Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.59.2-59.2
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2015
Modification of film structure and properties in inductively-coupled plasma (ICP) assisted dc and pulsed dc sputtering has been reported by Oya and Kusano [1] and by Sakamoto, Kusano, and Matsuda [2], showing drastic changes in films structure and properties by the ICP assistance in particular to the pulsed dc discharge. Although mechanisms involved in the modification has been reported to be the increase in energy transferred to the substrate, details of effects of low-energy ion bombardment on the modification and origin of an anomalous increase in the ion quantity by the ICP assistance to the pulsed dc discharge have not been discussed. In this presentation, mechanisms involved in film structure and property modification in ICP assisted dc and pulsed dc sputtering, in which a number of low-energy ions are formed, will be discussed based on ion energy distribution as well as effectiveness of energy transfer to the substrate by low energy particles [3]. The results discussed in this presentation will emphasize the fact that the energetic particles playing an important role in the film structure modification are those to be deposited, but not those of inert gas, when their energies range in less than 100 eV in the pressure range of magnetron sputtering.
Background: Dendritic cells (DC) are professional antigen-presenting cells in the immune system and can induce T cell response against virus infections, microbial pathogens, and tumors. Therefore, immunization using DC loaded with tumor-associated antigens (TAAs) is a powerful method of inducing anti-tumor immunity. For induction of effective anti-tumor immunity, antigens should be efficiently introduced into DC and presented on MHC class I molecules at high levels to activate antigen-specific $CD8^+$ T cells. We have been exploring methods for loading exogenous antigens into APC with high efficiency of Ag presentation. In this study, we tested the effect of the cationic liposome (Lipofectin) for transferring and loading exogenous model antigen (OVA protein) into BM-DC. Methods: Bone marrow-derived DC (EM-DC) were incubated with OVA-Lipofectin complexes and then co-cultured with B3Z cells. B3Z activation, which is expressed as the amount of ${\beta}$-galactosidase induced by TCR stimulation, was determined by an enzymatic assay using ${\beta}$-gal assay system. C57BL/6 mice were immunized with OVA-pulsed DC to monitor the in vivo vaccination effect. After vaccination, mice were inoculated with EG7-OVA tumor cells. Results: BM-DC pulsed with OVA-Lipofectin complexes showed more efficient presentation of OVA-peptide on MHC class I molecules than soluble OVA-pulsed DC. OVA-Lipofectin complexes-pulsed DC pretreated with an inhibitor of MHC class I-mediated antigen presentation, brefeldin A, showed reduced ability in presenting OVA peptide on their surface MHC class I molecules. Finally, immunization of OVA-Lipofectin complexes-pulsed DC protected mice against subsequent tumor challenge. Conclusion: Our data provide evidence that antigen-loading into DC using Lipofectin can promote MHC class I- restricted antigen presentation. Therefore, antigen-loading into DC using Lipofectin can be one of several useful tools for achieving efficient induction of antigen-specific immunity in DC-based immunotherapy.
Titanium nitride(TiN) thin films have been deposited on PEN(Polyethylene naphthalate) substrate by reactive RF(13.56 MHz) magnetron sputtering in a 25% N2/Ar mixed gas atmosphere. The pulsed DC bias voltage of -50V on substrates was applied with a frequency of 350 kHz, and duty ratio of 40%(1.1 ㎲). The effects of pulsed DC substrate bias voltage on the crystallinity, color, electrical properties of TiNx films have been investigated using XRD, SEM, XPS and measurement of the electrical properties such as electrical conductivity, carrier concentration, mobility. The deposition rates of TiNx films was decreased with application of the pulsed DC substrate bias voltage. The TiNx films deposited without and with pulsed bias of -50V to substrate exhibits gray and gold colors, respectively. XPS depth profiling revealed that the introduction of the substrate bias voltage resulted in decreasing oxygen concentration in TiNx films, and increasing the electrical conductivities, carrier concentration, and mobility to about 10 times, 5 times, and 2 times degree, respectively.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.18
no.6
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pp.593-600
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2013
The asymmetric pulsed DC reactive magnetron sputtering system is widely used for the high quality plasma sputtering process such as a thin film deposition. In asymmetric pulsed DC power supply a reverse voltage is applied to the target periodically to minimize arc discharging effect. When sputtering in the mid-frequency range (20-350 kHz), the periodic target voltage reversals suppress arc formation at the target and provide long-term process stability. Thus, high quality, defect-free coatings of these materials can now be deposited at competitive rates. In this paper, a new style asymmetric pulsed DC power supply including mid-transformer is presented. In the proposed, an energy recovery circuit is adopted to reduce the mutual inductance of the transformer. As a result, the system dynamics of the voltage control loop is increased highly and the non-linear voltage boosting effect of the conventional system is removed. This work was proved through simulation and laboratory based experimental study.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.61
no.11
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pp.1617-1624
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2012
A DC power system has many loads with varied functions. Also, there may be large pulsed loads with short duty ratios which can affect the normal operation of other loads. In this paper, Voltage Bus Conditioner(VBC) without any current sensors is proposed to damp the bus voltage transients by parallel pulsed loads. The proposed control approach requires only one voltage sensor and carries out both the functions of damping the bus voltage transients and maintaining the level of energy stored. The proposed control technique has been implemented on a TMS320F2812 Digital Signal Processor(DSP). Simulated results by a Matlab Simulink and experimental results are presented which verify the control principles and demonstrate the practicalty of the approach.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2017.05a
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pp.103.2-103.2
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2017
Nanocrystalline HfN coatings were prepared by reactively sputtering Hf metal target with N2 gas using a magnetron sputtering system operated in DC and ABPP (asymmetric bipolar pulsed plasma) condition with various duties and frequencies. The effects of duty and frequency, ranging from 75 to 100 % and 5 to 50 kHz, on the coating microstructure, crystallographic and mechanical properties were systematically investigated with FE-SEM, AFM, XRD and nanoindentation. The results show that pulsed plasma has a significant influence on coating microstructure and mechanical properties of HfN coatings. Coating microstructure evolves from the columnar structure to a highly dense one as duty decreases. Average grain size and nano hardness of HfN coatings were also investigated with various pulsed conditions.
Kim, Jong-Soo;Rim, Geun-Hie;Lee, Sung-Jin;Kim, Seung-Min;Cho, Chang-Ho
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers B
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v.50
no.12
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pp.624-630
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2001
The trend of the regulations on environmental issues are getting tight. Responding to this trend new technologies such as moving electrodes, wide pitch and pulsed power supply are also introduced in the electrostatic precipitator(EP) systems. The introduction of wide pitch and moving electrodes enhances the system performance of the EPs by improving air-flow and by improving the ash reentrainment on rapping. The power supplies for the EPs developed up to date include thyristor-based dc or intermittent type, SMPS(switching mode power supply) type and the pulsed-power supply type. The use of the pulsed ones is known to improve dust-collecting efficiency of high resistivity ash and reduces back corona occurrence in the collecting plate. There are two kinds of pulsed-power supplies; one with pulsed transformers and the other with direct dc switching devices. The latter uses rotary spark gap switches or semiconductor switches. Both have the merits and demerits: the spark gap switches are simple and robust but has short life time, hence, high maintenance cost, whereas the semiconductor switches have long life time but are costly. In this study, A high voltage power supply with superimposing voltage pulse on dc source was developed for EPs. This study describes circuit topology, operating principle of the scheme, and analysis of experimental results on Dong-Hae Power Plant. The pulsed power supply consists of a variable dc power supply with ratings of 60kV, 800mA and pulse generator which is made of high voltage thyristor-diode switch strings, an LC resonant tank and a blocking inductor. The pulse generator generates variable pulse-voltage up to 70kV using a high frequency resonant inverter with a variable dc source. Two prototypes were built and tested on 250MW DongHae power plant to verify the possibility of the commercial use and the normal operation in the transient states.
Nanocrystalline CrN films were deposited on Si (100) substrates by means of asymmetric pulsed DC reactive magnetron sputtering. We investigated the growth behavior, corrosion resistance and mechanical properties of CrN films with a change in the duty cycle and pulse frequency. The grain size of the CrN films decreased from 25.4 nm to 11.2 nm upon a decrease in the duty cycle. The corrosion potentials for the CrN films by DC sputtering was approximately - 0.6 V, and it increased to - 0.3 V in the CrN films which underwent pulsed sputtering. The nanoindentation hardness of the CrN films also increased with a decrease in the duty cycle. This enhancement of the corrosion resistance and mechanical properties of pulsed sputtered CrN films could be attributed to the densification and surface smoothness of the microstructure of the films.
BN films were grown on silicon (l00) substrate by magnetically enhanced activated reactive evaporation (ME-ARE) with pulsed DC power instead of r.f. for substrate biasing. The deposited films were analyzed using Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and transmission electron microscopy (TEM). FTIR results show that the intensity of absorption band of $sp^2$ bond of BN decreased and that of $sp^3$ bond of c-BN increased with increasing pulsed DC bias voltage applied to substrate. The initially grown layer at the interface was observed by TEM and considered to be of$ sp^2$-bonded BN. The cross-sectional and planar TEM micrographs show that the upper layer on the initial layer was the single phase c-BN. It is concluded that cubic boron nitride films could be synthesized by ME-ARE process with pulsed DC biasing.
Optical thin films were deposited by using a reactive pulsed DC magnetron sputtering method with a high density plasma(HDP). In this study, the effect of sputtering process conditions on the microstructure and optical properties of $SiO_2$, $TiO_2$, $Nb_2O_5$ thin films was clarified. These thin films had flat and dense microstructure, stable stoichiometric composition at the optimal conditions of low working pressure, high pulsed DC power and RF power(HDP). Also, the refractive index of the $SiO_2$ thin films was almost constant, but the refractive indices of $TiO_2$ and $Nb_2O_5$ thin films were changed depending on the microstructure of these films. Antireflection films of $Air/SiO_2/Nb_2O_5/SiO_2/Nb_2O_5/SiO_2/Nb_2O_5/Glass$ structure designed by Macleod program were manufactured by our developed sputtering system. Transmittance and reflectance of the manufactured multilayer films showed outstanding value with the level of 95% and 0.3%, respectively, and also had excellent durability.
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