• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1319-1322
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• 2007

Planar PIN photodiode is compatible with LTPS process, and its fabrication requires no additional manufacturing process. In this study we design the optimum dimension of PIN diodes with two nitride layers to improve the efficiency of PIN diodes. The PIN photo sensor shows very good sensitivity to ambient light illuminance.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권12호
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• pp.545-552
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• 2003

When a Si PIN diode is exposed to fast neutrons, it results in displacement damage to the Si lattice structure of the diode. Defects induced from structural dislocation become effective recombination centers for carriers which pass through the base of a PIN diode. Hence, increasing the resistivity of the diode decreases the current for the applied forward voltage. This paper involves the development of a neutron sensor based on the phenomena of the displacement effect damaged by neutron exposure. The neutron effect on the semiconductor was analyzed. Several PIN diode arrays with various thickness and cross-section area of the intrinsic layer(I layer) were fabricated. Under irradiation tests with a neutron beam, the manufactured diodes have a good linearity to neutron dose and show that the increase of thickness of I layer and the decrease of cross-section of PIN diodes improve the sensitivity. Newly developed PIN diodes with thicker I layer and various cross section, were retested and then showed the best neutron sensitivity at the condition that the I layer thickness was similar to a side length. On the basis of two test results, final discrete PIN diodes with a rectangular shape were manufactured and the characteristics as neutron detectors were analyzed through the neutron beam test using on-line electronic dosimetry system. Developed PIN diode shows a good linearity as dosimetry in the range of 0 to 1,000cGy(Tissue) and its neutron sensitivity is 13mV/cGy at constant current of 5mA, that is three times higher than that of commercially available neutron detectors. And the device shows little dependency on the orientation of the neutron beam and a considerable stability in annealing test for a long period.

• ETRI Journal
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• 제32권2호
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• pp.312-318
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• 2010

A small reconfigurable patch antenna is proposed to achieve polarization diversity for digital multimedia broadcasting systems at 2.6 GHz. To obtain polarization diversity, a pair of on-slit PIN diodes is inserted in each diagonal of a cross-shaped patch. Thus, four PIN-diodes on these slits are utilized to change the connection of the slits and thus achieve polarization. Bias circuits for the diodes are allocated in the cutting corner of the cross-shaped patch to minimize the antenna size. The antenna produces left-hand circular polarization, right-hand circular polarization, or linear polarization, depending on the PIN-diode status. Analysis of circular polarization operation is explicated. Measurements show a gain of about 1.5 dB, a cross polarization of about -20 dB, and an axial ratio of about 2.5 dB.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권1호
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• pp.60-66
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• 2006

본 논문에서는 PIN 다이오드를 이용하여 다양한 편파 변환 특성을 갖는 마이크로스트립 원형 패치 안테나를 제안하였다. 안테나의 방사 패치에 두 개의 튜닝 스터브를 일정 거리를 두어 배치하고 PIN 다이오드로 각각의 튜닝 스터브를 방사 패치에 대하여 전기적으로 단락과 개방으로 스위칭함으로써 편파 변환 특성을 갖도록 하였다. 각각의 PIN 다이오드의 on/off 특성에 따라 안테나의 방사 특성은 두 주파수대의 선형 편파와 원형 편파, 우화전 원형 편파와 좌회전 원형 편파의 특성을 나타내게 된다. PIN 다이오드가 모두 on 또는 모두 off일 때 선형 편파가 발생하게 되고, 둘 중에 하나만 on되면 원형 편파 특성을 나타내게 된다. 안테나 측정 결과, 선형 편파일 경우에는 -10 dB 임피던스 대역폭은 각각 57.0 MHz($2.4\%$)와 50.0 MHz($2.1\%$)이며 방사 패턴에 있어서는 -15 dB 이하의 교차 편차 특성을 나타내었다. 또한, 원편파로 동작하는 경우, 좌${\cdot}$우 회전 편파에 대하여 모두 약 $1.3\%$의 축비 대역폭을 가졌으며 축비의 최소값은 0.2와 0.9 dB로 측정되었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제9권3호
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• pp.159-163
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• 2009

This paper presents the design and implementation of Q-band MMIC phase shifters using InGaAs PIN diodes. The topology using a thin-film microstrip line(TFMS) has been proposed to achieve the desired phase-shift as well as good loss characteristics. Five single-bit MMIC phase shifters have been implemented by using a developed BCB(benzocyclobutene)-based multi-layer fabrication technology. The developed phase shifters have less than 3.4 dB of insertion loss and better than 11 dB of input and output return loss in the frequency range of 43 to 47 GHz. To the authors' knowledge, this is the first demonstration of high-performance InGaAs PIN diode-based MMIC phase shifters operating at Q-band frequencies.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제15권2호
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• pp.115-119
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• 2015

This paper proposes a reconfigurable square-patch antenna with polarization diversity. The proposed antenna consists of a square radiating patch and a Y-shaped feed structure with two PIN diodes. The shape of the feed structure can be changed by adjusting the bias states of the two PIN diodes, which helps switch between two orthogonal linear polarizations. The polarization diversity characteristic is validated by the simulated current distribution and the measured radiation pattern.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.2522-2525
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• 2001

Si PIN diodes are subject to be damaged from the exposure of fast neutron by displacement of Si lattice structure. The defects are effective recombination centers for carriers which migrate through the base region of the PIN diode when forward voltage is applied. It causes an increase in current and a decrease in resistivity of the diode. This paper presents the development of a neutron sensor based on displacement damage effect. PIN diodes having various structures were made bymicro-fabrication process, and neutron beam test was performed to identify neutron damage effect to the diode. From a result of the test, it was shown that the forward voltage drop of the diode, at a constant current, has good linearity for neutron dosage. Also it was found that the newton dosage can be measured by the pin diode neutron dosimeter with constant current power.

• 한국전자파학회논문지
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• 제27권9호
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• pp.834-843
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• 2016

본 논문에서는 PIN 다이오드를 이용한 S-대역 고출력 경로선택형 SP4T 및 SP4T 구동회로의 설계를 보였다. 격리도 개선을 위하여 SP4T의 각 경로(path)는 직렬 및 병렬 PIN 다이오드 2개를 cascade하여 구성하였다. 설계된 SP4T 회로는 칩-형 PIN 다이오드와 박막(thin-film) 기법으로 제작된 20 mil AIN 기판을 사용하여 구현하였다. 또한, 설계된 SP4T의 구동회로는 1개의 multiplexer와 4개의 NMOS-PMOS push-pull 쌍을 이용하여 구성하였다. 온-웨이퍼 측정결과, 제작된 SP4T는 최대 삽입손실 1.1 dB, 최소격리도 41 dB의 특성을 보였다. 구동회로의 PIN 다이오드의 on-off, off-on 천이시간은 동일 PIN 다이오드의 패키지를 이용하여 시험하였으며, 모두 약 100 nsec 이하의 천이시간을 보였다. 150 W 입력 고출력 시험 결과, 격리도와 삽입손실은 동축 패키지의 손실 및 부정합을 고려하면 온-웨이퍼 측정결과에 준하는 결과를 얻었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권11호
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• pp.1090-1099
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• 2004

본 논문에서는 PIN 다이오드의 on/off특성을 이용해 공진 주파수가 변하는 정삼각형 마이크로스트립 안테나를 제안하였다. PIN 다이오드가 off 상태에서는 T 형태 스퍼라인(Spur-line)의 영향으로 스퍼라인 주위로 전류가 돌아서 흐르기 때문에 안테나의 공진 주파수가 1.22 GHz를 보였으나, PIN 다이오드가 on상태일 때는 T형의 스퍼라인이 I 형태 슬롯라인(Slot-line)으로 바뀌고, 이 I 형태의 슬롯라인에 의해 전류가 영향을 덜 받아서 안테나의 공진 주파수가 1.82 GHz를 나타내었고, 이는 일반적인 정삼각형 마이크로스트져 안테나와 공진 주파수와 차이가 거의 없었다. 제안한 안테나는 PIN다이오드가 on, off상태에서 모두 교차 편파가 -20 dB미만의 방사패턴을 가진 선형 편파 특성을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권4호
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• pp.368-379
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• 2006

본 논문에서는 기존의 실험 위주의 설계 기법보다는 해석적 방법에 의하여 3단으로 구성된 평판형 리미터 설계 및 제작 기법을 제시하였다. 해석 결과 PIN 다이오드로 구성된 리미터에 고출력의 RF 입력이 인가될 경우 두 가지 형태의 누설 전력이 발생하며 이의 PIN 다이오드 파라미터와 연관성을 설명하였다. 설계된 리미터 회로는 1단과 2단은 PIN diode로 구성되며 3단은 Schottky 다이오드를 사용 구성하였다. 이를 통하여 제작된 리미터회로는 약신호시 삽입 손실 0.8 dB, 20 W RF 입력시 첨두 누설 전력(spike leakage) 12 dBm, 정상 누설 전력 12 dBm의 사양을 보여주고 있다.