본 연구는 IT 학부생의 다중지능에서의 특성과 학과 및 전공학문에 대한 학문적 적응도를 분석하였다. 연구대상은 H대학 M과의 IT 학부생 1학년 신입생 70명이었고 전공학문은 학과의 기초전공필수인 "컴퓨터언어I-C언어" 과목이었다. 연구는 가드너(Gardner)의 다중지능이론에서 논란의 소지가 적은 8개 지능 영역을 사용하였고, 학문적 적응도는 대학생의 학과와 전공학문에 대한 적응력의 정도라고 조작적으로 정의하고, 변인으로는 선행연구를 통해 흥미, 몰입, 학과전공에 대한 친숙성과 관련성의 정도, 학업성취도 그리고 학과만족도를 선정하였다. 연구결과는 IT 학부생은 다중지능 중 대인지능과 자기이해지능이 강점으로 나타났고 남녀 간의 차이는 유의하지 않았다. 또한, 다중지능과 학문적 적응도 요인 간에 유의미한 상관들이 발견되었다. 특히, 학문적 적응도에서 C프로그래밍 학문에 대해 흥미와 몰입이 낮았지만 다중지능의 언어지능과 C언어에 대한 몰입과의 유의미한 상관은 매우 흥미로운 결과였다. 다중지능과 학업성취도와의 유의미한 상관은 나타나지 않았으나, 전공학문에 대한 관련성을 높게 인식할수록 C언어에 친숙함을 많이 느낄수록 학업성취도가 높은 것으로 조사되었다. 마지막으로 본 연구에서의 제한점을 논의하고, 연구 결과를 토대로 IT학부생의 학문적 적응도를 높이기 위한 처방적 전략에 대해 제언하였다.
Agile 소프트웨어 개발의 대표적인 방법론인 XP(eXtreme Programming)에서는 현장에서 바로 활용할 수 있는 아주 기본적인 프로세스만을 정의하고, 개발 그 자체에 집중하여 효율성을 극대화한다. 그러나 XP의 실천사항들은 개발에 집중되어 있어 개발 산출물에 대한 관리는 간과되기 쉬우며, 또한 관리적인 부분에 대한 지침이나 연구는 그 중요성에 비하여 미흡한 실정이다. 개발 과정 중 합의된 산출물의 변경과정에 대한 절차나, 지속적인 통합과 리팩토링을 위한 적절한 절차도 정의되어 있지 않아 산출물의 무결성을 보장하기가 어렵다. 이러한 문제점을 극복하기 위해서는 주요 산출물들에 대한 형상관리가 요구된다. XP에 형상 관리를 적용하기 위해서는 CMMI의 형상 관리 프로세스 영역을 참조하는 것이 바람직하다. CMMI는 형상 관리의 요건을 정의하고, 그 구현은 환경에 맞게 조정하는 것을 권장하기 때문에, 각 개발방식의 특성에 맞추어 적용할 수 있다. XP 방법론을 채택한 조직들에게 XP의 특성을 살리면서 CMMI에 기반한 형상 관리를 수행할 수 있는 지침이 제공된다면, XP의 지속적인 통합과 리팩토링, 짧은 릴리즈 주기와 같은 기민함을 유지하면서 산출물들의 무결성도 보장 할 수 있을 것이다. 본 연구에서는 CMMI를 기반으로 XP에서 적용될 수 있는 형상 관리 프로세스 요소를 추출하고, 그 요소들을 기반으로 XP의 형상 관리 활동을 위한 적용 지침을 개발하였다.
이 연구의 목적은 SW교육에 참가하는 학생들의 학습 지속의도에 미치는 변인을 규명하는 것이었다. 이를 위해 기술수용모형에 기반하고 IT 도입 관련 기존 연구를 참고하여 주관적 규범, 활동촉진조건, 프로그래밍 관련 자기효능감, 지각된 용이성, 지각된 유용성을 요인으로 설정하고, 이 요인과 학습 지속의도 간의 구조적 인과관계를 규명하려 하였다. 연구 대상은 SW교육에 참가하는 초등학생 총 204명 대상이며, 1달간 웹 설문조사를 실시하였다. 이 연구에서 설정한 8개의 가설 중 '주관적 규범은 지각된 용이성에 정(+)의 영향을 미칠 것이다.'와 '지각된 용이성은 학습지속의도에 정(+)의 영향을 미칠 것이다.' 라는 2개의 가설은 기각되었다. 연구 결과 특징적인 점으로는 첫째, 지각된 용이성은 학습 지속의도에 직접적인 영향을 주지 않고 지각된 유용성을 매개로 간접적으로 영향을 주는 것으로 나타났다. 둘째, 학습 지속의도를 높이기 위해서는 직접적인 설명력이 가장 큰 요인은 프로그래밍 관련 자기효능감으로 나타났다. 이 연구 결과를 토대로 초등학생 SW교육의 효율적 지원을 위해서는 SW교육의 유용성과 학생들의 프로그래밍 자기효능감을 향상시키는 것이 중요하다는 것을 알 수 있었다.
정부는 2015년부터 소프트웨어 중심대학 지원 사업을 통하여 미래 인재에 요구되는 소프트웨어 역량 강화에 힘쓰고 있다. 소프트웨어 중심대학으로 선정된 대학에서는 각기 다른 전공지식과 소프트웨어 소양을 겸비한 융합형 인재 양성을 위하여 대학 내 인문, 사회, 공학, 자연과학, 예체능 등 모든 계열에 소프트웨어 기초교육을 실시하고 있다. 본 논문에서는 20개 소프트웨어 중심대학에서 실시하고 있는 비전공자 대상의 소프트웨어 기초교육의 내용을 분석하였다. 분석 결과, 비전공자 학생들에게 실시하고 있는 소프트웨어 기초교육의 대부분은 미래사회에 필요한 컴퓨팅 사고력 중심의 문제해결력 향상과 컴퓨터과학에 기반을 둔 융합 능력 향상 목적으로 실시하고 있었다. 전공별 특성을 반영한 교육 내용과 프로그래밍의 난이도 조정을 위해 블록 기반 교육용 프로그래밍 언어와 텍스트 기반 고급 프로그래밍 언어를 활용하고 있다. 문제해결을 위한 교수 학습 방법으로는 문제 중심 학습(Problem based Learning), 프로젝트 중심 학습(Project Based Learning)과 토의 토론법을 많이 사용하고 있는 것으로 분석되었다. 향 후 이 논문이 비전공자 소프트웨어 기초교육의 체계적 방향 설정에 도움이 되었으면 한다.
포트폴리오 최적화 이론의 초석인 Markowitz의 평균-분산 포트폴리오 모형 (1952)이 발표된 이후로 많은 분야에서 포트폴리오 최적화에 대한 다양한 연구가 진행되었다. 기존의 평균-분산 포트폴리오 모형은 주로 목적함수나 제약식에 비선형 볼록 형태를 포함한다. 이를 Dantzig의 선형계획법을 적용하여 선형으로 변환시켜 알고리즘 계산 시간을 효율적으로 감소시켰다. 또한 시계열 데이터 특성을 반영하여 시간에 따른 가중치를 고려하는 가우시안 커널 가중치 공분산을 제안하였다. 여기에 일정 부분은 벤치마크에 투자하고 나머지는 포트폴리오 최적화 모형으로 제안된 자산들에 투자하는 퍼터베이션 방법을 적용하여 평균 수익률과 위험도를 목적에 맞게 조절하도록 하였다. 또한, 본 논문에서는 안정적이면서도 적은 자산을 보유하게 포트폴리오를 구성하여 관리비용(management costs)과 거래비용(transaction costs)를 낮출 수 있는 Dantzig-type 퍼터베이션 포트폴리오 모형을 제안하였다. 제안된 모형의 성능은 5개의 실제 데이터 세트로 벤치마크 포트폴리오와 비교 분석하여 평가하였다. 최종적으로 제안한 최적화 모형은 벤치마크보다 높은 기대수익률이나 낮은 위험도를 갖는 포트폴리오를 구성하여 퍼터베이션 목적을 만족하며, 투자한 자산의 수와 시간에 따른 자산 구성 변화를 일정 수준 이하로 조절하는 희소하며 안정적인 결과를 얻었다.
저고도 궤적의 장사정포 위협이 대두됨에 따라 이를 방어할 요격 시스템의 개발이 시작될 예정이다. 이러한 장사정포의 공격을 방어하는 문제는 전형적인 동적 무기 표적 할당 문제다. 동적 무기 표적 할당 문제에서는 한 시점에서의 의사결정 결과가 이후 시점의 의사결정 과정에 영향을 주며, 이는 마코브 의사결정 모형의 특징이기도 하다. 장사정포의 공격을 방어하기 위한 의사결정 과정에 허용되는 시간은 공격자와 방어자의 거리를 고려할 때 저고도 궤적의 동시 다발성 발사체에 대한 대응은 수 초 이내에 결정되어야 하나, 짧은 시간 내에 마코브 의사결정 과정으로 최적해를 구하는 것은 불가능하다. 본 논문에서는 장사정포 공격을 방어하는 동적 무기 표적 할당 문제를 마코브 의사결정 문제로 나타내고, 3가지 시나리오를 작성한 후 근사적 동적계획 방법을 적용하여 요격이 가능 시간 안에 해의 도출이 가능한지를 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 도출된 해의 품질을 검증하기 위하여 각 시나리오에 대하여 근사적 동적계획을 적용한 결과와 Shoot-Shoot-Look 방법을 적용한 결과를 비교하였다. 시뮬레이션 결과, 장사정포의 방어 시나리오에 대하여 근사적 동적계획의 결과가 Shoot-Shoot-Look 방법을 이용한 결과보다 우수함을 보였다.
Nonvolatile semiconductor memory devices with reoxidized nitrided oxide(RONO) gate dielectrics were fabricated, and nitrogen distribution and bonding species which contribute to memory characteristics were analyzed. Also, memory characteristics of devices depending on the anneal temperatures were investigated. The devices were fabricated by retrograde twin well CMOS processes with $0.35{\mu}m$ Nonvolatile semiconductor memory devices with reoxidized nitrided oxide(RONO) gate dielectric were fabricated, and nitrogen distribution and bonding species which contributing memory characteristics were analyzed. Also, memory characteristics of devices according to anneal temperatures were investigated. The devices were fabricated by $0.35{\mu}m$ retrograde twin well CMOS processes. The processes could be simple by in-situ process of nitridation anneal and reoxidation. The nitrogen distribution and bonding state of gate dielectric were investigated by Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry(D-SIMS), Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry(ToF-SIMS), and X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS). Nitrogen concentrations are proportional to nitridation anneal temperatures and the more time was required to form the same reoxidized layer thickness. ToF-SIMS results show that SiON species are detected at the initial oxide interface and $Si_{2}NO$ species near the new $Si-SiO_{2}$ interface that formed after reoxidation. As the anneal temperatures increased, the device showed worse retention and degradation properties. These could be said that nitrogen concentration near initial interface is limited to a certain quantity, so excess nitrogen are redistributed near the $Si-SiO_{2}$ interface and contributed to electron trap generation.
It is desirable to choose a high-k material having a large band offset with the tunneling oxide and a deep trapping level for use as the charge trapping layer to achieve high PIE (Programming/erasing) speeds and good reliability, respectively. In this paper, charge trapping and tunneling characteristics of high-k hafnium oxide ($HfO_2$) layer with various thicknesses were investigated for applications of tunnel barrier engineered nonvolatile memory. A critical thickness of $HfO_2$ layer for suppressing the charge trapping and enhancing the tunneling sensitivity of tunnel barrier were developed. Also, the charge trap centroid and charge trap density were extracted by constant current stress (CCS) method. As a result, the optimization of $HfO_2$ thickness considerably improved the performances of non-volatile memory(NVM).
A diaphragm spring is an important component of a clutch assembly, characteristics of which depends largely on that of a diaphragm spring. A diaphragm spring is subject to high stress concentration in driving condition, which frequently causes cracks and fracture around finger area. In this paper, behavior of a diaphragm spring is analysed by finite element method to calculate sensitivity of design parameters, which is used to perform optimal design of diaphragm spring shape. As an object function, hoop stresses are taken and minimized to improve durability. Characteristics of the diaphragm is used as equality constraint to maintain the original design purpose and sequential linear programming(SLP) is utilized as an optimization tool. With optimized design, it is verified that concentrated stress is decreased maintaining release load characteristic.
지능형 시스템은 자료나 정보보다 지식을 주로 이용하는 시스템이다. 따라서 지식표현은 지능형 시스템 구축에 있어서 중요한 요소이다. 개념그래프는 지식을 효율적으로 표현할 수 있는 그래프 형태의 논리적 지식표현 언어이다. 하지만 개념그래프를 직접 프로그래밍에 활용하기는 쉽지 않다. 이러한 어려움을 극복하기 위하여 여러 가지 도구들이 개발되었다. 본 논문에서는 개념그래프를 이용한 지능형 시스템 구축에 활용할 수 있는 도구들에는 어떤 것들이 있는지 조사하고 그들의 기능과 특성을 비교 분석한다. 조사결과는 지능형 시스템 구축을 위한 개념그래프 활용에 큰 도움이 될 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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