• Korean Chemical Engineering Research
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• 제48권4호
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• pp.511-514
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• 2010

불소계 고분자 물질인 $Cytop^{TM}$ 박막을 간단하고 경제적인 스핀코팅 방법을 이용하여 반도체 표면에 선택적으로 형성시킨 후, AlGaN/GaN HEMT 소자의 반도체 보호막(passivation layer)으로써 활용가능성을 고찰하기 위하여 전기적 특성이 분석되었다. $Cytop^{TM}$ 보호막이 적용된 AlGaN/GaN HEMT 소자와 적용되지 않은 소자의 게이트 래그 특성이 비교되었다. 보호막이 적용된 소자는 dc 대비 65%의 향상된 펄스 드레인 전류를 보였다. HEMT 소자의 rf 특성이 측정되었으며, $Cytop^{TM}$ 박막이 적용된 소자는 PECVE $Si_3N_4$ 보호막이 적용된 소자와 유사한 소자 특성을 나타냈다. 이는 게이트와 드레인 사이에 존재하는 표면상태 트랩의 보호막에 의한 감소에 의한 것으로 판단된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.420-423
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• 2008

The characteristics of $Al_2O_3/Ag/Al_2O_3$ multilayer passivaton prepared by twin target sputtering (TTS) system for organic light emitting diodes. The $Al_2O_3/Ag/Al_2O_3$ multilayer thin film passivation on a PET substrate had a high transmittance of 86.44 % and low water vapor transmission rate (WVTR) of $0.011\;g/m^2$-day due to the surface plasmon resonance (SPR) effect of Ag interlayer and effective multilayer structure for preventing the intrusion of water vapor. Using synchrotron x-ray scattering and field emission scanning electron microscope (FESEM) examinations, we investigated the growth behavior of Ag layer on the $Al_2O_3$ layer to explain the SPR effect of the Ag layer. This indicates that an $Al_2O_3/Ag/Al_2O_3$ multilayer passivation is a promising thin film passivation scheme for organic based flexible optoelectronics.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1480-1483
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• 2005

Transparent thin composite films (TCFs) were deposited on OLED devices by means of RF sputtering method and their passivation-properties were evaluated by comparing to the e-beam evaporating method. This composite film formed by mixed ratio of MgO (3wt %): $SiO_2$ (1wt %) was developed from pallet as a source of e-beam evaporator to 6-inch size target for sputtering in order to apply for large-sized organic display devices. Water Vapor Transmission Rates (WVTR) of the deposited films were measured as a function of thickness to assess the effectiveness of this film as a passivation layer and it applied to real devices. From this study, we can confirm that the passivation layer formed by TCFs using RF sputtering method sufficiently shows the potentiality of application to passivation layer for organic display devices.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권1호
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• pp.25-30
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• 2002

본 논문에서는 PECVD 장비를 이용하여 PHEMT 소자의 passivation 막으로 사용되는 Si₃N₄박막의 특성을 최적화하고, 0.25 ㎛급 PHEMT 제작에 적용하였다. 제작된 PHEMT(60 ㎛×2 fingers)의 소자 특성을 측정한 결과, passivation 후 드레인 포화전류와 최대 전달 컨덕턴스는 passivation 전보다 각각 2.7% 와 3%씩 증가하였으며, 전류이득 차단 주파수는 53 ㎓, 최대 공진 주파수는 105 ㎓ 였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1443-1445
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• 1996

Hydrogen passivation enhances the electrical characteristics of poly-Si TFT(Thin Film Transistor). However, the weak Si-H bonds, generated during hydrogenation, degrade the stability of the device. So, we carried out the passivation treatment with $NH_3$ or $N_2$. We compared the effect of $NH_3$ or $N_2$ passivation treatments with that of hydrogenation in terms of stability. Through the $NH_3$ passivation treatment, we obtained the most improved subthreshold swing of 1.2V/decade from the initial subthreshold swing of 1.56V/decade. When electrical stress was given, the $NH_3$ passivated devices showed best electrical stability.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.402-402
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• 2011

본 연구에서는 결정질 태양전지 제작에 있어 재료비 절감과 기존의 Screen Printing 공정 기술에서의 단점을 보완하기 위한 방안으로 후면 passivation 구조와 레이저를 이용한 국부적 후면 전극 형성(Laser Fired Contact) 방법에 대한 실험을 진행하였다. 후면 passivation 층으로 SiO2/ SiNx/SiO2 삼중막 구조와 SiNx 단일막 구조를 형성시킨 후 anneal 온도에 따른 소수캐리어의 lifetime 변화를 비교하였다. LFC 형성은 2 ${\mu}m$ 두께의 Al이 증착된 기판 후면에 1,064 nm 파장의 레이저를 통해 diameter와 dot pitch 등의 파라미터를 가변 하여 실시하였다. 실험 결과 800$^{\circ}C$의 고온 열처리 후 ONO 삼중막에서의 lifetime 향상이 우세하여 SiNx 단일 막 보다 열적 안정성이 우수함을 확인하였다. LFC 결과 diameter가 40, 50, 60 ${\mu}m$로 가변된 조건에서는 40 ${\mu}m$ 일 경우와 dot pitch가 200, 500, 1,000 ${\mu}m$로 가변된 조건에서는 1,000 ${\mu}m$일 경우 610 mV의 Voc 값을 보였다. 이는 레이저를 통해 국부적으로 Al-Si 간 alloy를 형성시킴으로써 접촉 면적이 최소화됨에 따라 후면에서의 캐리어의 재결합속도를 감소시키고, passivation 효과를 극대화시키기 때문이다.

• 공업화학
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• 제17권5호
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• pp.433-442
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• 2006

금속표면처리 기술 분야에서 광범위하게 적용되어온 6가 크롬에 의한 부식억제방법은 더 이상 사용할 수 없는 단계에 이르렀다. 전 세계적으로 자동차 산업에 적용되기 시작한 이 6가 크롬사용에 대한 규제는 전자산업을 비롯한 모든 산업에 예외 없이 적용될 것이다. 이에 따라 새로운 부식억제 방법이 절대적으로 필요하며, 3가 크롬을 바탕으로 하는 새로운 부식억제 방법이 그 자리를 대신할 것이다. 따라서 본 총설에서는 6가 크로메이트 대체를 위한 화성코팅에 대한 공정 개발을 위해 현재까지 진행된 과정 및 제안된 3가 크롬화성코팅을 소개하여 획기적인 3가 크로메이트 화성코팅 공정의 확립에 기여하고자 한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.60-64
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• 2003

In this study, the inorganic thin-film passivation layer was newly adopted to protect the organic layer from moisture and oxygen. Using the electron beam evaporation system, the various kinds of inorganic thin-films were deposited onto the organic layer and their interface properties between organic and inorganic layer were investigated. In this investigation, the MgO layer showed the most suitable properties, and based on this result, the time dependent emission properties were estimated for the OLED with and without passivation layer. In this experiment, we can see that the time-dependent emission properties of MgO passivated OLED had longer life-time compared to non-passivated OLED. Therefore, we can consider that the MgO thin film is one of the most suitable candidates for the thin-film passivation layer of OLED.

• Corrosion Science and Technology
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• 제10권4호
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• pp.125-130
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• 2011

This study was performed to improve the corrosion resistance and the stability of passive film on copper tube by potentiostatic polarization method in synthetic tap water. Formation of passive film was carried out by anodic potentiostatic polarization at various passivation potentials and passivation times in 0.1 M NaOH solution. Stability of passive film and corrosion resistance was evaluated by self-activation time, ${\tau}_0$ from passive state to active state on open-circuit state in 0.1 M NaOH solution. Addition of polyphosphate in NaOH solution prolonged the self-activation time and improved the corrosion resistance, and the addition of 5 ppm polyphosphate was most effective. It was also observed that better corrosion resistance was obtained by potentiostatic polarization at 1.0 V (vs. SCE) than at any other passivation potentials. Passivated copper tube showed perfect corrosion resistance for the immersion test in synthetic tap water showing that the anodic potentiostatic polarization treatment in 0.1 M NaOH with 5 ppm polyphosphate solution would be effective in improving the corrosion resistance and preventing the blue water problem.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제10권1호
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• pp.57-61
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• 2011

To develop high efficiency crystalline solar cells, the rear surface passivation is very important. In this paper, $Al_2O_3$ films deposited by thermal ALD(atomic layer deposition) method were studied for rear surface passivation of crystalline solar cells and their passivation properties were evaluated. After the deposition of $Al_2O_3$ films on p-type Si wafers, the lifetime was increased very much due to the reduction of interface state density and the field effects of the negative fixed charge in the films. Also, optimum annealing condition and effects of SiNx capping layer were investigated. The best lifetime was obtained when the films were annealed at $400^{\circ}C$ for 15min. And the lifetime degradation of the $Al_2O_3$ films with SiNx capping layers was improved compared to those without the capping layers.