• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권3호
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• pp.177-180
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• 2020

This paper focuses on the 1,200-V level reverse conducting-insulated gate bipolar transistor (RC-IGBT). The structure of the RC-IGBT has an n+ collector at the collector terminal. The breakdown voltage, V_th, V_ce-sat, and turn-off time, and the electrical characteristics of a field-stop IGBT (FS-IGBT) and RC-IGBT are compared and analyzed using simulations. Based on the results, the RC-IGBT obtained a turn-off time of 320.6 ㎲ and a breakdown voltage of 1,720 V, while the FS-IGBT obtained a turn-off time of 742.2 ㎲ and a breakdown voltage of 1,440 V. Therefore, RC-IGBTs have faster on/off transitions and a higher breakdown voltage, which can reduce the size of the element.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.359-359
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• 2010

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 란 MOS(Metal Oxide Silicon) 와 Bipolar 기술의 결정체로 낮은 순방향 손실(Low Saturation)과 빠른 Speed를 특징으로 기존의 Thyristor, BJT, MOSFET 등으로 실현 불가능한 분양의 응용처를 대상으로 적용이 확대 되고 있고, 300V 이상의 High Power Application 영역에서 널리 사용되고 있는 고효율, 고속의 전력 시스템에 있어서 필수적으로 이용되는 Power Device이다. IGBT는 출력 특성 면에서 Bipolar Transistor 이상의 전류 능력을 가지고 있고 입력 특성 면에서 MOSFET과 같이 Gate 구동 특성을 갖기 때문에 High Switching, High Power에 적용이 가능한 소자이다. 반면에, Conventional IGBT는 MOSFET과 달리 IGBT 내부에 Anti-Parallel Diode가 없기 때문에 Inductive Load Application 적용시에는 별도의 Free Wheeling Diode가 필요하다. 그래서, 본 논문에서 별도의 Anti-Parallel Diode의 추가 없이도 Inductive Load Application에 적용 가능한 RC IGBT를 적용하여 600V/15A급 Three Phase Inverter Module을 제안 하고자 한다.

• ETRI Journal
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• 제35권4호
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• pp.603-609
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• 2013

In this paper, we present a 600-V reverse conducting insulated gate bipolar transistor (RC-IGBT) for soft and hard switching applications, such as general purpose inverters. The newly developed RC-IGBT uses the deep reactive-ion etching trench technology without the thin wafer process technology. Therefore, a freewheeling diode (FWD) is monolithically integrated in an IGBT chip. The proposed RC-IGBT operates as an IGBT in forward conducting mode and as an FWD in reverse conducting mode. Also, to avoid the destructive failure of the gate oxide under the surge current and abnormal conditions, a protective Zener diode is successfully integrated in the gate electrode without compromising the operation performance of the IGBT.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2011년도 전력전자학술대회
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• pp.287-289
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• 2011

본 논문은 인피니언 테크놀로지스의 RC-IGBT (Reverse Conducting Isolated Gate Bipolar Transistor)와 SOI 드라이브 IC(Integrated Circuit)를 사용한 DIL(Dual-In-Line) 구조의 저전력 모듈인 CIPOS TM (Control Integrated POwer System) 제품을 소개한다. 이 전력 모듈은 최적의 게이트 구동회로, 트렌치 필드스톱의 RC-IGBT를 사용하여 기존의 IGBT 와 Diode를 사용하는 구조에서 최소화 된 패키지 크기를 사용하여 높은 효율을 구현할 수 있다. 본 논문을 통하여 인버터의 어플리케이션에 적합하게 설계된 전력모듈에 대한 소개와 그 특징 및 시스템 구성을 위한 고려사항에 대하여 기술하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2007년도 하계학술대회 논문집
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• pp.129-131
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• 2007

In this paper, a single phase matrix converter circuit with novel commutation technique is proposed. With commercial IGBT modules, the proposed converter is quite compact in structure and easy to build. The applied commutation strategy introduces a simple RC circuit as commutation aid without need for sensing information, leading to stable and reliable operation. The modulation method is explained; the detailed commutation procedure is illustrated. Finally, the simulation results show the validity and verification of the proposed single phase matrix converter.