다. (중략)
본 논문에서는 무선 센서 노드의 실내 위치 추적 시스템을 제안한다. 위치 추정에 사용하는 센서 값으로 RF 인터페이스의 수신 신호 강도 (RSSI)를 사용한다. 이동 노드를 부착한 사용자와 실내에 고정된 다수의 고정 노드의 신호 강도를 수신하여 사용자의 위치를 결정한다. 제안한 시스템은 측정에 의한 2.4GHz log-normal path loss 모델의 수신강도와 유클리드 거리 계산 방법과 신호 강도를 결합한다. 실험결과를 통해서 1.3m 이내의 오차로 위치를 추정함을 확인하였다.
본 논문은 BJT 소자의 온도 특성에 의해 생성되는 전류를 활용하여 ADC 와 함께 센서의 정보를 변환하는 과정에서 필요한 참조 전압(Reference Voltage)과 온도센서 전압을 하나의 증폭기에서 생성하고자 하는 목적에 따라 설계하는 회로를 제안한다. 이와 함께 회로의 표준 편차를 줄이기 위한 두개의 컨트롤 방식이 추가되어 10 배 이상의 표준 편차를 감소시키는 결과를 얻게 된다. 제안하는 회로의 면적은 0.057mm2 이며 55nm RF 공정을 활용하였다.
철골공사는 고소에서 작업을 하며 많은 위험요소가 따르며, 안전성과 생산성을 향상시키기 위해 로보틱 크레인개발을 위한 프로젝트가 진행되었다. 그 첫 번째 단계로서 실시간 양중위치를 추적하는 시스템을 개발하였는데, 본 연구에서는 이를 위하여 x, y, z 좌표를 쉽게 얻을 수 있는 GPS 센서를 사용하였다. 또한, 본 연구에서는 데이터의 정확도를 향상시키기 위해 2대의 GPS센서를 사용하였으며, RF모뎀을 이용한 무선인식 태그와 함께 통합된 양중경로 추적 시스템을 개발하였다. 개발된 무선인식 태그와 RF모뎀 기반의 GPS 센서는 함께 최대 1 km까지 안정적으로 신호를 전송할 수 있으며, GPS의 상대측위기법을 사용하여 그 오차를 평균 0.61 m까지 줄일 수 있다.
기존의 LED (Light Emitting Diode)를 이용한 가시광 통신방식은 주로 수 m 의 짧은 전송거리와 수백 Mb/s 이하의 낮은 전송속도를 보여왔다. 이를 타개하기 위하여 본 논문에서는 MIMO (Multiple-Input Multiple-Output) 기술을 가시광 통신에 적용하고자 하는 연구를 수행하였다. 빛은 RF 주파수와는 물리적 특성이 다르기 때문에 기존의 RF 주파수에서 사용되던 MIMO 기술의 이론을 그대로 가시광 통신에 적용하기는 힘들다. 따라서, 본 논문에서는 렌즈를 이용하여 물리적으로 광신호를 분리하고, 이미지 센서를 수신기로 사용하여 MIMO 기술을 구현하는 방식을 채택하였다. 본 논문에서는 상용 이미지센서를 이용하여 채널당 200 bit/s의 전송속도 및 전송거리 10.5 m의 장거리 $2{\times}2$ MIMO LED 무선 가시광 통신 실험을 구현하였다.
The impact of the gate length (Lg) on the DC and high-frequency characteristics of indium-rich In0.8Ga0.2As channel high-electron mobility transistors (HEMTs) on a 3-inch InP substrate was inverstigated. HEMTs with a source-to-drain spacing (LSD) of 0.8 ㎛ with different values of Lg ranging from 1 ㎛ to 19 nm were fabricated, and their DC and RF responses were measured and analyzed in detail. In addition, a T-shaped gate with a gate stem height as high as 200 nm was utilized to minimize the parasitic gate capacitance during device fabrication. The threshold voltage (VT) roll-off behavior against Lg was observed clearly, and the maximum transconductance (gm_max) improved as Lg scaled down to 19 nm. In particular, the device with an Lg of 19 nm with an LSD of 0.8 mm exhibited an excellent combination of DC and RF characteristics, such as a gm_max of 2.5 mS/㎛, On resistance (RON) of 261 Ω·㎛, current-gain cutoff frequency (fT) of 738 GHz, and maximum oscillation frequency (fmax) of 492 GHz. The results indicate that the reduction of Lg to 19 nm improves the DC and RF characteristics of InGaAs HEMTs, and a possible increase in the parasitic capacitance component, associated with T-shap, remains negligible in the device architecture.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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