• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
• /
• pp.492-496
• /
• 2001

Due to their better photosensitivity in X-ray, the amorphous selenium based photoreceptor is widely used on the X-ray conversion materials. It was possible to control the charge carrier transport of amorphous selenium by suitably alloying a-Se with other elements(e,g. As, Cl). In this paper, We investigated dopants(As, Cl) composition rate to improve dark resistivity and transport properties of charge carrier in amorphous selenium using by direct X-ray conversion material. Alloying a-Se with As inhibits the recrystallization of a-Se but introduces undesirable deep hole traps. then doping with Cl(in the ppm range) compensates for the deep hole traps. We investigated their composition rate in various doping conditions and then obtained optimum dopant composition rate. The result was Se-As 0.3%-c] 30 ppm and X-ray Sensitivity was 0.57 pC/$pixel{\cdot}mR$ at $137{\mu}m{\times}137{\mu}m$ Pixel area.

• 원예과학기술지
• /
• 제19권1호
• /
• pp.87-91
• /
• 2001

본 연구는 수경재배 바실의 MA 저장시 적정 저장 온도를 선정하고 기능성 배가를 위해 양액 내 첨가한 Se이 바실의 저장성에 미치는 영향을 조사하고자 수행하였다. 바실은 European Vegetable R & D Center에서 개발한 허브 배양액 1배액을 사용하여 담액 순환식으로 재배하였으며, Se을 sodium selenate($Na_2SeO_4$)의 형태로 수확 3주 전 2, 4, 6, $8mg{\cdot}L^{-1}$의 농도로 양액 내 첨가하였다. 바실의 MA 저장 시 $5^{\circ}C$에서는 저온장해가 발생하여 전해질 용출량이 크게 증가하였다. 그러나 Se 처리에 의해 저장기간을 무처리구에 비해 3일간 연장시킬 수 있었다. $10^{\circ}C$ 저장 시 $5^{\circ}C$보다 생체중 감소율이 적었으며, 비타민 C 함량도 더 높았다. Se 처리는 작물 내 비타민 C 함량을 증가시키고 전해질 용출량은 감소시켰다. 작물 내 Se 함량은 Se 처리 농도에 따라 증가하였으며 저장 전 $2mg{\cdot}L^{-1}$ 처리구에서는 $67{\mu}g{\cdot}g^{-1}DM$, $8mg{\cdot}L^{-1}$ 처리구에서는 $423{\mu}g{\cdot}g^{-1}DM$을 함유하였다. 이상에서 바실의 MA 저장 시 저온장해를 줄이고 여러 가지 내적 품질을 유지하기 위해서는 $10^{\circ}C$ 저장 온도가 적합하다. 또 보다 안전하게 Se 함유 바실을 섭취하기 위한 적정 Se 처리농도는 $Na_2SeO_4\;2mg{\cdot}L^{-1}$ 이하가 효과적이라고 생각된다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제4권3호
• /
• pp.10-14
• /
• 2003

In this paper, we have introduced the x-ray detector built with a CsI:Na scintillation layer deposited on amorphous selenium. To determine the thickness of the CsI:Na layer, we have estimated the transmission spectra and the absorption of continuous x-rays in diagnostic range by using computer simulation (MCNP 4C). A x-ray detector with 65 ${\mu}m$-CsI:Na/30 ${\mu}m$-Se layer has been fabricated by a thermal evaporation technique. SEM and PL measurements have been performed. The dark current and x-ray sensitivity of the fabricated detector has been compared with that of the conventional a-Se detector with 100 ${\mu}m$ thickness. Experimental results show that both detectors exhibit a similar dark current, which was of a low value below $400 pA/cm^2$ at 10 V/${\mu}m$. However, the CsI:Na-Se detector indicates high x-ray sensitivity, roughly 1.3 times that of a conventional a-Se detector. Furthermore, a CsI:Na-Se detector with an aluminium reflective layer shows a 1.8 times higher x-ray sensitivity than an a-Se detector. The hybrid type detector proposed in this work exhibits a low dark current and high x-ray sensitivity, and, in particular, excellent linearity to the x-ray exposure dose.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
• /
• pp.191-194
• /
• 2000

In this study, we have investigated the photoinduced birefringence(PB), ${\Delta}n$ in chalcogenide $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film with a He-Ne Laser at 633nm as In this study, we have investigated the photoinduced birefringence(PB), ${\Delta}n$ in chalcogenide $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film with a He-Ne Laser at 633nm as a pumping beam and a semiconductor laser at 780nm as a probing beam. The PB for the variable thickness of thin films was investigated. The thickness of the thin films is about $0.4{\mu}m$, $0.92{\mu}m$, $1.4{\mu}m$, $2.0{\mu}m$, respectively. The experimental result of PB in chalcogenide thin films was represented higher PB in the thickness of thin film, $0.92{\mu}m$. It was meant to represent higher PB in the thickness of the film that was made closely the optimal thickness, $0.96{\mu}m$. The optimal thickness of thin film, $0.96{\mu}m$ was calculated by the penetration depth of the pumping light Also, the PB in thickness of $0.92{\mu}m$ was obtained almost two times higher 0.15 than other thickness of thin films.

• 한국진공학회지
• /
• 제21권3호
• /
• pp.142-150
• /
• 2012

CIGS 박막 태양전지 기판소재인 소다라임유리 표면에 플라즈마 전처리 후 DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Mo 박막을 제조하였다. 증착압력과 증착시간 변화에 따른 Mo 박막의 물리적, 전기적 특성을 분석하였고, 셀렌화 처리 조건에 따른 $MoSe_2$ 생성 여부와 경향성을 연구하였으며, Mo 박막 두께에 따른 AZO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 구조의 태양전지를 제조하여 그 특성을 분석 및 평가하였다. 증착압력이 4.9 mTorr에서 1.3 mTorr로 감소할수록 치밀하고 결정입자 사이의 공극이 적고, 증착속도가 감소하고 전기저항도가 낮은 Mo 박막이 증착되었다. 증착온도가 상온에서 $200^{\circ}C$로 증가할수록 Mo 박막은 치밀한 구조를 가지고 결정성은 향상되어 면저항이 낮게 나타났다. 셀렌화 시간이 길어질수록 Mo 박막 층은 줄어들고, $MoSe_2$ 층 생성두께가 커지는 것을 알 수 있었고, 열처리로 인해 결정화 되면서 전체 박막의 두께가 줄어들었으며, $MoSe_2$ 층의 배양성은 c축이 Mo 표면과 수직 방향으로 성장된 것을 알 수 있었다. Mo 박막의 두께가 1.2 ${\mu}m$와 0.6 ${\mu}m$인 AZO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 구조로 이루어진 CIGS 박막 태양전지를 제조하였다. Mo 박막의 두께가 1.2 ${\mu}m$일 때 보다 0.6 ${\mu}m$일 때 CIGS 박막 태양전지의 변환 효율은 9.46%로 비교적 우수한 특성을 나타났다. CIGS 박막 태양전지에서 하부전극인 Mo 박막 특성은 유리기판 및 광흡수 층과의 계면 형성 따라 큰 영향을 미친다는 것을 알 수 있었고, 유리기판의 플라즈마 처리와 Mo 박막의 두께조절로 Na 효과 및 $MoSe_2$층 형성 제어함으로써 CIGS 박막 태양전지의 특성 개선에 효과를 가질 수 있었다.

• 한국축산시설환경학회지
• /
• 제18권3호
• /
• pp.145-150
• /
• 2012

한우 깔짚 더미에서 배출되는 $CH_4$의 일별 배출량은 측정 시작일의 273.013 ${\mu}g\;m^{-2}\;s^{-1}$ (SE : ${\pm}1.047{\mu}g\;m^{-2}s^{-1}$)을 최대로 하여 점차 감소하여 측정 마지막 일에는 2.309 ${\mu}g\;m^{-2}\;s^{-1}$ (SE : ${\pm}0.061{\mu}g\;m^{-2}\;s^{-1}$)이었다. $N_2O$의 일별 배출량은 $CH_4$의 배출량과 달리 측정 시작일에는 0.267 ${\mu}g\;m^{-2}\;s^{-1}$ (SE : ${\pm}0.018{\mu}g\;m^{-2}\;s^{-1}$)로 미미하였으나 시간이 지남에 따라 지수적으로 증가하여 시험 시작 후 43일째에 3.596 ${\mu}g\;m^{-2}\;s^{-1}$ (SE : ${\pm}0.454{\mu}g\;m^{-2}\;s^{-1}$)로 최대를 기록한 후 서서히 감소하여 마지막 일에는 1.888 ${\mu}g\;m^{-2}\;s^{-1}$ (SE : ${\pm}0.012{\mu}g\;m^{-2}\;s^{-1}$) 이었다. 지구온난화지수를 이용한 $CH_4$과 $N_2O$ 배출량을 $CO_2$-eq로 환산했을 때, 시험첫 날 $CH_4$에 의한 $CO_2$-eq가 전체 환산량의 약 99%였다. 이후 $CH_4$의 배출량이 감소하고 $N_2O$의 배출이 증가하면서 34일 째에 $CH_4$과 $N_2O$에 의한 CO-eq 비율이 50:50이 되었으며 이후 $N_2O$의 영향이 더 컸다. $CH_4$과 $N_2O$의 배출량 변동성을 보기 위해 $CH_4$과 $N_2O$의 일 평균 배출량에 대한 일별 표준오차의 비율을 계산하였다. $CH_4$의 경우 그 비율이 11일째까지는 1.0% 이하였으나 시간이 지날수록 증가하여 57일 후에는 10.9%까지 증가하였다. $N_2O$의 경우 $CH_4$에 비해 그 비율이 컸는데 (0.4%~51.0%), $CH_4$의 경우와 달리 초기에 높았으며 시간이 지날수록 줄었다. $CH_4$과 $N_2O$의 생성이 활발할 경우 일 평균 배출량에 대한 일별 표준오차의 비율이 적으나 그렇지 않을 경우 비율이 높아졌는데 이는 배출장소의 비 균질성에 기인한다고 볼 수 있다. 따라서 퇴비화 과정의 온실가스 배출량을 줄이기 위해서는 $CH_4$ 감소를 위해 초기 공기 공급을 늘리며, 교반 등을 통해 비균질성을 감소시켜야 한다.

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2004년도 제15회 정기총회 및 동계학술발표회
• /
• pp.128-129
• /
• 2004

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1982년도 하계학술회의강연논문초록집
• /
• pp.211-213
• /
• 1982

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제8권6호
• /
• pp.250-254
• /
• 2007

Applying the moving photo-carrier grating(MPG) technique and time-of-flight(TOF) measurements, we studied the transport properties of stabilized amorphous selenium typical of the material used in direct conversion X-ray imaging devices. For MPG measurement, we obtained electron and hole mobility and the recombination lifetime of $\alpha-Se$ films with arsenic(As) additions. We found an apparent increase in hole drift mobility and recombination lifetime, especially when 0.3 % As was added into $\alpha-Se$ film, whereas electron mobility decreased with the addition of As due to the defect density. For TOF measurement, a laser beam with pulse duration of 5 ns and wavelength of 350 nm was illuminated on the surface of $\alpha-Se$ with a thickness of 400 ${\mu}m$. The measured hole and electron transit times were about 8.73 ${\mu}s$ and 229.17 ${\mu}s$, respectively.

• 한국식품과학회지
• /
• 제31권2호
• /
• pp.273-279
• /
• 1999

국내외에서 재배, 유통되고 있는 다류소재 식물류 40종에 대하여 총 페놀성 물질과 비타민 C 함량은 비색법으로, ${\alpha}-tocopherol$과 ${\beta}-carotene$ 함량은 HPLC에 의해, 셀레늄 함량은 원자흡광법을 이용하여 분석하였다. 시료 100 g당(건량) 들어있는 총 페놀성 물질 함량은 녹차잎, 홍차잎, 우롱차잎, 인스탄트커피 등이 약 7g으로 가장 높았고 셀레늄 함량은 산수유와 칡이 약 $4{\mu}g$으로 가장 높았다. ${\beta}-carotene$ 함량은 두충$(8587{\mu}g)$, 감잎$(6222{\mu}g)$, 녹차잎$(3652{\mu}g)$ 등이 매우 높았다. ${\alpha}-tocopherol$ 함량은 감잎(33 mg), 두충(26 mg), 녹차잎(16 mg), 홍차잎(13 mg) 순으로 높았으며, 비타민 C 함량은 녹차잎(199 mg)과 홍차잎(117 mg)이 가장 높았다.