• Current Applied Physics
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• 제18권11호
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• pp.1294-1299
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• 2018

In this paper, we demonstrate the feasibility of constructing DNA nanostructures (i.e. DNA rings and double-crossover (DX) DNA lattices) with appropriate doxorubicin hydrochloride (DOX) concentration and reveal significant characteristics for specific applications, especially in the fields of biophysics, biochemistry and medicine. DOX-intercalated DNA rings and DX DNA lattices are fabricated on a given substrate using the substrateassisted growth method. For both DNA rings and DX DNA lattices, phase transitions from crystalline to amorphous, observed using atomic force microscopy (AFM) occurred above a certain concentration of DOX (at a critical concentration of DOX, $30{\mu}M$ of $[DOX]_C$) at a fixed DNA concentration. Additionally, the coverage percentage of DNA nanostructures on a given substrate is discussed in order to understand the crystal growth mechanism during the course of annealing. Lastly, we address the significance of optical absorption and photoluminescence characteristics for determining the appropriate DOX binding to DNA molecules and the energy transfer between DOX and DNA, respectively. Both measurements provide evidence of DOX doping and $[DOX]_C$ in DNA nanostructures.

• 한국마린엔지니어링학회:학술대회논문집
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• 한국마린엔지니어링학회 2001년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.158-162
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• 2001

SrS:Ce thin films for blue EL devices are prepared by Hot Wall Method and their crystallographic and optical characteristics are investigated by various methods. Deposition rates are decreased with substrate temperature, but increased with SrS cell temperature. The crystallographic characteristics are strongly affected by deposition rates. The peak of photoluminescence are found ar 470 and 540nm.

• 한국진공학회지
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• 제18권5호
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• pp.358-364
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• 2009

펄스레이저 증착법으로 박막의 결함 생성을 최소화하여 우수한 발광 특성을 가지는 ZnO 박막 성장에 대한 연구를 수행하였다. 이를 위하여 기판 온도를 $400^{\circ}C$에서 $850^{\circ}C$까지 변화시켜 박막을 증착한 후 엑스선 회절법, 원자힘 현미경, photoluminescence (PL) 등을 사용하여 박막의 특성 변화를 분석하였다. 그 결과 ZnO 박막은 기판 온도에 관계없이 (0001) 사파이어 기판에 c-축 배향성을 가지며 성장하였음을 확인하였고 기판온도 $600^{\circ}C$에서 가장 조밀한 박막이 형성되면서 박막에 응력이 거의 걸리지 않고 결정성도 우수함을 확인하였다. PL 분석 결과 역시 $600^{\circ}C$에서 증착된 ZnO 박막이 UV 발광 피크의 반치폭 및 결함에 의한 가시영역에서의 발광 등을 고려했을 때 가장 뛰어난 특성을 보여주었다. 이와 같은 결과는 ZnO 박막의 발광 특성이 박막의 구조적 특성과 매우 밀접한 관계가 있음을 나타내며 또한 기판 온도가 매우 중요한 역할을 함을 나타낸다. 결론적으로 기판 온도 $600^{\circ}C$에서 우수한 UV 발광 특성을 가지면서 결함에 의한 가시영역 발광이 거의 나타나지 않는 ZnO 박막을 성장시킬 수 있었고 이러한 박막은 UV 광소자에 응용될 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국진공학회지
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• 제15권1호
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• pp.81-88
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• 2006

다중 적층법을 이용하여 수평방향으로 자기정렬된 InGaAs/GaAs 양자점(quantum dot, QD)을 제작하고, 원자력간 현미경(AFM) 사진과 발광(PL) 스펙트럼을 이용하여 QD의 특성을 분석하였다. 적층주기가 증가함에 따라 정렬 QD의 길이가 길어지고, 임계 성장온도 이상에서는 QD 사이의 상호확 산에 의하여 양자선 형태로 변화함을 관측하였다. 성장 변수가 서로 다른 4개 시료의 비교 분석을 통하여, 수직으로 적층되면서 비등방성 정렬이 이루어지고, 수 ${\mu}m$ 이상 1차원적으로 정렬된 QD 사슬 모양 의 구조를 얻을 수 있었다. 또한 성장일시멈춤 과정을 통한 이주시간의 증가는 QD의 1차윈 정렬에 중요한 변수임을 알 수 있었다. 고온에서 덮개층을 형성한 QD 구조에서 관측된 발광 에너지의 청색변위 현상은 InGaAs QD로부터 In이 덮개층으로 확산되었기 때문으로 해석된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제33권1호
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• pp.1-16
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• 2023

LED용 비희토류 기반 strontium-aluminate 계 적색 발광 형광체를 고상반응법으로 합성하였고, 합성온도 및 Mn⁴⁺ 활성제 첨가량이 형광체의 발광특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 합성된 SrAl₂O₄:Mn⁴⁺ 형광체는 330 및 460 nm 근처 파장에서 피크가 나타나는 근자외선 및 청색 영역의 광대역 흡광 특성과 644, 658, 및 673 nm 근처의 세 개의 피크로 이루어진 삼중밴드 형태의 deep red 발광 특성을 나타내었다. 합성온도 1600℃, 0.5 mol% Mn⁴⁺ 이온 첨가량에서 합성된 SrAl₂O₄:Mn⁴⁺ 형광체가 가장 우수한 발광 특성을 나타내었고, 0.7 mol% 이상의 첨가량에서는 농도소광이 관찰되었다. FE-SEM 및 DLS 입도크기분포 분석 결과 합성된 SrAl₂O₄:Mn⁴⁺ 형광체 2~6.4 ㎛의 입도 분포 및 불규칙한 구형을 나타내며 약 4 ㎛의 평균 입자 크기를 갖는 것으로 조사되었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.228-233
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• 2010

Methyl hydrogen polysiloxne으로 처리한 ZnO, fumed $SiO_2$와 다양한 망간 전구체를 이용하여 서브마이크로미터 크기를 갖는 망간이 도핑된 $Zn_2SiO_4$ 형광체 입자를 고상법으로 제조하였다. 결정화와 광발광 특성은 XRD, SEM, PL스펙트라를 이용하여 분석하였다. 고상법으로 제조한 망간 도핑된 $Zn_2SiO_4$는 methyl hydrogen polysiloxne 처리한 ZnO의 분산과 응집 때문에 $1000^{\circ}C$에서 성공적으로 얻어졌고, 진공자외선 여기하에서 제조된 입자의 최대 PL강도는 0.02mol Mn, $1000^{\circ}C$에서 확인되었다.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제19권6호
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• pp.687-694
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• 2015

A photoluminescence (PL) imaging method using a vision camera was employed to inspect InGaN/GaN quantum-well light-emitting diode (LED) epi-wafers. The PL image revealed dark spot defective regions (DSDRs) as well as a spatial map of integrated PL intensity of the epi-wafer. The Shockley-Read-Hall (SRH) nonradiative recombination coefficient increased with the size of the DSDRs. The high nonradiative recombination rates of the DSDRs resulted in degradation of the optical properties of the LED chips fabricated at the defective regions. Abnormal current-voltage characteristics with large forward leakages were also observed for LED chips with DSDRs, which could be due to parallel resistances bypassing the junction and/or tunneling through defects in the active region. It was found that the SRH nonradiative recombination process was dominant in the voltage range where the forward leakage by tunneling was observed. The results indicated that the DSDRs observed by PL imaging of LED epi-wafers were high density SRH nonradiative recombination centers which could affect the optical and electrical properties of the LED chips, and PL imaging can be an inspection method for evaluation of the epi-wafers and estimation of properties of the LED chips before fabrication.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권10호
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• pp.31-36
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• 1999

질소 화합물의 새로운 형광체를 개발하기 위하여 $CaSiN_2:Eu,\;CaSiN_2:Tb$ 형광체를 합성한 후, 빛 발광 (photoluminescence, PL) 및 전계 발광(electroluminescence, EL) 특성을 평가하였다. $Ca_3N_2$, $Si_3N_4$ 및 $EuF_3$ 또는 $TbF_3$의 미분말을 혼합, 성형 및 소결하여 질소 화합물 형광체를 합성하였다. 합성된 $CaSiN_2:Eu,\;CaSiN_2:Tb$ 형광체의 PL 특성이 각각 Eu, Tb 이온에 의한 고유한 발광 파장과 일치하여 형광체로의 활용 가능성을 확인하였다. 스퍼터링 방법으로 제작된 $CaSiN_2:Eu$ 박막 전계 발광(thin-film electroluminescence, TFEL) 소자의 문턱 전압과 280 V에서의 발광 휘도는 각각 90 V, 1.62 $cd/m^2$ 임을 알 수 있었다. 또한 change-voltage(Q-V) 및 transferred charge-phosphor Field($Q_t-F_p$)의 전기적 특성도 함께 측정되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제48권2호
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• pp.183-188
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• 2011

In this article, the effect of the crystal structural environment of $Pr^{3+}$ ions on the photoluminescence (PL) characteristics of double tungstates, such as $A(M_{1-X}Pr_X)W_2O_8$ (A=Li, Cs, M = In, Y, Sc, La; $0.007{\leq}x{\leq}0.1$) and $La_{1.96}Pr_{0.04}W_3O_{12}$ are characterized. By varying the ion radius in A and M sites, the structural environment of $Pr^{3+}$ ions were modified. The structural criteria, that is, the point charge electrostatic potentials V around the $Pr^{3+}$ activator, were calculated using the crystal structural parameters. The point charge potential V can be a valid criterion for $^3P_o$ quenching in various double tungstates. When the calculated V values are large (> 6.0), the luminescence from the $^3P_0$ level becomes dominant. When the calculated V values are about 3.8, the $^1D_2$ line appears weakly but $^3P_0$-level luminescence is absent. When the calculated V values are small (< 2.0), the luminescence from the $^1D_2$ level becomes dominant and $^3P_0$-level luminescence is absent. At 2.0$^3P_o$ quenching to $^1D_2$ level occurs substantially in accordance with the structural criterion of the point charge potential model.

• Advances in nano research
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• 제1권2호
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• pp.71-82
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• 2013

A simple chemical precipitation technique is reported for the synthesis of a hybrid nanostructure of single-wall carbon nanotubes (SWCNT) and titania ($TiO_2$) nanocrystals of average size 5 nm, which may be useful as a prominent photocatalytic material with improved functionality. The synthesized hybrid structure has been characterized by transmission electron microscopy (HRTEM), energy-dispersive X-ray analysis (EDAX), powder X-ray diffractometry (XRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and Raman spectroscopy. It is clearly revealed that nearly monodispersed titania nanocrystals (anatase phase) of average size 5 nm decorate the surfaces of SWCNT bundles. The UV-vis absorption study shows a blue shift of 16 nm in the absorbance peak position of the composite material compared to the unmodified SWCNTs. The photoluminescence study shows a violet-blue emission in the range of 325-500 nm with a peak emission at 400 nm. The low temperature electrical transport property of the synthesized nanomaterial has been studied between 77-300 K. The DC conductivity shows semiconductor-like characteristics with conductivity increasing sharply with temperature in the range of 175-300 K. Such nanocomposites may find wide applications as improved photocatalyst due to transfer of photo-ejected electrons from $TiO_2$ to SWCNT, thus reducing recombination, with the SWCNT scaffold providing a firm and better positioning of the catalytic material.