• 한국자기학회지
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• 제17권1호
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• pp.14-17
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• 2007

고상 반응법을 써서 전이금속(Cr, Ti)을 치환한 란탄칼슘망간산화물, $La_{0.5}Ca_{0.5}(Mn_{0.98}TM_{0.02})O_3$의 자성특성을 연구하였다. 자성 특성은 VSM을 써서 측정하였고, 50 Oe에서 zero field cooling과 field cooling을 하면서, 자화-온도측정을 Cr과 Ti 치환한 경우에 측정하였다. $La_{0.5}Ca_{0.5}(Mn_{0.98}Cr_{0.02})O_3$는 클러스터 또는 스핀유리와 유사한 거동을 보였으며, $La_{0.5}Ca_{0.5}(Mn_{0.98}Ti_{0.02})O_3$에서는 관찰되지 않았다. 큐리온도는 전이금속이 치환된 시편의 경우 란탄칼슘망간산화물 $La_{0.5}Ca_{0.5}MnO_3$의 큐리온도 245.5K에서 감소한, 235.5 K [$La_{0.5}Ca_{0.5}(Mn_{0.98}Cr_{0.02})O_3$], 232.7 K [$La_{0.5}Ca_{0.5}(Mn_{0.98}Ti_{0.02})O_3$]로 모두 감소하였다. 자벽 고정(domain wall pinning)을 알아보기 위해 온도에 따른 보자력 측정을 하였고, 이 결과를 defect와 자벽 간의 상호작용의 관점으로 해석하였다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제9권6호
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• pp.725-728
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• 2011

Infrared transmission images from GaAs semi insulating wafers were considered for years as directly related to the quantum absorption by electrons on fundamental states of deep centers, especially EL2. The satisfying correspondence of these images with the dislocations revealed by etching or X ray topography or infrared tomography led to the opinion that a strong concentration of EL2 centers was to be expected in the immediate vicinity of the dislocations. More recent work indicates that contrary to the expected behavior the photoqu$\acute{e}$nching of transmission images at T=80K does not appreciably change the image structure itself but more largely the uniform background level of absorption. Such investigations show that the transmission images of isolated dislocations (Indium doped materials) or cell structures of tangled dislocations (undoped materials) can be partly attributed to scattered light; similar operation at T=10K removes the dark features associated to EL2 but still preserves the skeleton of the pattern which is due to scattering. A result of the measurements is that dislocations must not be considered any longer as inexhaustive EL2 reservoirs. The lifetime of the photoqu$\acute{e}$nching mechanism is shown to vary differently for EL2 centers located close to the dislocations or in the matrix. In this paper we will develop the details of infrared image photoqu$\acute{e}$nching experiments in the vicinity of dislocations; undoped and In doped GaAs materials will be shown. These results will be discussed in the light of surface etching experiments.

• 정보보호학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.3-12
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• 2006

본 논문에서는 entanglement swapping을 이용하여 직접적인 통신이 가능한 통신 프로토콜을 제안한다. 이 프로토콜은 암호화된 메시지가 공개 채널 상으로 전달되지 않음으로 도청자로 부터의 안전성을 높였다. 효율성에 있어서도 한 세션에 두 비트의 고전 정보가 전달되므로 Bostrom 과 Felbinger에 의해 제시된 ping-pong 프로토콜 보다 두 배의 효율성 향상을 가져왔다. 본 프로토콜에서 사용하고 있는 검증 모드는 $75\%$의 확률로 도청자의 존재를 확인할 수 있기 때문에 충분한 검증 절차를 거치면 이론적으로 도청자로부터 거의 완벽한 안전성을 보장받을 수 있다.

• 한국광학회지
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• 제23권2호
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• pp.64-70
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• 2012

c-plane 사파이어 기판에서 성장된 1 $mm^2$ 대면적 InGaN/GaN 다중양자우물 청색 발광 다이오드의 스트레스 전후의 전기적, 광학적 특성 변화를 분석하였다. 스트레스 실험은 샘플 칩을 TO-CAN에 패키징하여 50 mA의 전류를 200시간 동안 인가하여 수행하였다. 스트레스 인가 전류는 다이오드의 순전압 특성을 이용한 접합온도(junction temperature) 측정 실험을 통하여 충분히 낮은 접합온도를 유지하는 값으로 선택하였다. 이렇게 선택한 50 mA의 전류 인가량에서 접합온도는 약 308 K였다. 308 K의 접합온도는 접촉저항(ohmic contact) 또는 GaN계 물질의 특성 변화에 영향을 주지 않는다고 가정하고 실험을 진행하였다. 스트레스 전후에 전류-전압, 광량-전류, 표면 광분포, 파장 스펙트럼 및 상대적 외부양자효율 특성을 측정 및 분석하였다. 측정결과, 스트레스 후 저전류 구간에서의 광량이 감소하고 상대적 외부양자효율이 감소하는 현상을 관찰하였다. 우리는 이러한 현상이 결함의 증가로 인한 비발광 재결합률 증가로부터 기인함을 이론적으로 검토하고 실험결과의 분석을 통하여 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.314-314
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• 2016

In this paper, the effects of carrier concentration on dielectric constant of ITO films were investigated by spectroscopic ellipsometry. From SE results, we find the pronounced shift of the ${\varepsilon}1$ peaks toward high energy with concentration; while contrarily, the ${\varepsilon}2$ values at low energy region increases with decreasing concentration. These shifts are attributed to the Burstein-Moss and free-carrier absorption effects within ITO films. With increases carrier concentration, the values of extinction coefficients show quite different behaviors in range of wavelength from 200 to 1200 nm. The reduction in k at ${\lambda}{\leq}500nm$, while increasing at ${\lambda}{\geq}500nm$ was observed. The QE of HJ solar cells behaviors can be roughly classified into two regions: short-wavelengths (${\leq}650nm$) and long-wavelengths region (${\geq}650nm$). With increasing carrier concentration as well as energy band gap, QE shows improvement at short-wavelength, while at long-wavelength QE shows opposite trend. Widening band gap energy due to Burstein-Moss shift is the key to improve QE in short-wavelength; simultaneously FCA effect due to optical scattering is attributed to the reduction in QE at long-wavelength. In spite of band gap extension, Jsc calculated from QE decreases from 34.7 mA/cm2 to 33.2 mA/cm2 with increasing carrier concentration. It demonstrated that FCA effect may more govern Jsc in the HJ solar cells.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.449-455
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• 1993

단거리 통신 시스팀의 광원으로 유용한 단파장 AlGaAs/GaAs레이저 다이오우드의 열악한 특성을 개선하기 위하여 MBE에 의해 낮은 온도에서 성장한 AlGaAs/GaAs GRINSCH-QW 레이저 다이오우드를 RTA온도의 변화에 좌우되는 포토루미네센스에 의하여 연구하였다. $950^{\circ}C$에서 10초동안 RTA처리를 한후 양자우물 포토루미네센스의 세기는 대체로 10배정도 증가하는것을 보여주었다. 이것은 양자우물 영역에서 발광되지 않는 재결합이 감소된것과 관련된다. 열처리된 레이저 다이오우드의 임계전류는 4배로 감소되었으며 RTA에 의하여 레이저 다이오우드의 질이 개선되었음이 확인되었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.101-108
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• 2017

양자게이트 행렬은 치수가 r, 제어상태벡터 수가 n 및 표적상태벡터 수가 1인 경우에 $r^{n+1}{\times}r^{n+1}$ 차원 행렬이므로 n 증가에 따른 행렬 크기는 지수 함수적 증가 특성을 갖는다. 만약 제어상태벡터의 경우 수가 $2^n$이라면 $2^n-1$ 경우는 입력이 출력에 보전되는 단위행렬의 항등연산이고, 오직 한 개의 제어상태벡터 연산만이 표적상태벡터에 대한 유니터리 연산이다. 본 논문은 행렬차원 증가에 결정적 기여를 하는 $2^n-1$개의 단위행렬 연산을 한 동작의 산술멱승 연산으로 대체할 수 있는 새로운 함수 임베딩 방법을 제안한다. 제안한 함수 임베딩 방법은 다치 임계값을 갖는 2진 리터럴 스위치를 사용하므로 범용 하이브리드 MCU 게이트를 $r{\times}r$ 유니터리 행렬로 실현할 수 있다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.659-664
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• 2020

본 논문에서는 실리콘 기반의 광 집적회로에서 외부 전압 조절을 통해 |l|=1 궤도 각운동량 모드의 궤도 각양자수를 변조할 수 있는 전기 광학 변조기를 설계하였다. 설계된 전기 광학 변조기는 위치별로 서로 다른 도핑농도를 가지는 실리콘 코어와 실리콘 산화막으로 구성되어 있으며, 도핑농도의 분포를 통해 궤도 각운동량 모드를 구성하는 두 고유 모드의 전파 손실과 유효굴절률 변화량을 조절할 수 있도록 설계되었다. 변조기는 역전압을 기준으로 -0.33V에서는 궤도 각운동량 모드의 부호가 유지되는 광도파로로, 10V에서는 궤도 각양자수 부호 변환기로서 동작한다. 고유 모드 확장법으로 계산한 신호변조 후의 전기장 분포를 통해 얻은 궤도 각양자수는 두 동작모드에서 모두 |l|>0.92 으로 매우 높은 궤도 각운동량 모드 순도를 보였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.1784-1788
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• 2012

본 논문에서는 신호에 따라 신호의 크기를 변조시키는 온-오프 키잉(on-off keying) 전송을 방식을 적용한 광전송시스템에서의 표준에러확률을 유지하기 위한 조건에 대하여 고찰하였다. 광전송시스템에서 광검출기가 1 이하의 양자효율을 갖는 경우를 고려하여 온-오프 키잉 전송시에 수신기의 수신 감도를 계산하였다. $BT$가 30이상인 경우 표준에러확률을 유지하기 위한 광자수가 10000이하로 계산되어 $BT$가 적은 경우에 비해서 저출력 시스템을 구성할 수 있음을 확인할 수 있었다. 또한 수신단에 전치증폭기를 설치한 경우에 대해서도 고려하여 적은 출력을 갖는 광원을 사용해도 무방하다는 결과를 얻을 수 있었다.

• Rapid Communication in Photoscience
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• 제4권2호
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• pp.45-47
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• 2015

We have successfully synthesized $AgInS_2$ core and $AgInS_2$/ZnS core/shell nanoparticles by the sonochemical method. The ultrasonic based $AgInS_2$ and $AgInS_2$/ZnS nanoparticle synthesis can be utilized as a simple and rapid method. The $AgInS_2$/ZnS nanoparticles show the higher fluorescence intensity and quantum yield than $AgInS_2$ nanoparticles. Fluorescence wavelength of $AgInS_2$/ZnS shows blue shift from 635 nm to 610 nm against $AgInS_2$ because of reducing the defect sites and increasing spatial confinements. For the fluorescence lifetime, $AgInS_2$/ZnS (124.8 ns) has longer lifetime than $AgInS_2$ (54.8 ns).