Park, Young Sik;Shim, Ha-Mong;Na, Myung Hwan;Song, Ho-Chun;Yoon, Sanghoo;Jang, Keun Sam
The Korean Journal of Applied Statistics
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v.27
no.4
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pp.543-552
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2014
High bandwidth RF such as Bluetooth, GPRS, EDGE, 3GSM, HSDPA is papular in the mobile phone market. A non-conducting metal coating process requires an e-beam deposition of metal, two steps of UV hard coating primer and top coating; however, it is inefficient. We navigate to the electron beam irradiation conditions(resin surface treatment conditions) in the PC/ABS resin injection process. By analyzing the experimental results, we find the optimum development conditions for the electro deposition pre-treatment process and mass production lines using the plasma generated electron beam source.
Objectives: The purpose of this study was evaluating the applicability of the circulation dielectric barrier plasma process (DBD) for efficiently treating non-biodegradable wastewater, such as phenol. Methods: The DBD plasma reactor system in this study consisted of a plasma reactor (discharge, ground electrode and quartz dielectric tube, external tube), high voltage source, air supply and reservoir. Effects of the operating parameters on the degradation of phenol and $UV_{254}$ absorbance such as first voltage (60-180 V), oxygen supply rate (0.5-3 l/min), liquid circulation rate (1.5-7 l/min), pH (3.02-11.06) and initial phenol concentration (12.5-100 mg/l) were investigated. Results: Experimental results showed that optimum first voltage, oxygen supply rate, and liquid circulation rate on phenol degradation were 160 V, 1 l/min, and 4.5 l/min, respectively. The removal efficiency of phenol increased with the increase in the initial pH of the phenol solution. To obtain a removal efficiency of phenol and COD of phenol of over 97% (initial phenol concentration, 50.0 mg/l), 15 min and 180 minutes was needed, respectively. Conclusions: It was considered that the absorbance of $UV_{254}$ for phenol degradation can be used as an indirect indicator of change in non-biodegradable organic compounds. Mineralization of the phenol solution may take a relatively longer time than that required for phenol degradation.
Semiconductor industry has rapidly grown because of the need from electronic and computer industries. However the global environmental regulations for various hazardous chemical compounds, which are indispensably used in semiconductor manufacturing process, are getting stronger. The semiconductor industries should develop the cleaner technologies in order to both lead the future world market and avoid the regulations form environmentally developed countries. In this paper, cleaner technologies for semiconductor cleaning processes are surveyed, such as gas phase process, UV process, and plasma process. Advantages and disadvantages of these processes are discussed.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.28
no.5
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pp.300-305
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2015
$WO_3$, $SiO_2$, and $TiO_2$ films with hydrophilic property are deposited by rf-magnetron sputtering. Their wettability is strongly depends on the presence or absence of the oxygen plasma etching on the glass substrates. The $TiO_2$ film of 50 nm-thick on the plasma etched glass shows a water contact angle (WCA) below $5^{\circ}$ which means a super-hydrophilic surface. However, WCA values are gradually degraded when the films are exposed under atmosphere, especially $WO_3$. In order to improve hydrophilic property, the degraded films can be again recovered by UV illumination for 10 sec using UV-light and the $TiO_2$ film shows a super-hydrophilic surface about $3^{\circ}$.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.29
no.3
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pp.123-131
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2019
In this study, the development of transparent UV blocking material using $TiO_{2-x}$ oxide thin film process was developed. A process technology is related to a process technology for making a sample with ultraviolet-shielding property of visible light transmittance of 78 % or more (total light transmittance at 550 nm) and of a UV cut-off characteristic of more than 95 % at 315 nm in ultraviolet wavelength band. In this study, it is possible to establish a flexible device process condition of high performance ultraviolet (UV) shielding thin film, to design mixed type of transparent flexible device with heterogeneous characteristics and to formulate composite deposition technology, according to various market demands. Establishment of actual roll-to-roll continuous process and equipment and process technology will affect related industries greatly.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.54
no.6
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pp.340-347
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2021
Among various metal oxide semiconductors, ZnO has an excellent electrical, optical properties with a wide bandgap of 3.3 eV. It can be applied as a photocatalytic material due to its high absorption rate along with physical and chemical stability to UV light. In addition, it is important to control the morphology of ZnO because the size and shape of the ZnO make difference in physical properties. In this paper, we demonstrate synthesis of size-controlled ZnO tetrapods using an atmospheric pressure plasma system. A micro-sized Zn spherical powder was continuously introduced in the plume of the atmospheric plasma jet ignited with mixture of oxygen and nitrogen. The effect of plasma power and collection sites on ZnO nanostructure was investigated. After the plasma discharge for 10 min, the produced materials deposited inside the 60-cm-long quartz tube were obtained with respect to the distance from the plume. According to the SEM analysis, all the synthesized nanoparticles were found to be ZnO tetrapods ranging from 100 to 600-nm-diameter depending on both applied power and collection site. The photocatalytic efficiency was evaluated by color change of methylene blue solution using UV-Vis spectroscopy. The photocatalytic activity increased with the increase of (101) and (100) plane in ZnO tetrapods, which is caused by enhanced chemical effects of plasma process.
This paper is relative to the electroless deposition of nickel or copper films on polyimide and polytetrafluoroethylene substrates. First, it is presented an original approach of the electroless process which consists in grafting nitrogenated functionalities on the polymer surfaces via plasma or VUV-assisted treatments operating in a nitrogen-based atmosphere ($NH_3$, $N_2$), and then in catalysing the grafted surfaces in an aqueous tin-free, Pd(+2)-based solution. Adhesion of the Pd(+2) catalytic species on polymer surfaces is explained by the formation of strong covalent bonds between these species and the grafted nitrogenated groups. Second, it is show how a fragmentation test performed in conjunction with electrical measurements can be used to characterize the practical adhesion of the electroless coatings deposited on flexible polymer substrates, and to evidence the influence of some experimental parameters (plasma treatment time and nature of the gas phase).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.105-105
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2012
We have developed a photoemission-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition (PAPE-CVD) [1,2], in which photoelectrons emitting from the substrate surface irradiated with UV light ($h{\nu}$=7.2 eV) from a Xe excimer lamp are utilized as a trigger for generating DC discharge plasma as depicted in Fig. 1. As a result, photoemission-assisted plasma can appear just above the substrate surface with a limited interval between the substrate and the electrode (~10 mm), enabling us to suppress effectively the unintended deposition of soot on the chamber walls, to increase the deposition rate, and to decrease drastically the electric power consumption. In case of the deposition of DLC gate insulator films for the top-gate graphene channel FET, plasma discharge power is reduced down to as low as 0.01W, giving rise to decrease significantly the plasma-induced damage on the graphene channel [3]. In addition, DLC thickness can be precisely controlled in an atomic scale and dielectric constant is also changed from low ${\kappa}$ for the passivation layer to high ${\kappa}$ for the gate insulator. On the other hand, negative electron affinity (NEA) of a hydrogen-terminated diamond surface is attractive and of practical importance for PAPECVD, because the diamond surface under PAPE-CVD with H2-diluted (about 1%) CH4 gas is exposed to a lot of hydrogen radicals and therefore can perform as a high-efficiency electron emitter due to NEA. In fact, we observed a large change of discharge current between with and without hydrogen termination. It is noted that photoelectrons are emitted from the SiO2 (350 nm)/Si interface with 7.2-eV UV light, making it possible to grow few-layer graphene on the thick SiO2 surface with no transition layer of amorphous carbon by means of PAPE-CVD without any metal catalyst.
ZnO nanowires were synthesized by vapor-liquid-solid (VLS) process using ZnO and graphite powders on the sapphire substrate coated with an Au film as a catalyst. ZnO nanowires had two prominent emission bands; i) near-band edge (NBE) emission band at 380 nm, and ii) a relatively stronger deep level (DL) emission band ($I_{NBE}/I_{DL}$ <1). In order for the ZnO nanowires to be utilized as an effective material for UV emitting devices, the photoluminescence intensity of NBE needs to be improved with the decreased intensity of DL. In the current study, hydrogen plasma treatment was performed to improve the photoluminescence characteristics of ZnO nanowires. With the hydrogen plasma treatment time of more than 120 sec, the extent of performance improvement was gradually decreased. However, the intensity ratio of NBE to DL ($I_{NBE}/I_{DL}$) was significantly improved to about 4 with a relatively short plasma treatment time of 90 sec, suggesting hydrogen plasma treatment is a promising approach to improve the photoluminescence properties of ZnO nanowires.
Continuous and intense UV irradiation on PTT film using two types of UV bulbs at different irradiation power level was carried out to modify surface characteristics of the film including zeta potential, wettability, surface energy, and dyeability. ESCA analysis of the irradiated film showed higher O/C ratio than the untreated film indicating photooxidation of outer surface layer. ATR analysis showed that the ester bonds were broken and some new groups were produced such as carboxylic acid, phenolic hydroxy, and other esters, implying that ester bonds of PTT was responsible for the observed photooxidation effect. The surface of the treated PTT film became more hydrophilic and wettable to water, coupled with increased surface energy. Polar component of the surface energy increased and nonpolar component decreased with increasing irradiation energy. The treatment also decreased zeta potential of the modified surface and nanoscale roughness increased with increasing irradiation. The dyeability of the treated films to catonic dyes was significantly improved by electrostatic and polar interaction between dye molecules and the anionic film surface. The UV irradiation seems to be a viable polymer surface modification technology, which has advantages such as no vacuum requirement and continuous process unlike plasma treatment.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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