Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.18
no.4
/
pp.313-320
/
2005
Stick-slip friction is one of the material removal mechanisms in tribology. It occurs when the static friction force is larger than the dynamic friction force, and make the friction curve fluctuated. In the friction monitoring of chemical mechanical polishing(CMP), the friction force also vibrates just as stick-slip friction. In this paper, an attempt to show the similarity between stick-slip friction and the friction of CMP was conducted. The prepared hard pa(IC1000/Suba400 stacked/sup TM/) and soft pad(Suba400/sup TM/) were tested with SiO₂ slurry. The friction force was measured by piezoelectric sensor. According to this experiment, it was shown that as the head and table velocity became faster, the stick-slip time shortened because of the change of real contact area. And, the gradient of stick-slip period as a function of head and table speed in soft pad was more precipitous than that of hard one. From these results, it seems that the fluctuating friction force in CMP is stick-slip friction caused by viscoelastic behavior of the pad and the change of real contact area.
Transactions of the Korean Society of Machine Tool Engineers
/
v.17
no.2
/
pp.1-6
/
2008
In recent years, developments in the semiconductor and electronic industries have brought a rapid increase in the use of large size silicon wafer. For further improvement of the ultra precision surface and flatness of Si wafer necessary to high density ULSI, it is known that polishing is very important. However, most of these investigation was experiment less than 300mm diameter. Polishing is one of the important methods in manufacturing of Si wafers and in thinning of completed device wafers. This study reports the machining variables that has major influence on the characteristic of wafer polishing. It was adapted to polishing pressure, machining speed, and the slurry mix ratio, the optimum condition is selected by ultra precision wafer polishing using load cell and infrared temperature sensor. The optimum machining condition is selected a result data that use a pressure and table speed data. By using optimum condition, it achieves a ultra precision mirror like surface.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
/
v.38
no.8
/
pp.887-892
/
2014
In a conventional magnetic abrasive polishing process, the polishing abrasives are mixed with ferrous particles and slight cutting oil to form a cluster of abrasives. However, when a tool rotates at a high revolution speed, most of the polishing abrasives are scattered away from it due to the increase in centrifugal force. This phenomenon directly reduces the polishing efficiency. The use of a highly viscous matter such as silicone gel instead of cutting oil for mixing is one method to solve this problem and increase abrasive adhesion. Another method to avoid high abrasive scattering is the application of wet magnetic abrasive polishing (WMAP). In WMAP, abundant mineral oil is preliminarily applied to the workpiece surface. This study experimentally evaluated the effect of WMAP on abrasive adhesion. The relationship between the amount of working abrasives and polishing conditions was characterized. Despite the lower adhesion ratio of polishing abrasives, the surface roughness was found to be significantly improved as the result of WMAP.
Kim, Hyeong Jae;Jeong, Hae Do;Lee, Eung Suk;Sin, Yeong Jae
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
/
v.20
no.5
/
pp.39-39
/
2003
As the design rules in semiconductor manufacturing process become more and more stringent, the higher degree of planarization of device surface is required for a following lithography process. Also, it is great challenge for chemical mechanical polishing to achieve global planarization of 12” wafer or beyond. To meet such requirements, it is essential to understand the CMP equipment and process itself. In this paper, authors suggest the velocity distribution on the wafer, direction of friction force and the uniformity of velocity distribution of conventional rotary CMP equipment in an analytical method for an intuitive understanding of variation of kinematic variables. To this end, a novel dimensionless variable defined as “kinematic number” is derived. Also, it is shown that the kinematic number could consistently express the velocity distribution and other kinematic characteristics of rotary CMP equipment.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
/
v.20
no.5
/
pp.29-38
/
2003
As the design rules in semiconductor manufacturing process become more and more stringent, the higher degree of planarization of device surface is required for a following lithography process. Also, it is great challenge for chemical mechanical polishing to achieve global planarization of 12” wafer or beyond. To meet such requirements, it is essential to understand the CMP equipment and process itself. In this paper, authors suggest the velocity distribution on the wafer, direction of friction force and the uniformity of velocity distribution of conventional rotary CMP equipment in an analytical method for an intuitive understanding of variation of kinematic variables. To this end, a novel dimensionless variable defined as “kinematic number” is derived. Also, it is shown that the kinematic number could consistently express the velocity distribution and other kinematic characteristics of rotary CMP equipment.
Transactions of the Korean Society of Machine Tool Engineers
/
v.16
no.5
/
pp.90-95
/
2007
Single side final polishing is a very important role to stabilize a wafer finally before the device process on the wafer is executed. In this study, the machining variables, such as pressure, machining time, and the velocity of pad table were adopted. These parameters have the major influence on the characteristics of wafer polishing. We investigated the surface roughness changing these variables to find the optimal polishing condition. Pad, slurry, slurry quantity, and oscillation distance were set to the fixed variables. In order to reduce defects and find a stable machining condition, a hall sensor was used on the polishing process. AE sensor was attached to the polishing machine to verify optimal condition. Applying data analysis of the sensor signal, experiments were performed. We can get better surface roughness from loading the quasi static force and improving wafer-holding method.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
/
v.21
no.8
/
pp.34-42
/
2004
A new polishing technique for three dimensional micro/meso-scale parts is suggested using a micro quill and a magnetic chain structure. The principle of this method is to polish the target surface with the collected magnetic brushes at a micro tool by the non-uniform magnetic field generated around the tool. In a typical magnetic abrasive finishing process magnetic particles and abrasive particles are unbonded each other. But, to finish the three dimensional small parts bonded magnetic abrasive have to be used. Bonded magnetic abrasives are made from direct bonding, and their polishing characteristics are also examined. Alumina, silicon carbide and diamond micro powders are used as abrasives. Base metal matrix is carbonyl iron powder. It is found that bonded magnetic abrasives are superior to unbonded one by experiment. finally, the polished surface roughness is evaluated by atomic force microscope.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
/
v.11
no.1
/
pp.1-6
/
2012
The polishing of silicon wafers has an important role in semiconductor manufacturing. Generally, getting a flat surface such as a mirror is the purpose of the process. The wafer surface roughness is affected by many variables such as the characteristics of the carrier head unit, operation, speed, the pad and slurry temperature. Optimum process conditions for experimental temperature, pH value, down-force, slurry ratio are investigated, time is used as a fixed factor. This study carried out a series of experiments at varying platen, chuck rpm and oscillation cpm taking particular note of the difference between the rpm and the affect it has on the surface roughness. In this experiment determine the optimum conditions for polishing silicone wafers.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2005.11a
/
pp.358-359
/
2005
Chemical mechanical polishing(CMP) process depends on a variety of variables. Especially, surface roughness of pad plays a key role in material removal in CMP in terms of transportation ability of pores and real contact area. The surface roughness is deteriorated with polishing time by applied pressure and relative velocity. In this reason, diamond conditioner has been used to maintain the roughness on the pad. The authors try to investigate the correlation between pad roughness and frictional behavior by comparing ex-situ conditioning with in-situ conditioning.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
/
v.33
no.5
/
pp.514-520
/
2009
In configuring an automated polishing system, a monitoring scheme to estimate the surface roughness is necessary. In this study, a precision polishing process, magnetic abrasive finishing (MAF), along with an in-process monitoring setup was investigated. A magnetic tooling is connected to a CNC machining to polish the surface of stavax(S136) die steel workpieces. During finishing experiments, both AE signals and force signals were sampled and analysed. The finishing results show that MAF has nano scale finishing capability (upto 8nm in surface roughness) and the sensor signals have strong correlations with the parameters such as gap between the tool and workpiece, feed rate and abrasive size. In addition, the signals were utilized as the input parameters of artificial neural networks to predict generated surface roughness. Among the three networks constructed -AE rms input, force input, AE+force input- the ANN with sensor fusion (AE+force) produced most stable results. From above, it has been shown that the proposed sensor fusion scheme is appropriate for the monitoring and prediction of the nano scale precision finishing process.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.