• 한국진공학회지
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• 제17권2호
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• pp.160-164
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• 2008

저속 에너지 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 $MgB_2$ 박막내의 원자 크기 정도 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 상전이 근처 온도에서 박막의 구조 변화를 측정하였다. 비등방성 구조로 된 $MgB_2$ 박막에서 초전도 특성을 갖는 상전이 온도 근처에서 S-변수를 측정하였다. 양전자의 입사 에너지 10keV에서 측정된 S-변수의 최고치는 박막의 온도가 30K에서 0.567이고, 50 K에서는 0.570로 큰 변화는 없었다. 이 결과로부터 양전자가 Boron 층의 초 전자와 소멸하기 보다는 Mg층 근처의 상 전자와 소멸하는 것으로 판단된다. $MgB_2$의 박막의 외층은 Mg층으로 이루어졌다고 할 수 있다.

• 한국진공학회지
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• 제13권2호
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• pp.92-98
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• 2004

양전자 소멸 분광법으로 시료에서 원자 크기 정도 결함의 특성을 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸에서 발생하는 511 KeV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 결함의 정도를 측정하였다. 임상에서 X-선 증감지로 0, 2, 4, 6년 동안 사용한 시료를 실험하였다. 각 시료들에서 측정된 S-변수는 0.4932부터 0.4956 정도의 변화를 보였다. 이에 상응하는 실험 방법으로 같은 시료에 X-선의 에너지와 조사시간 즉 6 MV 및 15 MV의 X-선을 사용하여 3, 6, 9, 그리고 12 Gy의 조사량을 변화시키면서 결함의 정도를 측정 비교하였다.

• 한국재료학회지
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• 제12권5호
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• pp.359-362
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• 2002

DBPAS has been used to characterize atomic level defect structures in materials. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was restricted to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the total amount of counts in a central portion of the spectrum and the total amount of counts. As samples were exposed by X-ray increasing from 3, 6, and 9 Gy with 6 MV, and 10 MV each and also by E-beam increasing the energies with 6 MeV, 9 MeV, 12 MeV, and 20 MeV. The S-parameter values were increased as increasing the exposed time and the energies. The S-parameters of the large and small size grains in $CaWO_4$ were measured. The S-parameter of the small size grains in $CaWO_4$ was resulted in larger values.

• 한국고분자학회:학술대회논문집
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• 한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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• pp.125-126
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• 2006

We show that thermal rearrangement of glassy polymers below the thermal degradation temperature can create unexpected and large microvoids in the membranes, leading to unexpected high gas permeability with high gas selectivity. These current polymer membranes display unexpected gas permeation-separation performance. There are above the upper-bound for conventional polymer membranes for several gas pairs. In the present study, molecular simulation, BET sorption, positron annihilation lifetime spectroscopy (PALS), and gas separation experiments were performed to characterize the unusual structure-property relationship of these rigid glassy polymer membranes.

• Korean Membrane Journal
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• 제1권1호
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• pp.8-24
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• 1999

free volume in polymers is defined as the difference of the specific volume and the volume which is not available for the particular molecular motion which is responsible or the process that is considered . Relations between free volume and viscosity free volume and diffusion coefficient are pre-sented both in the case of simple low molecular weight liquids and in the case of polymers. Molecular models and free volume models are reminded starting from the equilibrium state equation of Simha and Somcynski. The non equilibrium situations of specific volume of glass polymers below Tg are shown introducing different relaxation volume equations which involve different material's parameters and con-cept of the fictitious temperature. The diffusivity equations of Vrentas and Duda are introduced both for the glassy and rubbery states. The possibility of introducing time relaxation functions is also suggested. The importance of finding experimental evidences of the free volume is stressed. highlights of the free volume measurement methods are given in particular as to dilatometry photocromy fluorescence electron spin resonance small angle X-ray scattering positron annihilation spectroscopy.

• 한국진공학회지
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• 제18권6호
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• pp.447-452
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• 2009

동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법과 양전자 소멸 수명 측정법으로 BaSrFBr:Eu의 박막 시료에 0, 3, 5, 7.5 MeV 에너지의 양성자 조사에 의한 결함을 측정하여 박막구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511 keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 박막 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수가 박막에 조사된 양성자의 빔 에너지에 따라 변하지 않고 거의 일정한 값을 보였다. 따라서 양성자 조사에너지의 세기 변화에 따라 결함이 증가하지 않았으며, 그 이유는 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 박막 시료의 특정 깊이에 결함을 형성하여 박막전체의 결함으로 잘 나타나지 않기 때문으로 판단된다. 향후, 박막의 두께에 따른 결함의 분포를 측정하기 위해서는 양전자 선원 Na의 사용 대신 양전자 빔을 이용하여야 한다.

• 한국진공학회지
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• 제22권6호
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• pp.341-347
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• 2013

동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 n형과 p형 실리콘 시료에 40.0, 3.98 MeV 에너지를 가진 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 시료 특성을 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 전자 밀도 에너지에 의한 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수는 시료에 조사된 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 그리고 40 MeV 양성자 빔의 세기는 n형 실리콘에서 빔의 조사량 $20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$에서 3.98 MeV 보다 결함의 영향이 더 큰 것으로 나타났다. 그 결과 조사에 너지와 조사량의 상관관계를 비교 분석하였다. SRIM 시뮬레이션의 결과는, 양성자의 Bragg 피크 특성 때문에 시료 전체에 대한 결함으로 나타나기 보다는 양성자가 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하는 것을 보여 준다.