본 논문에서는 기생 트랜지스터를 억제하여 대기 전류를 낮춰 기동전류를 개선한 수직 PNP 트랜지스터의 특성을 소개한다. 기생 효과를 억제하기 위해, 회로 변경 없이 "DN+ 링크"를 사용하여 기생 PNP 트랜지스터를 억제 시킨 수직 PNP 트랜지스터를 설계하였으며, 표준 IC 프로세서를 이용한 LDO 레귤레이터를 제작했다. 제작된 기생 PNP 트랜지스터의 hFE 가 기존의 18에서 0.9로 감소하였다. 개선된 "DN+ 링크" 구조 수직 PNP 트랜지스터로 제작된 LDO 레귤레이터의 기동 전류는 기존의 기동 전류 90mA에서 32mA 로 감소되었다. 이로 인해 대기상태에서 저 소비전력을 구현한 LDO 레귤레이터를 개발하였다.
본 연구는 페놀 분해균주인 P-99를 이용하여 슬러리상 반응기에서 페놀 또는 PNP (p-Nitrophenol)에 오염된 토양을 생물학적으로 복원시키는 방안을 모색하기 위해 수행되었다. 순수미생물에 의한 페놀의 분해는 혼합 미생물간의 경쟁적 상호작용을 배제시켜 활성슬러지의 지체시간보다 3배 정도 짧게 나타났다. 페놀 분해균주인 P-99는 300mg/L의 페놀을 26시간 안에 완전하게 분해하였으며, 페놀 1mg이 제거될 때 0.1457mg의 P-99 미생물이 생성되었다. PNP는 단일기질로 반응기내에 존재할 경우 페놀 분해균주인 P-99에 의한 분해는 일어나지 않았으나, 페놀에 유도된 경우 공대사 작용에 의해 효과적으로 분해할 수 있었으며, 이 때 PNP 분해에 있어서 성자기질인 페놀의 이용도는 0.027mg PNP/mg phenol이었다. 페놀과 PNP가 혼합기질로 반응기내에 존재할 경우 PNP의 농도가 증가할수록 미생물에 대한 저해작용이 증가되어 페놀의 분해속도가 감소하였으며, 슬러리상 반응기에서 미생물에 의한 페놀 및 PNP의 분해는 대상물질의 일부가 액상에서 토양의 표면으로 흡착되고 산소의 전달속도가 상승하여 액상에서 보다 2배 이상 가속화되었다.
최소 배지와 MRS 배지에 여러 퓨린 뉴클레오시드을 첨가하여 각각 호기적과 혐기적 조건하에서 배양시킨 Serratia marcescens ATCC 25419와 Lactobacillus plantarum ATCC 8014 세포 추출물에서 PNP의 비활성도를 조사한 결과 이노신은 5 mM 이상의 농도에서 Serratia PNP의 비활성도를 대조군과 비교하여 30% 정도 감소시켰으나, Lactobacillus PNP의 비활성도를 60% 이상 증가시켰다. 히포잔틴은 $0.1{\sim}0.5\;mM$의 낮은 농도에서는 Serratia PNP의 비활성도에 거의 영향을 주지 않았으나, 5 mM 이상의 농도에서는 45% 정도를 감소시켰다. 하지만 히포잔틴은 $0.1{\sim}1\;mM$의 낮은 농도에서는 Lactobacillus PNP의 비활성도를 20%, $1{\sim}15\;mM$의 농도에서는 $50{\sim}65%$ 정도 증가시켰다. 한편, 요산은 0.5 mM의 농도에서 Serratia와 Lactobacillus PNP의 비활성도를 20% 정도 증가시킨 반면, $5{\sim}10\;mM$의 농도에서 $20{\sim}25%$ 정도, 그리고 15 mM의 농도에서는 $60{\sim}80%$ 감소시켰다. 이러한 결과들로부터 5 mM 이상 농도의 이노신과 히포잔틴은 Serratia PNP의 비활성도를 30%이상 감소시킨 반면, Lactobacillus PNP의 비활성도를 60% 이상 증가시켰으며 낮은 농도(0.5 mM)의 요산은 효소의 비활성도를 증가시키고 높은 농도(15 mM)의 요산은 감소시키는 등 퓨린 뉴클레오티드 분해 대사 과정에서 요산은 Serratia marcescens와 Lactobacillus plantarum PNP 생합성의 조절 역할을 하는 것으로 사료된다.
Saccharomyces cerevisiae에서 얻은 purine nucleoside phosphorylase (PNP)의 반응 기작을 밝히기 위해 반응속도론적 분석이 수행되어졌다. 반응기작에 PNP${\cdot}$phosphate와 PNP${\cdot}$ribose 1-phosphate의 binary complex가 형성되는 것으로 추정되어진다. Initial velocity와 product inhibition study의 결과는 반응이 ordered bi, bi reaction으로 일어난다는 것과 일치하고 있다. 두 개의 기질중 무기인산이 효소에 먼저 붙고, 그 다음에 nucleoside, 그리고 base가 효소를 떠나는 첫 번째 생성물이고 마지막으로 ribose 1-phosphate가 생성되고 효소는 원래의 상태로 돌아간다. 반응속도론적 분석에 이해 제안된 작용기작은 sulfhydryl reagents인 p-chloromercuribenzoate(PCMB) and 5,5'-dithiobisnitrobenzoate (DTNB)에 의한 효소의 불활성화에 대한 기질으 보호작용의 결과와 일치하고 있다. PNP는 ribose 1-phosphate와 phosphate에 의해 보호되지만 nucleoside나 base에 의해서는 아무런 효과과 없다는 사실은 반응 순서가 효소에 무기인산이 먼저 붙는 ordered bi, bi 기작이라는 것을 지지하고 있다. PCMB 나 DTNB에 의해 불활성화된 PNP는 dithiothreitol(DTT)에 의해서는 활성이 완전히 회복되고 2-mercaptoethanol에 의해서는 77%의 활성이 회복된다는 사실은 효소의 불활성화가 가역적이라는 것을 시사하고 있다. PCMB에 의해 불활성화된 효소는 inosine이 변화하는 기질일때 정상효소보다 높은 $K_m$과 낮은 $V_m$ 값을 보여주고 이런 현상은 DTT 처리시 원래의 상태로 돌아온다. DTNB에 의해 불활성화된 효소는 PCMB 처리시와 비슷하게 정상효소보다 높은 $V_m$ 값을 보이지만 $V_m$ 값은 큰 변화가 없다. S. cerevisiae PNP에서 발견되는 높은 무기인산의 농도에서의 하위단위체간의 음성적 협동성이 PCMB나 DTNB를 처리한 PNP에서는 보이지 않았다.
Retinyl palmitate (RP)-loaded pectinate micro- and nano-particles (PMP and PNP) were designed for stabilization of RP that is widely used as an anti-wrinkle agent in anti-aging cosmeceuticals. PMP/PNP were prepared with an ionotropic gelation method, and anti-oxidative activity of the particles was measured with a DPPH assay. The stability of RP in the particles along with pectin gel and ethanolic solution was then evaluated. In vitro release and skin permeation studies were performed using Franz diffusion cells. Distribution of RP in each skin tissue (stratum corneum, epidermis, and dermis) was also determined. PMP and PNP could be prepared with mean particle size diameters of $593{\sim}843{\mu}m$ (PMP) and 530 nm (i.e., $0.53{\mu}m$, PNP). Anti-oxidative activity of PNP was greater than PMP due largely to larger surface area available for PNP. The stability of RP in PMP and PNP was similar but much greater than RP in pectin bulk gels and ethanolic solution. PMP and PNP showed the abilities to constantly release RP and it could be permeated across the model artificial membrane and rat whole skin. RP was serially deposited throughout the skin layers. This study implies RP loaded PMP and PNP are expected to be advantageous for improved anti-wrinkle effects.
3구면경계에서 aplanat 조건을 해석적으로 유도하고 이를 바탕으로 3종의 3차수차가 보정된 3구면 경계의 형태 및 존재영역을 조사하였다. 실상을 맺으면서 aplanat 저건을 만족하는 3구면경계는 유효초점거리가 양수인 경우 PPN, NPP, PNP 형태의 해가 존재하였으며 N은 볼록 거울, P는 오목 거울을 나타낸다. 유효초점거리가 음수인 경우 NPN, NPP, PNP, NNP형의 4종류의 형태가 존재하였다. 3종의 3차수차가 보정된 3구면경계에서 astigmatic aplanat는 실상을 맺는 해가 존재하지 않았다. Flat field aplanat는 PPN, PNP, NPP형태의 해가 존재하였고 distortion free aplanat의 경우는 PPN, PNP, NPN, NPP, NNP형의 해가 존재하였다.
본 논문에서는 기존 ESD 보호회로인 SCR, LVTSCR 보다 향상된 전기적 특성을 갖는 새로운 PNP 바이폴라 삽입형 ESD 보호회로를 제안한다. 제안된 회로는 기존 SCR에 대비하여 약 9V낮은 8.59V의 트리거 전압을 가지고, 기생 PNP가 하나 더 동작하면서 높은 감내특성을 갖는다. 또한 제안된 ESD 보호회로의 실제 설계 적용을 위해 변수 L을 늘리면서 기생 PNP의 베이스 길이를 늘려 홀딩전압을 증가시켰다. 제안된 소자의 전기적 특성 검증을 위해 Synopsys사의 T-CAD 시뮬레이터를 사용하였다.
Ashari, Afifah M.;Abd Halim, Shahliza;Jawawi, Dayang N.A.;Suvelayutnan, Ushananthiny;Isa, Mohd Adham
KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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제15권7호
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pp.2455-2475
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2021
Patient Navigation Program (PNP) is considered as an important implementation of health care systems that can assist in patient's treatment. Due to the feasibility of PNP implementation, a systematic reuse is needed for a wide adoption of PNP computerized system. SPL is one of the promising systematic reuse approaches for creating a reusable architecture to enabled reuse in several similar applications of PNP systems which has its own variations with other applications. However, stakeholder decision making which result from the imprecise, uncertain, and subjective nature of architecture selection based on quality attributes (QA) further hinders the development of the product line architecture. Therefore, this study aims to propose a quality-driven approach using Multi-Criteria Decision Analysis (MCDA) techniques for Software Product Line Architecture (SPLA) to have an objective selection based on the QA of stakeholders in the domain of PNP. There are two steps proposed to this approach. First, a clear representation of quality is proposed by extending feature model (FM) with QA feature to determine the QA in the early phase of architecture selection. Second, MCDA techniques were applied for architecture selection based on objective preference for certain QA in the domain of PNP. The result of the proposed approach is the implementation of the PNP system with SPLA that had been selected using MCDA techniques. Evaluation for the approach is done by checking the approach's applicability in a case study and stakeholder validation. Evaluation on ease of use and usefulness of the approach with selected stakeholders have shown positive responses. The evaluation results proved that the proposed approach assisted in the implementation of PNP systems.
본 논문은 초기 리튬이온 배터리의 충·방전 데이터를 활용하여 리튬이온 배터리의 잔존 수명을 예측할 수 있는 딥러닝 모델을 제시한다. PNP(Positive and Negative Perceptron) 모델을 사용하여 DMP(Deep learning Model using PNP model)를 구축하였으며, DMP의 성능을 증명하기 위해 LSTM 모델을 사용하여 DML(Deep learning Model using LSTM model)을 구성하였다. DMP와 DML의 리튬이온 배터리의 잔존 수명 예측 성능을 비교하며, 오차 측정 방법은 RMSE(Root Mean Square Error)와 RMSPE(Root Mean Square Percentage Error)이다. 시험 데이터로 오차를 측정한 결과 DMP와 DML의 RMSE 차이는 144.62[Cycle]이며, RMSPE 차이는 3.37[%]로 DMP의 오차가 낮게 측정되었다. 이를 통해 우리는 DMP의 성능이 높은 것으로 증명하였으며, 이는 리튬이온 배터리 분야에서 PNP 모델이 LSTM 모델보다 성능이 뛰어남을 나타내었다.
This paper presents a comprehensive mathematical analysis and simulation of trench IGBT with the help of PIN-PNP combinational model. Since trench IGBT is characteristically influenced by PIN diode, it may be almost impossible to analyze the trench IGBT using PNP-MOS modeling methods, even PIN-MOS techniques which neglect the hole current components coming into p-base region. A new PIN-PNP complementary cooperational model is developed in order to make up the drawbacks of existing models. It would allow us to make qualitative analysis as well as simulation about switching and on-state characteristics of 1,700 V trench IGBT. Moreover, if we improve the PIN diode effects through the optimization of trench structure, trench IGBT is expected to be one of the most promising devices in the not only high-voltage but also high speed switching device field.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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