Langmuir probe was housed in the sounding rocket to test the probe's performance and to find the environmental parameters at the F layer of the ionosphere. The gold plated cylindrical probe had a length of 14㎝ and a diameter of 0.096 ㎝. The applied voltage to the probe consisted of 0.9 sec fixed positive bias followed by 0.1 sec of down/up sweep. This ensured that the probe swept through the probe's current-voltage characteristic at least once during 1 second quiescent periods enabling the electron temperature to be measured during the undisturbed times of the flight. The experimental results showed good agreement of the temperature distribution with IRI model at the lower F layer. In the upper layer, the experimental temperatures were 100-200K lower than the IRI model's because of the different geomagnetic conditions: averaged conditions were used in IRI model and specific conditions were reflected in the experiment.
본 논문에서는 프로브로 급전되는 단일 원형 마이크로스트립 안테나 위에 게이돔과 같은 또 다른 유전체가 씌어져 있는 구조에 대해서 모멘트 법을 이용하여 해석을 하였다. 급전 구조의 정확한 해석을 위하여 어태치먼트 모드를 이용하여 패치와 급전겅에서의 전류의 연속성을 보장해 줌으로써, 급전점에서 급격히 변하는 전류성분들을 표현할 수 있었다. 해석된 결과는 실험을 통하여 검증되었고, 서로 잘 일치하고 있음을 확인할수 있었다.
원자력 발전소 증기발생기의 전열관은 전열면으로서의 역할과 방사능 차단벽의 역할로서 중요하며, 증기발생기 튜브의 폭발은 원자력 발전소 사고에 관계된다. 증기발생기 전열관 재료로는 Incone1600이 사용되고 있으며, 이 재료가 금속이면서 비자성이기 때문에 와전류 탐상법으로 전열관의 결함을 탐지하고 있다. 본 연구에서는 탐상 감도를 향상시키기 위하여 차등형 와전류 탐촉자를 개발하였으며, 개발된 차등형 와전류 탐촉자의 성능검사를 위해 Inconel600과 자기적 성질이 비슷하고 구하기 쉬운 SUS304로 가로 100mm, 세로 100mm, 그리고 두께 10mm인 평판에 선형결함과 원형결함을 가공하여 기준시편으로 제작하였다. 제작된 차등형 와전류 탐촉자를 사용하여, 자화주파수 50kHz, lift-off 0.4mm에서 직경이 0.25mm이고, 깊이가 0.2mm 크기의 결함까지 측정이 가능하였다.
절대형 와전류 탐촉자 인증 시험에 사용되는 인공 결함이 포함된 와전류 표준 시편을 개발하였다. 개발된 표준 시편은 ASTM E 1629에서 규정한 전기 전도도를 지니고 인공 결함을 포함하며 전체 형상과 규격, 인공 결함의 규격을 만족한다. 인공 결함의 규격은 너비 0.1 mm, 깊이 0.5 mm이다. 이 인공 결함은 기존에는 양 측 끝단만 측정이 가능하고 중간 부위의 측정이 불가능하여 가운데 부위의 인증이 불가능하였으나 초음파 기술을 적용하는 새로운 방법을 도입하여 $15\;{\mu}m$ 정도의 불확도로 측정을 하여 교정이 가능하도록 하였다.
In this paper we realized non-contact sheet resistance measurement system using eddy current. Proposed system is designed to meet the requirements which is necessary when dealing with conducting thin films on large area LCD panel. With several metals we could get lift-off curves which has the same trend as in principal. Especially in the region of high conductivity this system has more discriminating ability than 4-point probe system.
This thesis is about the result of conducting a specific experiment for the development of noncontact vibration displacement sensor for measuring the spindle vibration that is used for conditional monitoring of machinery. One should be careful when using the eddy current type displacement sensor because the sensitivity of it is different according to the quality of the material. While the probe used for nondestructive inspection adopts the effect of transmitting the material by using the high frequency domain, the eddy current type displacement sensor uses the lower frequency of around 1MHz. Also, while the nondestructive probe uses the method of enhancing output by using the resonance zone, the vibration displacement sensor utilizes the stable zone by avoiding the resonance zone. Since the oscillator of the converter uses the "L" element as Probe, its characteristic changes with the variation of a relevant impedance. In other words, if the length of Probe's Cable gets extended (Impedance increase), the sensitivity declines accordingly. The effect of surrounding temperature was small, but the influence of the quality of Sensor Coil used was high. Moreover, following an experimental demonstration of the phenomenon where the sensitivity decreases as the frequency of the tested material increases from a frequency response test, the maximum frequency that could be measured was approximately 1KHz. It was noted that the degree of precision could be maintained by using the gap of the probe in the linear zone at the installation site.
In this paper, we report the fabrication of the tip-on-gate of a field-effect-transistor (ToGoFET) probe using a standard complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process and the performance evaluation of the fabricated probe. After the CMOS process, I-V characteristic measurement was performed on the reference MOSFET. We confirmed that the ToGoFET probe could be operated at a gate voltage of 0 V due to channel ion implantation. The transconductance at the operating point (Vg = 0 V, Vd = 2 V) was 360 ㎂/V. After the fabrication process was completed, calibration was performed using a pure metal sample. For sensitivity calibration, the relationship between the input voltage of the sample and the output current of the probe was determined and the result was consistent with the measurement result of the reference MOSFET. An oxide sample measurement was performed as an example of an application of the new ToGoFET probe. According to the measurement, the ToGoFET probe could spatially resolve a hundred nanometers with a height of a few nanometers in both the topographic image and the ToGoFET image.
Journal of information and communication convergence engineering
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제6권1호
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pp.73-79
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2008
Result that study magnet nerve curer for treatment induced current generation and current of ion for development in main point incontinence, prostate, sphincter, nervous system, rigidity, headache, retrogression arthritis, ligament damage, Rheumatism arthritis, peripheral nerve etc., can classify by 4. Embodied do first, full bridge magnet occurrence chapter, and communication with PC is available, confirmed various action loops an experiment. Could confirm correct treatment probe second, woman and man disease person. Third, derived so that healing may be possible naturally by addition of apron form according to disease. Because composition of finally, treatment probe composes by act of negative plate form, manufacture is easy and cooling designed for easy direction. More superior result of cooling appeared than existing in incidental and ingredients, cooling efficiency, composition, complexity, convenience etc. that expense and composition manufacture very straightforwardly and experimental by 2 - Tank ways.
프로브로 급전되는 마이크로스트립 안테나의 경우 급전점에서 급격히 변하는 전류 성분들이 존재하게 되는데, 이러한 성분들은 패치와 프로브 간의 전류의 연속성을 보장해 줄 수 있는 어태치먼트 모드를 사용하여 정확하게 표현될수 있다. 본 논문은 프로브 급전구조를 정확하게 모델링 할 수 있는 어태치먼트 모드를 사용하여 레이돔이 올려진 원형 마아이크로스트립 안테나를 해석하여 반사 계수 및 이득 변화의 영향을 분석하였다.
Using a parallel plate DC plasma system was prepared. Using this equipment, we investigated the basic discharge characteristics of DC argon plasma in terms of electron density, temperature, voltage and current waveforms and plasma potential. The effects of the electrode gap distance, input voltage, ballast resistance and pressure were measured using electrostatic probe. Plasma simulation using fluid approximation has been performed. External circuit effects was included in the simulation. Measured and calculated current voltage characteristics show similar tendencies.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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