Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2006.06a
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pp.145-147
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2006
최근 차세대 메모리 기술이 급격히 발전하여 FeRAM과 PRAM같은 비휘발성 메모리의 상품화가 진행중 이다. 이러한 차세대 비휘발성 메모리는 메모리와 저장장치의 속성을 모두 만족시켜 주지만, 용량/가격 면에서 비효율적이다. 따라서 다양한 크기의 객체를 효율적으로 표현하고 네이밍과 같은 영속성을 제공하면서 공간 효율성이 뛰어난 관리기법이 필요하다. 비휘발성 메모리에서 공간 효율성을 높이기 위하여 새로운 메모리 파일시스템을 설계하였으며, 본 논문에서는 파일 시스템을 설계하면서 파일 시스템의 공간 효율성을 측정하기 위한 공간 비용 분석 모델과 그 결과를 제시한다. 분석 모델은 다양한 파일 시스템의 공간효율성을 수치로 제시하여 파일 시스템 설계 단계부터 공간 효율성을 예측하고 설계를 구체화하는데 매우 큰 도움이 되었다. 또한 분석 모델은 파일 시스템의 공간 효율을 최대화하는 블록 크기를 결정하는 데 근거를 제시하였으며 아울러 공간 효율을 최대화하는 블록 크기는 파일 시스템에 존재하는 파일의 평균 크기에 의존적임을 보여주었다.
Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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v.14
no.6
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pp.9-16
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2010
The SFRJ(Solid Fuel Ram-Jet) propulsion is attractive for projectiles because of the combination of high propulsive performance and low system complexity more than conventional projectiles. The Objective of this research was to characterize the inlet aerodynamic characteristics (center-body & pitot type) in SFRJ. Diffuser static pressure & combustion chamber pressure was tested and the AoA was changed $0^{\circ}$ and $4^{\circ}$ at Mach number of 3.0 for performance estimate. The performance study of inlet was carried out with the Schlieren system and Supersonic cold-flow system. Under mach 3.0, the center-body showed twice higher total pressure recovering ratio than the pitot type. A Computational fluid dynamic solution is applied internal flow of inlet and the solutions are compared with experimental results.
As a result of dividing typhoon that affected Korean Peninsular between 1999 and 2012 into 7 types of path and entering forecast field and analysis field of RDAPS, until 36 hours from the time of forecast, it is reliable to use the forecast field of RDAPS to predict typhoon and for each typhoon path, the difference between the forecast and the analysis shows normal distribution, which is usable for weather forecast until the $36^{th}$ hour. In the $48^{th}$ hour from the time of forecast, the difference of result depending on each typhoon path increased, which was analyzed to be due to errors in the forecast. It was expected that relatively reasonable results should be shown if the $36^{th}$ hour forecast is used to predict the strength and distribution of strong wind. As a result of using Korean RAM and observing the difference of the maximum damage, reliability was secured up to 36 hours and after 48hours, it was expected that the fluctuation of results may become more severe.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.18
no.6
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pp.1-8
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2019
Modern weapon systems are multifunctional, with capabilities for executing complex missions. However, they are required to be highly reliable, which increases their total cost of ownership. Because it is necessary to produce the best results within a limited budget, there is an increasing interest in development, acquisition, and maintenance costs. Consequently, there is a need for tools that calculate the lifecycle costs of weapons systems development to facilitate decision making. In this study, we propose a cost calculation function based on the Markov process simulator-a reliability, availability, and maintainability analysis tool developed by applying the Markov-Monte Carlo method-as an alternative to these requirements to facilitate decision-making in systems development.
Kim, Young-Min;Jang, Gun-Eik;Kim, Nam-Kyeong;Yeom, Seung-Jin;Hong, Suk-Kyoung;Kweon, Soon-Yong
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.257-257
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2007
고밀도 FeRAM (Ferroe!ectric Random Access Memory) 소자를 개발하기 위해서는 강유전체 물질을 이용한 안정적인 스텍형의 커패시터 개발이 필수적이다. 특히 $(Bi,La)_4Ti_3O_{12}$ (BLT) 강유전체 물질을 이용하는 경우에는 낮은 열처리 온도에서도 균질하고 높은 값의 잔류 분극 값을 확보하는 것이 가장 중요한 과제 중의 하나이다. 불행히도, BLT 물질은 a-축으로는 약 $50\;{\mu}C/cm^2$ 정도의 높은 잔류 분극 값을 갖지만, c-축 방향으로는 $4\;{\mu}C/cm^2$ 정도의 낮은 잔류 분극 값을 나타내는 동의 강한 비등방성 특성을 보인다. 따라서 BLT 박막에서 각각 입자들의 크기 및 결정 방향성을 세밀하게 제어하는 것은 무엇보다 중요하다. 본 연구에서는 16 Mb의 1T/1C (1-transistor/1-capacitor) 형의 FeRAM 소자를 BLT 박막을 적용하여 제작하였다. 솔-젤 (sol-gel) 용액을 이용하여 스핀코팅법으로 BLT 박막을 증착하고, 후속 열처리 공정을 RTP (rapid thermal process) 공정을 이용하여 수행하였다. 커패시터의 하부 전극 및 상부 전극은 각각 Pt/IrOx/lr 및 Pt을 적용하였다. 반응성 이온 에칭 (RIE: reactive ion etching) 공정을 이용하여 커패시터를 형성시킨 후, 32k-array (unit capacitor: $0.68\;{\mu}m$) 패턴에서 측정한 스위칭 분극 (dP=P*-P^) 값은 약 $16\;{\mu}C/cm^2$ 정도이고, 웨이퍼 내에서의 균일도도 2.8% 정도로 매우 우수한 특성을 보였다. 그러나 단위 셀들의 특성을 평가하기 위하여 bit-line의 전압을 측정한 결과, 약 10% 정도의 커패시터에서 불량이 발생하였다. 그리고 이러한 불량 젤들은 매우 불규칙적으로 분포함을 확인할 수 있었다. 이러한 불량 원인을 파악하기 위하여 양호한 젤과 불량이 발생한 셀에서의 BLT 박막의 미세구조를 분석하였다. 양호한 셀의 BLT 박막 입자들은 불량한 셀에 비하여 작고 비교적 균일한 크기를 갖고 있었다. 이에 비하여 불량한 셀에서의 BLT 박막에는 과대 성장한 입자들이 존재하고 이에 따라서 입자 크기가 매우 불균질한 것으로 확인되었다. 또 이러한 과대 성장한 입자들은 거의 모두 c-축 배향성을 나타내었다. 이상의 실험 결과들로부터, BLT 박막을 이용하여 제작한 FeRAM 소자에서 발생하는 불규칙한 셀 불량의 주된 원인은 c-축 배향성을 갖는 과대 성장한 입자의 생성임을 알 수 있었다. 즉 BLT 박막을 이용하여 FeRAM 소자를 제작하는 경우, 균일한 크기의 입자 및 c-축 배향성의 입자 억제가 매우 중요한 기술적 요소임을 알 수 있었다.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.49
no.6
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pp.481-488
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2021
The satellite telecommand processing system is the only way to provide telecommands for status monitoring, control, and mission execution. Domestic satellites can be divided into science, technology, and multi-purpose satellites, and geostationary satellites. These Satellites uses CCSDS standard protocol to communicate with ground stations. However, existing domestic satellites use only software to decode telecommands which increases cost of software development and verification of the developed software. Performance of software only approach is relatively low compared to hardware. In this paper, we present ASIC processing system specifically designed to decode telecommands. The system consists of a telecommand RAM, a protocol RAM/ROM, an ASIC, an interface unit of FPGA, and a relay block. The system handles general commands and pulse commands that are used in satellites. We established a ground station equipment and test environment to verify the system functionality, The result shows that our system reduces the development cost by 1/5 and improves the performance by 105 times compared to the previous systems that decode telecommands only by software.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.25
no.8
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pp.1095-1102
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2021
A scalable ECC architecture with high scalability and flexibility between performance and hardware complexity is proposed. For architectural scalability, a modular arithmetic unit based on a one-dimensional array of processing element (PE) that performs finite field operations on 32-bit words in parallel was implemented, and the number of PEs used can be determined in the range of 1 to 8 for circuit synthesis. A scalable algorithms for word-based Montgomery multiplication and Montgomery inversion were adopted. As a result of implementing scalable ECC processor (sECCP) using 180-nm CMOS technology, it was implemented with 100 kGEs and 8.8 kbits of RAM when NPE=1, and with 203 kGEs and 12.8 kbits of RAM when NPE=8. The performance of sECCP with NPE=1 and NPE=8 was analyzed to be 110 PSMs/sec and 610 PSMs/sec, respectively, on P256R elliptic curve when operating at 100 MHz clock.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2009.11a
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pp.30.1-30.1
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2009
정보화가 급속히 진전됨에 따라 보다 많은 양의 정보를 전송, 처리, 저장하게 되면서 이를 위해 대용량, 고속, 비휘발성의 특징을 갖는 차세대 메모리의 개발이 절실히 요구되고있다. 이 중 저항 변화 메모리(ReRAM)는 일반적으로 TiO2, Al2O3, NiO2, HfO2, ZrO2 등의 전이금속산화물을 이용한 MIM 구조로서 적당한 전기 신호를 가하면 저항이 높아서 전도되지 않는 상태(Offstate)에서 저항이 낮아져 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을가진다. ReRAM은 비휘발성 메모리이며 종래의 비휘발성 기억소자인 Flash memory 보다 access time 이105 배 이상 빠르고, 5V 이하의 낮은 전압에서도 동작이 가능하다. 또한 구조가 간단하여 공정 단순화가 가능하고 소자의 집적화도 쉽다는 점 등 많은 장점들이 있어서 Flash memory를 대체할 수 있는 유력한 후보로 여겨지고 있다. 본연구에서는 DC-magnetron Sputtering 방법으로 전이금속 박막을 증착하고, Dry furnace로 산화시켜 전이금속산화물 박막을 제작한 후 저항변화 특성을 연구하였다. 두 개의 전이금속산화물 박막을 dual-layer로 형성시켜 저항변화특성을 관찰하였으며 또한, 전이금속산화물 박막의 조성을 달리 하여 저항변화를 관찰 하였다. 전이금속산화물 박막의 전기적 특성을 알아보기 위해 Si(100) wafer 위에 Pt를 이용 MIM 형태로 capacitor 시편을 제작 하여, probe station으로 I-V 측정을 하였고 조성 및 표면 분석을 위해서는 AES와 AFM을, 미세구조를 분석을 위해서는 TEM과 SEM 을 사용하였다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea CI
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v.38
no.4
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pp.33-38
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2001
Readout signal of high density DVD-RAM disk output was simulated to analyze the effect of crosserase and crosstalk to the readout signal which is one of the main difficulties to realize high density DVD-RAM system having single side recording density of 4.7 G13 and 15 G13 media. Laser beam intensity impinged on the disk was approximated as Gaussian and recorded marks were assumed elliptical and the readout signal was calculated as a two dimensional convolution of laser beam pattern and recored mark pattern. From the readout signal obtained by varying crosserase ratio, carrier levels with period of 3T to 11 T were calculated and compared. Jitter due to crosserase and crosstalk was calculated and compared using 1,000 random marks having 3T to 11T period. The results showed that the jitter due to crosserase turned out to be smaller than the jitter due to crosstalk.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea CI
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v.47
no.5
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pp.35-40
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2010
NAND flash memory has been widely used than traditional HDD in PDA and other mobile devices, embedded systems, PC because of faster access speed, low power consumption, vibration resistance and other benefits. DiskSim and other HDD simulators has been developed that for find improvements for the software or hardware. But there is a few Linux-based simulators for NAND flash memory and SSD. There is necessary for Windows-based NAND flash simulator because storage devices and PC using Windows. This paper describe for development of simulator-NFSim for FTL performance analysis in NAND flash. NFSim is used to measure performance of various FTL algorithms and FTL wear-level. NAND flash memory model and FTL algorithm developed using Windows Driver Model and class for scalability. There is no need for another tools because NFSim using graph tool for data measure of FTL performance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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