• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권10호
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• pp.431-435
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• 2003

It is very difficult and dangerous to measure PD(Partial Discharges) from high voltage equipments in outdoor situation. But that is very important thing for preventing them from more serious accident by defects made by insulating degradation. This paper provides useful method to detect PD signals easily without any dangerous situation. Electric field sensor by the principle of capacitor can detect PD signals without direct connection between sensor and high voltage equipment and has very wide frequency range suitable for noise rejection. Electric field sensor and related circuit for processing PD signal show good performance as a PD sensor when it is applied to simulated high power equipment generating PD pulses.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.458-463
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• 2019

팔라듐 (Pd)은 촉매 또는 유해 가스 감지물질로서 널리 활용되고 있다. 특히 자체 부피의 900배까지 수소를 흡착할 수 있는 특성 때문에 수소가스 센서로서의 다양한 연구가 이루어졌다. 본 연구에서는 팔라듐 옥사이드 (PdO) 나노구조물을 실리콘 기판 ($SiO_2(300nm)/Si$) 위에 열화학기상증착 장비를 이용하여 $230^{\circ}C{\sim}440^{\circ}C$ 영역에서 3시간 ~ 5시간 동안 성장시켰다. 원료물질인 Pd 파우더는 $950^{\circ}C$에서 기상화시켰고, 이송가스인 고순도 아르곤 가스를 200 sccm으로 흘려주었다. 성장된 팔라듐 옥사이드 나노구조물의 형상을 전계방출 주사전자현미경으로 조사하였고, 결정학적 특성을 Raman 분광학으로 분석하였다. 그 결과 성장된 나노구조물은 PdO 상을 가지고 있었으며, 특정한 기판 온도와 성장 시간에서 나노큐브 형태의 PdO 나노구조물이 성장되었다. 특히 5시간 동안 성장된 $370^{\circ}C$ 영역에서 균일한 형태의 나노큐브 PdO 나노구조물이 성장되었다. 이러한 PdO 나노큐브는 기상-액상-고상 공정으로 성장된 것으로 판단되며, 그래핀 위에 성장되는 PdO 나노큐브 구조는 고감도 수소가스 감지 센서로 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제15권4호
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• pp.317-323
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• 2004

We fabricated a MISFET using Pd/NiCr gate for the detecting of hydrogen gas in the air and investigated its electrical characteristics. To improve stability and high concenntration sensitivity and remove the blister generated by the penetration of hydrogen atoms Pd/NiCr catalyst gate metal are used as dual gate. To reduce the gate drift voltage caused by the inflow of hydrogen, the gate insulators of sensing and reference FFET were constructed with double insulation layers of silicon dioxide and silicon nitride. The hydrogen response of MISFET were amplified with the difference of gate voltages of both MISFET. To minimize the drift and the noise, we used a OP177 operational amplifier. The sensitivity of the Pd/NiCr gate MISFET was lower than that of Pd/Pt gate MISFET, but it showed good stability and ability to detect high concentration hydrogen up to 1000ppm.

• 센서학회지
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• 제13권6호
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• pp.405-410
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• 2004

Compensation wires for Pt/Pd thermocouple was manufactured using Cu/Ni alloys. Their thermoelectric voltage has been tested from room temperature to about $150^{\circ}C$. Alloys of $Cu_{95.5}Ni_{4.5}$ and $Cu_{89.5}Ni_{10.5}$ introduced only small emf differences to Pt/Pd thermocouples, indicating a real possibility of industrial use. Above $1000^{\circ}C$, the temperature difference was expected to he small as ${\pm}0.5^{\circ}C$, and the difference would be minimized by adjusting the Ni content with a small amount.

• 센서학회지
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• 제31권6호
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• pp.441-447
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• 2022

This study describes a novel method for detecting and measuring partial discharge (PD) on an electrical facility such as an insulated power cable or switchgear using fiber optic sensing technology, and a distributed acoustic sensing (DAS) system. This method has distinct advantages over traditional PD sensing techniques based on an electrical method, including immunity to electromagnetic interference (EMI), long range detection, simultaneous detection for multiple points, and exact location. In this study, we present a DAS system for PD detection with performance evaluation and experimental results in a simulated environment. The results show that the system can be applied to PD detection.

• 한국음향학회지
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• 제27권6호
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• pp.263-270
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• 2008

초음파 어레이 센서의 성능은 구성 불성과 많은 구소 변수들에 의해 결정된다. 본 연구에서는 유한 요소해석을 통하여 구조적인 변화에 따른 초음파 어레이 센서의 성능변화를 해석하였다. 해석 결과를 기초로 하여 초음파 어레이 센서가 주파수 대역폭, 중심 주파수 그리고 -20 dB pulse length와 같은 요구 사항을 모두 만족시키며 최대의 감도를 가지도록 구조를 최적화하였다. 최적화 방법으로는 초음파 어레이 센서의 성능을 목적 함수로 하는 SQP-PD 방법을 사용하였다. 최적화된 초음파 어레이 센서는 의료 영상 진단에 적용되기 위한 모든 요구 조건을 만족하였으며, 본 설계 기술은 유사한 형태의 다른 배열형 초음파 센서에 응용 가능하다

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.67-70
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• 2003

단원계 및 이원계 촉매를 이용하여 나노 감지 소자를 합성하였고, 이를 이용하여 가연성 후막 가스 센서를 제작, 촉매 시스템에 따른 가스 감지 특성을 비교하였다. 단원계의 경우 Pd 및 Pt를 각각 3wt%로, 이원계의 경우 Pd:Pt 농도를 1:2~2:1wt%로 각각 제어하여 평균 입도가 15 nm 인 $SnO_2$ 나노 분말에 도핑, 감지물질을 합성하였다. 그 후 감지물질을 paste로 만들어 인쇄, 가스센서 제작 후 $450{\sim}600^{\circ}C$의 온도로 열처리하였다. 그 결과 이원계 촉매 시스템을 가진 가스 센서는 시효 시간에 따라 감도 값이 변하는 불안정한 현상을 나타내었다, 그러나 단원계 촉매의 경우 시효 시간이 지나도 감도 값이 안정된 현상을 나타내었다. 특히 3wt% pt를 도핑하여 $500^{\circ}C$에서 열처리한 경우 5시간 시효 후에도 감도 값의 변화 폭이 3.5% 이하의 매우 안정된 특성을 나타내었고 반응 시간도 20초 이하로 매우 빠른 응답 특성을 나타내었다.

• 한국가스학회지
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• 제11권1호
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• pp.29-33
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• 2007

[ $TiO_{2},\;Pd,\;Pt$ ]와 In을 사용하여 trimethylamine gas에 대한 감도를 향상시키는 $SnO_{2}$ 가스센서에 대하여 연구하였다. 금속-$SnO_{2}$ 후막은 백금전극이 내장된 알루미나 지지체에 스크린 법으로 제작하였다. 센서의 특성은 검출가스 농도의 함수로서 반응기내 각 센서의 전기적 저항을 측정하여 조사하였으며, $100{\sim}1000ppm$범위의 trimethylamine, dimethylamine과 암모니아가스에 대하여 측정하였다. 그 결과, 금속-$SnO_{2}$의 가스 검출특성은 금속의 종류와 양에 따라 결정되었으며, $250^{\circ}C$에서 trimethylamine에 대한 센서의 감도와 선택성은 1 wt%, Pd와 10 wt%, $TiO_{2}$를 첨가하였을 때 감도가 가장 우수한 것으로 나타났다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 학술대회 논문집 정보 및 제어부문
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• pp.628-631
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• 2005

In this paper, we propose tuning method of PID-PD controller to satisfy design specifications in frequency domain as well as time domain. The proposed tuning method of PID-PD controller that consist of the convex set of PID and PI-PD controller controls the closed-loop response to locate between the step responses, and Bode magnitudes of closed-loop transfer functions controlled by PID and PI-PD controller. The controller is designed by the optimum tuning method to minimize the proposed specific cost function subject to sensor noise insensitivity and robust stability. Its effectiveness is examined by the case study and analysis.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.275-275
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• 2008

This paper describe the fabrication of a Pd/polycrystalline 3C-SiC schottky diode and its characteristics, in which the polycrystalline 3C-SiC layer and Pd Schottky contact were deposited by using APCVD and sputter, respectively. Crystalline quality, uniformity, and preferred orientations of the Pd thin film were evaluated by SEM and XRD, respectively. Pd/poly 3C-SiC Schottky diodes were fabricated and characterized by I-V and C-V measurements. Its electric current density Js and barrier height voltage were measured as $2\times10^{-3}$ A/$cm^2$ and 0.58 eV, respectively. These devices were operated until about $400^{\circ}C$. Therefore, from these results, Pd/poly 3C-SiC Schottky devices have very high potential for high temperature chemical sensor applications.