• 소성∙가공
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• 제18권4호
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• pp.310-316
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• 2009

Micro lens array(MLA) is widely used in information technology(IT) industry fields for various applications such as a projection display, an optical power regulator, a micro mass spectrometer and for medical appliances. Recently, MLA have been fabricated and developed by using a reflow method having the processes of micro etching, electroplating, micro machining and laser local heating. Laser thermal relaxation method is introduced in marking of microdots on the surface of densified glass. In this paper, we have proposed a new direct fabrication process using UV laser local thermal-expansion(UV-LLTE) and investigated the optimal processing conditions of MLA on the surface of negative photo-resist material. We have also studied the 3D shape of the micro lens obtained by UV laser irradiation and the optimal process conditions. And then, we made chrome mold by electroplating. After that, we made MLA using chrome mold by hot embossing processing. Finally, we have measured the opto-physical properties of micro lens and then have also tested the possibility of MLA applications.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제14권9호
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• pp.4467-4471
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• 2013

본 연구에서는 Nano급 반도체 생산공정에서 필수적인 스피너(spinner) 설비의 감광액 도포(photo resist coating)시스템의 효율을 획기적으로 개선할 수 있는 새로운 완전스캔(Full-scan) 방식의 감광액 도포시스템(FPCS : Full-scan Photo-resist Coating System)을 개발하였다. 또한, 감광액의 미 도포로 인한 복합적인 공정불량을 예방하기 위하여 실시간(real-time)으로 상태요소들을 감시할 뿐만 아니라 상태요소의 비정상적 변화나 웨이퍼 가공불량이 발생할 경우 해당 유니트(unit)를 정지시킴과 동시에 원격지에 있는 엔지니어에게 경보를 전송함으로써 즉각적인 대처가 가능할 수 있도록 개발하였다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제10권3호
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• pp.295-299
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• 2012

Defect generation during organic bottom anti-reflective coating (BARC) in the photo lithography process is closely related to humidity control in the BARC coating unit. Defects are related to the water component due to the humidity and act as a blocking material for the etching process, resulting in an extreme pattern bridging in the subsequent BARC etching process of the poly etch step. In this paper, the lower limit for the humidity that should be stringently controlled for to prevent defect generation during BARC coating is proposed. Various images of defects are inspected using various inspection tools utilizing optical and electron beams. The mechanism for defect generation only in the specific BARC coating step is analyzed and explained. The BARC defect-induced gate pattern bridging mechanism in the lithography process is also well explained in this paper.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1994년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.113-115
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• 1994

We considered the ion and photo-induced properties as a function of wavelength by exposing the light over the band gap of a-Ag/a-$Se_{75}$$Ge_{25}$ and the low-energy defocused $Ga^{+}$ ion beam on Ag/a-$Se_{75}$$Ge_{25}$ thin film. This film acts as a negative resist for photo or ion beam lithography. We observed that the absorbance coefficient decreased with increasing the photo-exposing time and exposing the ion beam. The bandgap shifts toward longer wavelength called a "darkening effect" are observed in the films exposed to both photons and ions. We suggest that a primary step in the Ag layer and a secondary step is in a-$Se_{75}$$Ge_{25}$ film layer.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제18권1호
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• pp.38-41
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• 2019

Proton beam writing is a direct writing lithography technique for semiconductor fabrication process. The advantage of this technique is that the proton beam does not scatter as they travel through the matter and therefore maintain a straight path as they penetrate into the resist. The experiment has been carried out at Accelerator Mass Spectrometry facility. The focused proton beam with the fluence of $100nC/mm^2$ was exposed on the PMMA coated silicon sample to make a pattern on a photo resist. The results show the potential of proton beam writing as an effective way to produce semiconductor fabrication process.

• 한국가스학회지
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• 제25권5호
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• pp.1-10
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• 2021

반도체 Photo Resist (PR) 자동화 장비는 여러 인화성 물질을 혼합하여 사용하며, 인화성 물질이 공정 중 누출되는 경우 다양한 사고로 이어질 수 있어 위험성 평가가 필요하다. 본 연구는 PR 자동화 장비에서 사용되는 Acetone, PGMEA의 누출 빈도와 이러한 누출이 화재 사고로 이어질 수 있는 빈도를 빈도분석 방법을 통해 분석하였으며, 현 설비의 추가적인 위험성 경감 조치의 필요성을 평가하였다. IOGP의 공정 누출 데이터와 점화 확률 데이터를 기반으로 누출 빈도 및 점화 확률을 도출하였으며, 이를 조합하여 실제 화재 사고의 빈도를 분석하였다. 반도체 PR 공정 중에 발생할 수 있는 물질 누출에 대한 빈도는 7.30E-03/year이며, 화재 사고는 물질이 누출되었을 때 인화점 이상의 상태로 존재하는 Acetone에 의해 발생할 수 있으며, 빈도는 1.24E-05/year의 수준으로 계산되었다. UK HSE에서 제시하는 자료에 따르면, 1.24E-05/year의 빈도로 발생하는 주요 사고에 대해서는 7명 이내의 사망자를 발생시킬 때 위험성 경감을 위한 추가 조치가 필요 없는 수준 "Broadly Acceptable" 이라고 정의하고 있어, 2인 1조로 운영되는 공정의 특성상 별도의 위험성 경감 조치가 요구되지 않는다.

• 한국가스학회지
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• 제25권6호
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• pp.35-44
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• 2021

반도체 공정 중 PR (Photo Resist) 공정은 여러 인화성 물질을 혼합하여 사용하는 공정으로, 공정 장비가 Clean Room 내 설치되어 인화성 물질이 누출되는 경우 질식, 화재, 폭발 사고로 이어질 위험성이 크므로, 물질 누출시 발생할 수 있는 사고에 대한 영향을 분석하고, 작업자들의 안전을 보장할 수 있는지 평가하는 것이 필요하다. 본 연구는 FLACS CFD - Fire Module을 이용하여 10개의 누출, 화재 시나리오에 대한 CFD Simulation을 통해 Clean Room 내부 가상으로 설정한 Monitor Point에서의 복사열 및 온도 변화 값을 확인하였다. Clean Room 내부에서 발생한 화재는 층간 구조물에 높은 복사열을 전달하지만, 그 범위가 상당히 제한적이며, 단일 화재 사고로 인해 붕괴될 가능성이 희박하다. 화재 사고로 인해 탈출구로 이어지는 2 곳의 계단이 동시에 높은 복사열에 노출되는 시나리오는 없어, 화재 발생시 작업자가 탈출 가능하였다. 또한 복사열 및 온도 상승의 수준은 아래층으로 이동하면서 급격하게 낮아지는 것을 확인하였으며, API 520의 기준에 따라 작업자가 30초 동안 버틸 수 있는 복사열인 6.31 kW/m²에 노출된 작업자도 화재가 발생한 Clean Room 내부에서 충분히 탈출할 수 있음을 확인하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.12.1-12.1
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• 2009

For the micro conductive line, memory device fabrication process use many expensive processes such as manufactur-ing of photo mask, coating of photo resist, exposure, development, and etching. However, direct printing technology has the merits about simple and cost effective processes because nano-metal particles contained inks are directly injective without mask. And also, this technology has the advantage about fabrication of fine pattern line on various substrates such as FPCB, PCB, glass, polymer and so on. In this work, we have fabricated the fine and thick metal pattern line on flexible PCB substrate for the next generation electronic circuit using Ag nano-particles contained ink. To improve the line tolerance on flexible PCB, metal lines are fabricated by sequential prinitng method. Sequential printing method has vari-ous merits about fine, thick and high resolution pattern lines without bulge.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2005년도 창립60주년 기념 추계 학술대회
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• pp.42.1-42.1
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• 2005

• 한국레이저가공학회:학술대회논문집
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• 한국레이저가공학회 2005년도 추계학술발표대회 논문집
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• pp.37-41
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• 2005

When screen size of the Flat Panel Display (FPD) becomes larger, the traditional photo-lithography using photomasks and UV lamps might not be possible to make patterns on Photo Resist (PR) material due to limitation of the mask size. Though the maskless photo-lithography using UV lasers and scanners had been developed to implement large screen display, it was very slow to apply the process for mass-production systems. The laser exposure system using 405 nm semi-conductor lasers and Digital Micromirror Devices (DMD) has been developed to overcome above-mentioned problems and make more than 100 inches FPD devices. It makes very fine patterns for full HD display and exposes them very fast. The optical engines which contain DMD, Micro Lens Array (MLA) and projection lenses are designed for 10 to 50 ${\mu}m$ bitmap pattern resolutions. The test patterns for LCD and PDP displays are exposed on PR and Dry Film Resists (DFR) which are coated or laminated on some specific substrates and developed. The fabricated edges of the sample patterns are well-defined and the results are satisfied with tight manufacturing requirements.