• 재활치료과학
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• 제7권3호
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• pp.47-58
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• 2018

목적 : 본 연구의 목적은 경도 치매 노인의 주의 집중력과 기억력 향상을 위한 아이패드 어플리케이션 중재법의 효과를 알아보기 위함이며, 중재법의 효과를 통하여 임상현장의 작업치료사에게 근거를 제시하고자 한다. 연구방법 : 경도 치매 노인 한 명을 대상으로 단일대상연구 중 ABA 설계로 연구를 진행하였다. 총 20회기를 기초선 A 5회기, 중재기 B 10회기, 기초선 A' 5회기로 나누어서 각 회기별 30분씩 진행되었다. 중재기 때는 'Memorado-움직이는 공, '와 'Circles'라는 두 어플리케이션으로 주의 집중력 및 기억력 훈련을 실시하였고, 매 회기마다 Fit Brains의 '짝 맞추기, '와 '틀린 그림 찾기'로 주의 집중력과 기억력 수준의 변화를 평가하였다. 또한 사전 및 사후 평가로 한국판 노인형 기호잇기검사, 숫자외우기 검사, 한국판 간이 정신상태 검사를 실시하였다. 결과 : Fit Brains '짝 맞추기'와 '틀린 그림 찾기'를 매 회기 시행해본 결과 중재기부터 주의 집중력과 기억력이 향상되는 것을 확인할 수 있었다. 사전 및 사후 평가로 실시된 한국판 노인형 기호잇기검사는 전, 후 대비 A형의 경우 정답 수 3점 증가, 오류 수 3점 감소, B형의 경우 정답 수 7점 증가, 오류 수 2점 감소를 보여 점수변화를 나타냈으나, 숫자외우기 검사와 한국판 간이 정신상태 검사에서는 점수 변화가 미미하였다. 결론 : 본 연구는 아이패드 어플리케이션 중재방법을 통해 경도 치매 노인의 집중력과 기억력의 향상을 확인하였고, 추후 연구에서는 다양한 어플리케이션과 더 많은 표본을 대상으로 장기간 진행될 필요가 있을 것이다.

• 열처리공학회지
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• 제2권4호
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• pp.47-55
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• 1989

The effects of thermal cycle, aging heat treatment and Boron addition on the phase transformation characteristics and mechanical properties of the shape memory alloys of Cu-Zn-Al system, which was designed to operate about $80^{\circ}C$ by this research group, were studied. From the view point of the effects of thermal cycle on the phase transformation temperature change, it was found that up to 100 cycles Ms and Af points increased by $3-7^{\circ}C$ and Mf decreased a little bit and after that all of them were remain constant, and As point was not affected. All of the phase transformation temperatures were decreased $5-7^{\circ}C$ by aging heat treatment, at $140^{\circ}C$ for 24h however the effects of thermal cycle on aged alloys were same as on unaged alloys. As the thermal cycle increased the shape memory ability decreased a little up to 20 cycles, but above that it kept almost same ability. By Boron addition, grain size was refined from $1500{\mu}m$ to about $330{\mu}m$ and the hardness, fatigue property were improved but shape memory ability was lowered.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제37권1호
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• pp.88-93
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• 2024

To evaluate the possibility as a multi-level memory medium for the Ge₂Sb₂Te₅/TiN/W-doped Ge₂Sb₂Te₅ cell structure, the crystallization rate and stabilization characteristics according to voltage (V)- and current (I)- pulse sweeping were investigated. In the cell structures prepared by a magnetron sputtering system on a p-type Si (100) substrate, the Ge₂Sb₂Te₅ and W-doped Ge₂Sb₂Te₅ thin films were separated by a barrier metal, TiN, and the individual thicknesses were varied, but the total thickness was fixed at 200 nm. All cell structures exhibited relatively stable multi-level states of high-middle-low resistance (HR-MR-LR), which guarantee the reliability of the multilevel phase-change random access memory (PRAM). The amorphousto-multilevel crystallization rate was evaluated from a graph of resistance (R) vs. pulse duration (T) obtained by the nanoscaled pulse sweeping at a fixed applied voltage (12 V). For all structures, the phase-change rates of HR→MR and MR→LR were estimated to be approximately t<20 ns and t<40 ns, respectively, and the states were relatively stable. We believe that the doublestack structure of an appropriate Ge-Sb-Te film separated by barrier metal (TiN) can be optimized for high-speed and stable multilevel PRAM.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권3호
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• pp.363-369
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• 2017

Phase-change random access memory (PRAM) has been emerged as a potential memory due to its excellent scalability, non-volatility, and random accessibility. But, as the cell current is reducing due to cell size scaling, the read-sensing window margin is also decreasing due to increased variation of cell performance distribution, resulting in a substantial loss of yield. To cope with this problem, a novel adaptive read-sensing reference current generation scheme is proposed, whose trimming range and resolution are adaptively controlled depending on process conditions. Performance evaluation in a 58-nm CMOS process indicated that the proposed read-sensing reference current scheme allowed the integral nonlinearity (INL) to be improved from 10.3 LSB to 2.14 LSB (79% reduction), and the differential nonlinearity (DNL) from 2.29 LSB to 0.94 LSB (59% reduction).

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.110-110
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• 2009

최근 차세대 비휘발성 메모리(NVM) 기술은 메모리의 성능과 기존의 한계점을 효과적으로 극복하며 활발한 연구를 통해 비약적으로 발전하고 있으며 특히, phase-change random access memory (PRAM)은 ferroelectric random access memory (FeRAM)과 magneto-resistive random access memory (MRAM)과 같은 다른 NVM 소자와 비교하여 기존의 DRAM과 구조적으로 비슷하고 상용화가 빠르게 진행될 수 있을 것으로 예상되는 바, PRAM에 사용되는 상변화 물질의 식각을 수행하고 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 통해 표면의 열화현상을 관찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.112-115
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• 2003

There is a growing need for a nonvolatile memory technology with faster speed than existing nonvolatile memories. $T_c$(crystallization temperature) is confirmed by measuring the conductivity with the varying temperature. The sample is heated on the hotplate and slow down to the room-temperature. We prepared Te based alloy bulk. The materials can be used for nonvolatile random access memory.

• Journal of Power Electronics
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• 제13권2호
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• pp.264-274
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• 2013

A new sensorless position estimation method for switched reluctance motor (SRM) drives is presented in this paper. This method uses the change of the slope of the phase inductance to detect the aligned position. Since the aligned positions for successive electrical cycle of each phase are apart by a fixed mechanical angle $45^{\circ}$ in the case of 12/8 SRM, the speed of the machine can be calculated to estimate the rotor position. Since no prior knowledge of motor parameters is required, the method is easy for implementation without adding any additional hardware or memory. In order to verify the validity of this technique, effects such as changes in the advanced angle and phase lacking faults are examined. In addition, an inductance threshold based sensorless starting scheme is also proposed. Experimental results demonstrate the validity of the proposed method.

• 한국항공우주학회지
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• 제35권10호
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• pp.940-947
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• 2007

초음속 전투기급 비행제어 컴퓨터(FLCC)의 성능향상을 위해 프로세서(CPU) 및 CPU 보드의 형상이 변경되었으며, 하드웨어형상 확정 단계에서 정확한 실시간 처리량 예측이 필요하였다. 본 연구에서는 실시간 처리량 예측을 위한 실험적 방법이 시도되었다. 기존 FLCC를 정상 동작시키며 한 Sampling Time 동안　CPU(SMJ320C40) Address Bus 데이터를 획득 및 디코드하여 메모리별 접근 및 분기 횟수를 측정하였다. 측정된 데이터를 통해, 신규 FLCC CPU(SMJ320C601) Demo Board를 제작하여 정확한 실시간 처리량 예측시험을 수행하였으며, 시험결과를 통해 CPU-Memory Architecture를 조기에 변경할 수 있었다. 특히 설계 변경에 따른 문제점들 중의 하나인 Power- Interruption에 대한 비행 안정성 저하여부를 판단하기 위하여 HILS (Hardware-In-the Loop Simulator)를 통한 비행검증시험이 수행되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권12호
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• pp.982-987
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• 2011

In this study, $Ge_8Se_{(2+x)}Te_{(6-x)}$ thin film amorphous-to-crystalline phase-change rate was evaluated in using a nano-pulse scanner. The focused laser beam with a diameter <10 ${\mu}m$ was illuminated in the power (P) and pulse duration (t) ranges of 1-31 mW and 10-460 ns, respectively, with subsequent detection of the responsive signals reflected from the film surface. We also evaluated the material characteristics, such as optical absorption and energy gap, crystalline phases, and sheet resistance of as-deposited and annealed films. The result of experiments showed that the thermal stability of the Ge-Se-Te film is largely improved by adding Se.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.166-166
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• 2007

PRAM (phase-change random access memory)은 전류 펄스 인가에 따른 기록매질의 비정질-결정질 간 상변화와 그에 동반되는 저항변화를 이용하는 차세대 비휘발성 메모리 소자로서 연구되어지고 있다. 본 논문에서는 $(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}Se_x$ (x=0,0.05,0.1,0.15) 조성에 대한 벌크 및 박막시료를 제작하고 각 조성에 대한 상변화 특성을 분석하였다. XRD를 통해 열처리 온도에 따른 구조적 분석을 실시하였고 UV-Vis-IR spectrophotometer를 사용하여 박막의 광학적 특성을 분석하였다. 또한 각 조성의 결정화 속도를 비교하기 위해 static tester를 사용하여 레이저 펄스 시간에 대한 반사도 변화를 측정하였고 DSC를 통해 결정화 온도를 측정하였다.