Azizkhani, Mohammadbagher;Kadkhodapour, Javad;Anaraki, Ali Pourkamali;Hadavand, Behzad Shirkavand;Kolahchi, Reza
Steel and Composite Structures
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v.35
no.6
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pp.779-788
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2020
Multi-Walled Carbon nanotubes (MWCNT) coupled with Silicone Rubber (SR) can represent applicable strain sensors with accessible materials, which result in good stretchability and great sensitivity. Employing these materials and given the fact that the combination of these two has been addressed in few studies, this study is trying to represent a low-cost, durable and stretchable strain sensor that can perform excellently in a high number of repeated cycles. Great stability was observed during the cyclic test after 2000 cycles. Ultrahigh sensitivity (GF>1227) along with good extensibility (ε>120%) was observed while testing the sensor at different strain rates and the various number of cycles. Further investigation is dedicated to sensor performance in the detection of human body movements. Not only the sensor performance in detecting the small strains like the vibrations on the throat was tested, but also the larger strains as observed in extension/bending of the muscle joints like knee were monitored and recorded. Bearing in mind the applicability and low-cost features, this sensor may become promising in skin-mountable devices to detect the human body motions.
1. Objective Pulse diagnosis is generally applied to Traditional Oriental Medicine but not to Sasang Constitution diagnosis. Recently new pulse analyzer using array piezoresistive sensor and multi-channel robot arm developed. It reflects Oriental Medical Doctors' diagnostic processes, and its reproducibility test was done at Korea Institute of Oriental Medicine. We performed this study to set parameters diagnosing Sasang Constitution. 2. Methods One hundred thirty three subjects participated in this study. They are healty and approved this study. Before being tested with pulse analyzer, they had interview with Sasang Constitution Specialist to diagnose their Sasang Constitution. We established some useful parameters from parameters of pulse analyzer according to the Original Texts of Oriental Medicine and clinical experiences to analyze with clinical data of this study. 3. Results (I) There is a significant difference in pre-dicrotic notch time among all parameters of pulse analyzer in Sasang Constitution groups(P=0.047). (2) There is a significant difference in maximum pulse pressure in 33 to 48 year Sasang Constitution groups(P=0.010). (3) There is a significant difference in frequency width in 17 to 32 year Sasang Constitution groups(P=0.002). (4) There is a significant difference in CFS value in groups which OMD diagnoses; Floating & Sinking pulse(P=0.020). (5) There is a significant difference in pulse rate in groups which OMD diagnoses; Rapid & Slow pulse(P=0.000). (6) There is a significant difference in maximum pulse pressure in groups which OMD diagnoses; Deficient & Solid pulse(P=0.000). 4. Conclusions Analyzing parameters in each Sasang Constitution group, we found it shows significant difference in maximum pulse pressure and corresponding tendency in coefficient of floating & sinking pulse with theories of Sasang Consti-tutional Medicine. As we accumulate more clinical data, we will establish algorithm to diagnose Sasang Constitution using a pulse analyzer.
This paper describes a novel concept of a chemically sensitive scanning force microscope (CS-SFM). It consists of the conventional SFM and the time-of-flight mass spectrometer (TOF-MS). A switchable cantilever (SC) fabricated by the micromachining technology combines each advantage of two completely different systems, SFM and TOF-MS. The CS-SFM offers to produce both images of topography and chemical information simultaneously. First we employed a rotatable tip holder based on 4 piezotube actuators for demonstration of the possibility of the CS-SFM concept. Second the CS-SFM concept is optimized with the micromachining technology. The micromachined SC with an integrated bimorph actuator and a piezoresistive strain sensor provides a reasonable switching speed of ${\sim}10$ ms which is very attractive for the CS-SFM application. The SC is currently being integrated in an ultra-high-vacuum system to perform various experiments.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.34D
no.7
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pp.30-36
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1997
Bump bonded piezoesistive silicon accelerometer was fabricated by the porous silicon micromachining and th eprocess technique of integrated circuit. The output voltage of the accelerometer fabricated on (111)-oreiented Si substrates with n/n$^{+}$n triple layers showed good linear characteristic of less than 1%. The measured sensitivity and the resonant frequency was about 743 .mu.V/g and 2.04 kHz, respectively. And the transverse sensitivity of 5.2% was measured from the accelerometer. Also, to investigate an influence on the output characteristics of the sensor due to bump bonding, the values of the piezoresistors were measured through thermal-cycling test in the temperature variation form -50 to 120.deg. C. Then, there was 0.014% resistance changes about 3.61 k.ohm., so sthe output charcteristics of the sensor was less affected by bump bonding.g.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.9
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pp.790-794
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2003
This paper describes the fabrication and characteristics of ceramic thin film type pressure sensors based on Ta-N strain gauges for high temperature applications. Ta-N thin-film strain gauges are deposited onto a thermally oxidized Si diaphragm by RF sputtering in an argon-nitrogen atmos[here($N_2$ gas ratio: 8%, annealing condition: 90$0^{\circ}C$, 1 hr.), patterned on a wheatstone bridge configuration, and used as pressure sensing elements with a high stability and a high gauge factor. The sensitivity is 1.097 ~ 1.21 mV/Vㆍkgf/$\textrm{cm}^2$ in the temperature range of 25 ~ 200 $^{\circ}C$ and the maximum non-linearity resistance), non-linearity than existing Si piezoresistive pressure sensors. The fabricated ceramic thin-film type pressure sensor is expected to be usefully applied as pressure and load sensors that os operable under high-temperature.
Advanced tactile sensors are receiving significant attention in various industries such as extended reality, electronic skin, organic user interfaces, and robotics. The capabilities of advanced tactile sensors require a variety of functions, including position sensing, pressure sensing, and material recognition. Moreover, they should comsume less power and be bio-friendly with human contact. Recently, a tactile sensor based on the triboelectrification effect was developed. Triboelectric tactile sensors have the advantages of wide material availability, simple structure, and low manufacturing cost. Because they generate electricity by contact, they have low power consumption compared to conventional tactile sensors such as capacitive and piezoresistive. Furthermore, they have the ability to recognize the contact material as well as execute position and pressure sensing functions using the triboelectrification effect. The aim of this study is to introduce the progress of research on triboelectrification-based tactile sensors with various functions such as position sensing, pressure sensing and contact material recognition.
A piezoresistive silicon acceleration sensor with 8 beams, utilized by an unique silicon micromachining technique using porous silicon etching method which was fabricated on the selectively diffused (111)-oriented $n/n^{+}/n$ silicon subtrates. The width, length, and thickness of the beam was $100\;{\mu}m$, $500\;{\mu}m$, and $7\;{\mu}m$, respectively, and the diameter of the mass paddle (the region suspended by the eight beams) was 1.4 mm. The seismic mass on the mass paddle was formed about 2 mg so as to measure accelerations of the range of 50g for automotive applications. For the formation of the mass, the solder mass was loaded on the mass paddle by dispensing Pb/Sn/Ag solder paste. After the solder paste is deposited, Heat treatment was carried out on the 3-zone reflow equipment. The decay time of the output signal to impulse excitation of the fabricated sensor was observed for approximately 30 ms. The sensitivity measured through summing circuit was 2.9 mV/g and the nonlinearity of the sensor was less than 2% of the full scale output. The output deviation of each bridge was ${\pm}4%$. The cross-axis sensitivity was within 4% and the resonant frequency was found to be 2.15 KHz from the FEM simulation results.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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v.9
no.5
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pp.105-111
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2000
Micronization of sensor is a trend of the silicon sensor development with regard to a piezoresistive silicon pressure sensor, the size of the pressure sensor diaphragm have become smaller year by year, and a microaccelerometer with a size less than 200~300${\mu}{\textrm}{m}$ has been realized. Over the past four or five years, numerical modeling of microsensors and microstructures has gradually been developed as a field of microelectromechanical system(MEMS) design process. In this paper, we study some of the micromachining processes of single crystal silicon(SCS) for the microaccelerometer, and their subsequent processes which might affect thermal and mechanical loads. The finite element method(FEM) has been a standard numerical modeling technique extensively utilized in structural engineering discipline for component design of microaccelerometer. Temperature rise sufficiently low at the suspended beams. Instead, larger temperature gradient can be seen at the bottom of paddle part. The center of paddle part becomes about 5~2$0^{\circ}C$ higher than the corner of paddle and suspended beam edges.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2005.10a
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pp.790-793
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2005
In these days, the piezoresistive material has been applied to various sensors in order to measure the change of physical quantities. But the relationship between the sensitivity of a sensor and the position and size of piezoresistor has rarely been studied. Therefore, this paper was focused on the effect of residual stress induced in piezoresistor on the distribution of resistance change ratio and supposed the feasible position of piezoresistor. The resulting are following; The tensile residual stress in the vicinity of piezoresistor decreased the value of resistance change ratio and could not effect on all the area of diaphragm but local area around the piezoresistor. Also, the piezoresistor in the diaphragm type pressure sensor with boss should fabricate in the edge of boss in order to increase the sensitivity of pressure sensor.
Lee, Ki Jung;Jo, Minuk;Fu, Chen;Eun, Kyoungtae;Oh, Haekwan;Choa, Sung-Hoon;Yang, Sang Sik
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.63
no.4
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pp.495-501
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2014
Piezoresistive-type, capacitive-type, and optical-type sensors have mainly been used for measuring a strain. However, in building a sensor network for remote monitoring using these conventional sensors there are disadvantages such as the complexity of a measuring system including wireless communication circuitry and high cost. In this paper, we demonstrates a highly-sensitive surface acoustic wave (SAW) strain sensor which is advantageous to harsh environments and wireless network. We designed and fabricated the SAW strain sensor. The SAW strain sensor attached on a specimen was tested with a tensile tester. The strain on the sensor surface was measured with a commercial strain gauge and compared with that obtained from strain analysis. The central frequency shift of the SAW sensor was measured with a network analyzer. The sensitivity of the SAW strain sensor is 134 $Hz/{\mu}{\varepsilon}$ which is high compared to previous results.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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