• 한국광학회지
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• 제21권1호
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• pp.6-11
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• 2010

아크릴레이트계 모노머를 사용한 최적화 된 포토폴리머에 안트라센 형광폴리머를 첨가하여 형광 특성을 가지는 포토폴리머를 제조하고, 514 nm 레이저를 이용하여 2-beam coupling 방법으로 형광 포토폴리머 필름 위에 회절격자를 형성하였다. 기록 시작 후 30초 이내에 선명한 fluorescent line pattern 이 형성되었으며, 회절격자 형성 뒤, 패턴이 형성된 부분에서 형광 세기의 증가가 관찰되었다. 기록 시 간섭 빔 앞에 mask pattern 을 이용하여 $50\;{\mu}m$ gap electrode 패턴을 형성하였다. 이 때 형성된 패턴은 micron scale gap패턴 안에 회절격자로부터 생성된 submicron scale의 grating line을 보였다. 이는 beam의 광 고분자 film 표면에 대한 각도($3.6^{\circ}$, $15^{\circ}$), 패턴에 사용된 광 고분자의 굴절률 등으로부터 Bragg's equation 을 사용하여 계산된 이론적인 grating 간격 ($0.6\;{\mu}m$) 과 오차범위 안에서 일치 하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 ITC-CSCC -2
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• pp.851-854
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• 2000

Digital halftoning is a technique to make an equivalent binary image from scanned photo or graphic images. Low pass filtering characteristic of human visual system can be applied to get the effect of spatial averaging of local area consisted of black and white pixels for gray image. The overlapping of black dot decreases brightness and black dot is very sensitive to human visual system in the bright region. In this paper, for gray-level expression, only bright gray region in the color image is considered for blue noise mask (BNM) approach. To solve this problem, BNM with CMY dot is used for the bright region instead of black dot. Dot-on-dot model with single mask causes the problem making much black dot overlap, color distortion. Therefore approach with three masks for C, M and Y each is proposed to decrease pixel overlap and color distortion.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.279-280
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• 2009

• 한국염색가공학회지
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• 제29권1호
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• pp.45-54
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• 2017

Ultraviolet radiation have much influenced with a deep wrinkles, roughness, laxity of skin damage and pigmentation through oxidative stress and oxidative photo-damage. This study investigates the functional properties of hydrogel facial mask sheets made from agar, Styela clava tunics and Broussonetia papyrifera tunics. The skin of S. clava is covered with a hard cellulose containing glycoprotein, glycosaminoglycan and chondroitin sulfate. B. papyrifera is better known as Paper mulberry. It contains kazinol which serves as a tyrosinase inhibitor and skin whitening agent. The tensile strength of facial mask sheet was measured by universal testing machine, and the water absorption and moisture permeability of facial mask sheet were measured by dryer. Additionally, the DPPH assay and MTT assay were conducted for anti-oxidative activity and cytotoxicity of facial mask sheet. The whitening effect of the facial mask sheet was measured by tyrosinase inhibitor assay. These tests showed that the three ingredients are suitable cosmetic materials. The results reveal that they produce a high quality hydrogel facial mask sheet when the membrane contains 1%(W/V) of agar, 0.1%(W/V) of B. papyrifera tunics and 0.05%(W/V) of S. clava tunics.

• 한국정밀공학회지
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• 제22권1호
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• pp.199-206
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• 2005

Mask manufacturing is a high COC and COO process in developing of semiconductor devices because of mask production tool with high resolution. Direct writing has been thought to be the one of the patterning method to cope with development or small-lot production of the device. This study consists two categories. One is the additional process of the direct and maskless patterning generation using SLA for easy and convenient application and the other is a removal process using wet-etching process. In this study, cured status of epoxy pattern is most important parameter because of the beer-lambert law according to the diffusion of UV light. In order to improve the contact force between patterns and substrate, prime process was performed and to remove the semi-cured resin which makes a bad effects to the pattern, spin cleaning process using TPM was also performed. At a removal process, contact force between photo-curable resin as an etching mask and Si wafer is important parameter.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권8호
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• pp.1-5
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• 2006

본 논문은 극자외선 리소그래피용 마스크의 결함을 극자외선을 이용하여 검출하는 방법과 기존의 가시광선을 이용하여 결함을 검출해 내는 시스템과 비교하고, 인위적으로 만들어진 결함을 이용하여 극자외선이 결함에 조사되었을 때의 반사되는 패턴을 분석하였다. 포커스된 극자외선을 래스터 스캔 방식으로 조사하면서 반사되는 극자외선의 세기를 비교함으로서 결함을 발견해 내는 시스템을 구축하였고, 이를 이용하여 기존의 가시광선을 이용하는 결함 검출 장비와 상관 실험을 진행하여 반사된 빛의 세기로 예측한 결함의 크기가 두 검출 방법 사이에 강한 상관관계를 가짐을 확인하였다. 또한, 인광판을 이용하여 극자외선이 결함에 조사되어 반사되는 패턴을 영상화하여 크기별, 결함의 종류별로 다른 프린지 패턴을 가지는 것을 확인하였다.

• 한국광학회지
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• 제20권1호
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• pp.23-28
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• 2009

본 논문에서는 대면적 리소그래피를 위하여 홀로그램 영상을 연결하여 기록 물질에 저장하고 이를 마스크로 이용하는 노광 방법을 제안하고 구현하였으며, 홀로그램 영상을 재생하는 과정에서 발생되는 영상 연결 부분에서의 간섭 무늬를 제거하였다. 연결하고자 하는 영상은 DMD(digital micro-mirror device)로 표시하였으며, DMD 영상은 축소 광학계를 통하여 기록 물질에 저장되었다. 기록 물질은 전동 스테이지로 이동되도록 하여, DMD로 표시되는 영상이 기록 물질에 연속적으로 저장되도록 하였다. 이러한 방법으로 저장되는 연결된 영상은 재생광에 의하여 노광에 사용되는데, 재생광의 간섭성에 의하여 연결부분에 간섭무늬가 발생된다. 간섭무늬는 노이즈로 작용하는데, 다중 노광에 의한 홀로그램 영상의 기록과 재생을 이용하여 이를 제거하였다. 본 논문에서는 DMD와 전동 스테이지를 이용하여 영상을 연결하여 기록하고, 다중 노광에 의한 영상 기록 방법을 이용하여, 간섭 무늬가 제거된 연결된 영상을 구현하고 이를 리소그래피에 적용하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.339-339
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• 2010

Photo-assisted wet chemical etching of GaN thin film was studied using KOH based solutions. A $2{\mu}m-2{\mu}m$ titanium line-and-space pattern was used as a etching mask. It is found that the etching characteristics of the GaN thin film is strongly dependent on the pattern direction by unisotropic property of KOH based solution. When the pattern was aligned to the [$11\bar{2}0$] directions, ($10\bar{1}n$)-facet is revealed constructing V-shaped sidewalls.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.189-189
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• 2015

Plasmonics, sensor, field effect transistors, solar cells 등 다양한 적용분야를 가지는 실리콘 구조체는 제작공정에 의해 전기적 및 광학적 특성이 달라지기 때문에 적합한 나노구조 제작방법이 요구되고 있다. 나노구조체 제작방법으로는 Photo lithography, Extreme ultraviolet lithography (EUV), Nano imprinting lithography (NIL), Block copolymer (BCP) 방식의 방법들이 연구되고 있으며, 특히 BCP는 direct self-assembly 특성을 가지고 있으며 가격적인 면에서도 큰 장점을 가진다. 하지만 BCP를 mask로 사용하여 식각공정을 진행할 경우 BCP가 버티지 못하고 변형되어 mask로서의 역할을 하지 못한다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 본 논문에서는 BCP와 질화막을 이용한 double mask 방법을 사용하였다. 기판 위에 BCP를 self-assembly 시키고 mask로 사용하여 hole 부분으로 노출된 기판을 Ion gun을 통해 질화 시킨 후에 BCP를 제거한다. 기판 위에 hole 모양의 질화막 표면은 BCP와 다르게 etching 공정 중 변형되지 않는다. 이러한 질화막 표면을 mask로 사용하여 pillar pattern의 실리콘 나노구조체를 제작하였다. 질화막 mask로 사용되는 template은 PS와 PMMA로 구성된 BCP를 사용하였다. 140kg/mol의 polystyrene과 65kg/mol의 PMMA를 톨루엔으로 용해시키고 실리콘 표면 위에 spin coating으로 도포하였다. Spin coat 후 230도에서 40시간 동안 열처리를 진행하여 40nm의 직경을 가진 PS-b-PMMA self-assembled hole morphology를 형성하였다. 질화막 형성 및 etching을 위한 장비로 low-energy Ion beam system을 사용하였다. Reactive Ion beam은 ICP와 3-grid system으로 구성된 Ion gun으로부터 형성된다. Ion gun에 13.56 MHz의 frequency를 갖는 200W 전력을 인가하였다. Plasma로부터 나오는 Ion은 $2{\Phi}$의 직경의 hole을 가지는 3-grid hole로 추출된다. 10~70 voltage 범위의 전위를 plasma source 바로 아래의 1st gird에 인가하고, 플럭스 조절을 위해 -150V의 전위를 2nd grid에 인가한다. 그리고 3rd grid는 접지를 시켰다. chamber내의 질화 및 식각가스 공급은 2mTorr로 유지시켰다. 그리고 기판의 온도는 냉각칠러를 이용하여 -20도로 냉각을 진행하였다. 이와 같은 공정 결과로 100 nm 이상의 높이를 갖는 40 nm직경의 균일한 Silicon pillar pattern을 형성 할 수 있었다.

• 한국인쇄학회지
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• 제16권3호
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• pp.81-95
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• 1998

If a image doesn't include sufficient data of output size and resolution, we will scan again the image. Interpolation generates a new pixel by methematical average of processing. In the interpolation method, there are nearest neighbor interpolation, bilinear interpolation and bicubic interpolation etc. This study was carried out for the purpose of researching compatible method to digital scan image caused by only different interpolation methods. Nearest neighbor interpolation show superior effect in the drawing image. Bilinear interpolation show reduction in detail and contrast. Bicubic interpolation show superior effect in the digital photo image USM(Unsharp Mask) application after extension by interpolation show better than extension by interpolation after USM(unsharp mask) application.