• 약학회지
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• 제43권1호
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• pp.68-76
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• 1999

Phenoxazinone synthase catalyzes the oxidative condensation of two molecules of substituted o-aminophenol to the phenoxazinone chromophore of actinomycin. Mutant strain, Streptomyces sp. V-8-M-1 producing higher phenoxazinone synthase, was obtained from Streptomyces sp. V-8 by treatment of N-methyl-N'-nitro-N-nitrosoguanidine. The phenoxazinone synthase was purified from extract of mutant strain of Streptomyces sp. V-8-M-l by successive steps of streptomycin sulfate, ammonium sulfate precipitation. DEAE-cellulose and Sephadex G-200 column chromatography. Molecular weight of the enzyme was 360,000 daltons. The enzyme was composed of octamer of a single subunit of 45,000 daltons. The Km value and Vmax value for 3-HAA were $14.9{\;}{\mu}M$ and 9.5 mg/U, respectively. The optimal pH and temperature for the enzyme activity were 9.0 and $25~30^{\circ}C$, respectively. Treatment of the enzyme with group specific reagents, phenylglyoxal, p-hydroxymercury-benzoate, Nbromosuccinimide, 5.5'-dithiobis-nitrobenzoic acid and ethylmaleimide resulted in loss of enzyme activity, which shows arginine and cysteine residues are at or near the active site.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권12호
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• pp.56-63
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• 1994

The effects of sulfur treatments on the barrier heithts of Schottky contacts and the interface-state density of metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors on InP have been investigated. Schottky contacts were formed by the evaporation of Al, Au, and Pt on n-InP substrate before and after (NH$_{4}$)$_{2}$S$_{x}$ treatments, respectively. The barrier height of InP Schottky contacts was measured by their current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C_V) characteristics. We observed that the barrier heights of Schottky contacks on bare InP were 0.35~0.45 eV nearly independent of the metal work function, which is known to be due to the surface Fermi level pinning. In the case of sulfur-treated Au/InP ar Pt/InP Schottky diodes, However, the barrier heights were not only increased above 0.7 eV but also highly dependent on the metal work function. We have also investigated effects of (NH$_{4}$)$_{2}$S$_{x}$ treatments on the distribution of interface states in Si$_{3}$N$_{4}$InP MIS diodes where Si$_{3}$N$_{4}$ was provided by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The typical value of interface-state density extracted feom 1 MHz C-V curve of sulfur-treated SiN$_{x}$/InP MIS diodes was found to be the order of 5${\times}10^{10}cm^{2}eV^{1}$. This value is much lower than that of MiS diodes made on bare InP surface. It is certain, therefore, that the (NH$_{4}$)$_{2}$S$_{x}$ treatment is a very powerful tool to enhance the barrier heights of Au/n-InP and Pt/n-InP Schottky contacts and to reduce the density of interface states in SiN$_{x}$/InP MIS diode.

• 한국방사선학회논문지
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• 제12권4호
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• pp.541-547
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• 2018

흉부 디지털 단층합성(chest digital tomosynthesis, CDT) 검사 시 관전압 및 감도(sensitivity) 변화에 의한 선량감소 효과와 정량적 평가로 선량 최적화 조건을 평가하고자 한다. 관전압 125 kV, 135 kV 설정에 따른 sensitivity 200, 320, 400 변화하여 팬텀의 CDT 영상을 획득하였다. 감도와 관전압 변화 따른 선량과 면적선량(DAP)을 평가하였다. 화질평가는 최대신호 대 잡음비(PSNR), 대조도 대 잡음비(CNR), 신호 대 잡음비(SNR)를 image J를 이용하여 분석하였다. 선량은 14~23%, 면적선량은 13~26% 정도 sensitivity 200, 125 kV에 비해 측정치가 낮아졌고, sensitivity 가 높아짐에 따라 감소율 커짐을 알 수 있었다. PSNR은 27dB 이상으로 모두 의미 있는 수치였고, CNR, SNR은 sensitivity가 낮을수록 우수했으나, 항목마다 통계의 유의성은 달랐다. CNR과 SNR 모두 sensitivity 320, 135 kV가 sensitivity 200, 125 kV와 통계적으로 유의하지 않았다(p>0.05). CDT는 감도, 관전압과 디지털 촬영의 장비의 장점인 보정능력을 이용하여 더 작은 선량으로 화질을 유지 시킬 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.86-90
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• 1992

We have studied the characteristics of n-and p-channel FETs with submicron channel length fabricated by twin-well process. Threshold voltage variation and potential distribution with channel ion implantation conditions and impurity profile of n-and p-channel region wee simulated using SUPREM-II and MINIMOS 4.0 simulater, P-channel FET had buried-channel in the depth of 0.15 $\mu\textrm{m}$ from surface by counter-doped boron ion implantation for threshold voltage adjustment. As a result of device measurement, we have obtained good drain saturation characteristics for 3.3 [V] opreation, minimized short channel effect with threshold voltage shift below 0.2[V], high punchthrough and breakdown voltage above 10[V] and low subthreshold value.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권1호
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• pp.63-73
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• 2004

A simple analytical model has been presented for the study of the optical bistability using a $GaAs-Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ multiple quantum well (MQW) p-i-n diode structure. The calculation of the optical absorption is based on a semi-emperical model which is accurately valid for a range of wells between 5 and 20 nm and the electric field F< 200kV/cm . The electric field dependent analytical expression for the responsivity is presented. An attempt has been made to derive the analytical relationship between the incident optical power ( $(P_{in})$ ) and the voltage V across the device when the diode is reverse biased by a power supply in series with a load resistor. The relationship between $P_{in}$ and $P_{out}$ (i.e. transmitted optical power) is also presented. Numerical results are presented for a typical case of well size $L_Z=10.5nm,\;barrier\;size\;L_B=9.5nm$ optical wave length l = 851.7nm and electric field F? 100kV/cm. It has been shown that for the values of $P_{in}$ within certain range, the device changes its state in such a way that corresponding to every value of $P_{in}$ , two stable states and one unstable state of V as well as of $P_{out}$ are obtained which shows the optically controlled bistable nature of the device.

• 산업식품공학
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• 제15권1호
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• pp.80-84
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• 2011

오미자 열매 추출물의 첨가량을 0-50%로 달리하여 식혜를 제조한 후 물리화학적 및 관능적 품질특성을 측정하고 각 특성사이의 상관관계를 살펴보았다. 추출물의 첨가량이 증가함에 따라 식혜의 pH는 유의적으로 감소한 반면 가용성 고형분 함량 및 적색도 ($a^*$값)는 증가하였다(p<0.05). 한편, 밝기를 나타내는 $L^*$값과 황색도를 나타내는 $b^*$값은 추출물의 첨가량과 직접적인 관계를 나타나지 않았다. 관능적 품질특성 중 색, 신맛, 단맛은 추출물의 첨가량과 유의적인 관계를 나타내었다(p<0.05). 상관분석 결과 추출물의 첨가량은 $L^*$값과 $a^*$값을 제외한 모든 물리적 및 관능품질 특성과 유의적인 관계를 나타내었다. 소비자 기호도검사에 의하면 10% 오미자 열매 추출물을 첨가한 식혜의 전체적인 기호도가 다른 시료군에 비해 유의적으로 높음을 알 수 있었다(p<0.05).

• 한국식품저장유통학회지
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• 제22권5호
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• pp.768-777
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• 2015

본 연구에서는 와인제조에 있어 향미 증진과 같은 품질향상에 도움이 된다고 알려진 Pichia anomala JK04와 일반적으로 와인 양조에 주로 이용되고 있는 Saccharomyces cerevisiae Fermivin을 혼합 발효하여 감와인의 발효 특성을 비교하였다. 감와인의 발효특성 결과 발효 종료 시 대부분의 실험구에서 pH 4.0~4.2, 총산 0.5~0.6%를 나타내었다. 당도와 환원당 함량 변화는 발효가 진행될수록 점차 감소하여 S. cerevisiae Fermivin 단독 발효구와 P. anomala JK04 혼합 첨가 발효구에서 발효 종료시점에서 대부분의 당이 소비되었다. 최종 알코올 함량은 S. cerevisiae Fermivin 단독 발효구와 S. cerevisiae Fermivin과 P. anomala JK04의 혼합첨가 발효구에서 알코올 생성이 빨랐으며 발효 종료 시 모든 구의 알코올 농도는 12~13%를 나타내었다. 각 첨가구의 총 페놀성 화합물 함량은 0.05 mg/mL로 초기 페놀성 화합물 함량과 비슷한 수준을 유지하였다. 감와인의 hue value는 발효 초기에 비해 증가하여 4~5의 값을 나타내었고, intensity value는 발효초기 0.5의 값에서 점차 감소하여 발효 종료 시까지 0.1~0.2의 값을 유지하였으며 휘발성 향기성분의 경우 P. anomala JK04의 첨가 비율이 높을수록 S. cerevisiae Fermivin 단독발효구 보다 다양한 알코올류, 에스테르류가 생성되었다. 관능검사 결과에서 향기와 맛의 평가에서 P. anomala JK04를 첨가한 모든 혼합 발효구에서 S. cerevisiae Fermivin 단독발효구 보다 높은 점수를 얻었다.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제11권4호
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• pp.472-477
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• 2004

본 연구에서는 액상칼슘을 첨가하여 김치 숙성에 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 액상칼슘 첨가구들에서 숙성 중 pH감소가 지연되었고 산도는 더 낮게 나타났으며 액상칼슘 $3.5\%$ (v/w)첨가구보다 $7.0\%$ (v/w)첨가구에서 더 효과적이였다. 총균수 및 젖산균수를 조사한 결과 숙성 8일째까지 액상칼슘 첨가구들이 낮게 나타났으나 8일 이후에는 더 많은 수를 나타내었다. 모든 구간에서 L값과 b값은 조금씩 감소하였으며 a값은 증가하는 경향으로 나타났다. 대조구의 칼슘함량은 $50{\sim}60\;mg\%$이며 액상칼슘 A 농도 $3.5\%$ (v/w)와 $7.0\%$ (v/w) 첨가구에서 $103{\sim}110\;mg\%$와 $145{\sim}163\;mg\%$로 액상칼슘 B 농도 $3.5\%$ (v/w)와 $7.0\%$ (v/w) 첨가구에서는 $140{\sim}151\;mg\%$ 및 $210{\sim}220\;mg\%$으로 나타나 액상칼슘 B를 $7.0\%$ (v/w) 첨가하면 고칼슘 김치의 제조가 가능한 것으로 생각되었다.

• 한국레이저가공학회지
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• 제8권3호
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• pp.5-10
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• 2005

[ $InxGa_{1-x}P/GaAs$ ] structures were grown by chemical beam epitaxy(CBE), Pure phosphine($PH_3$) gases were used as group V sources. for the group III sources, TEGa, TmIn were used. $InxGa_{1-x}P$ epilayer was grown on SI-GaAs substrate and has a 1-${\mu}m$ thick. We have investigated the characteristics of $InxGa_{1-x}P$ by the photoreflectance(PR) spectroscopy, The PR spectrum of $InxGa_{1-x}P$ shows third-derivative feature whose Peaks Provide energy gap. The energy gap of $InxGa_{1-x}P$ has deduced composition x. From temperature dependance of PR spectra, temperature coefficient is $dEg/dT=-3.773{\times}10^{-4}$ eV/K, and Varshni coefficients $\alpha$ and $\beta$ values obtained $4{\times}10^4$ eV/K and 267 K respectively. Also, interaction $\alpha$B was 19.4 meV using the Bose-Einstein temperature relation, and $\Theta$ value related the average phonon frequency were 101.4 K. In particular, shoulder peak related to defects observed in PR signal that measured in temperature 82 K.

• 한국수산과학회지
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• 제33권5호
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• pp.448-454
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• 2000

IOSP를 이용하여 적조생물입자에 대한 응집실험을 한 결과는 다음과 같다. 본 실험에 사용한 IOSP의 평균 지름은 $11.6{\mu}m$이고, 약$ 77{\%}$의 입자가 $5.0{\~}20.0{\mu}$의 범위에 속하며 변동계수는 $60.1{\%}$이었다. IOSP의 금속성분을 분석한 결과는 $98{\%}$가 칼슘으로서 생석회(CaO)와 같은 성분이었다. IOSP의 전자현미경 사진을 분석한 결과 표면이 매끈한 부정형의 입자로 되어 있었다. IOSP에 해수를 첨가하면 해수중의 $Mg^(+2)$ 이온과 급속하게 반응하여 입자의 표면 주위에 점질성의 $Mg(OH)_2$ 흡수층 (absorption layer)을 형성하여 응집 침전하고 해수의 pH를 10.0 정도까지 상승시켰다. IOSP는 $pH=6.2{\~}12.7$에서 $11.1{\~}50.1 mV$로서 IOSP의 입자가 완전히 용해될 때까지 positive zeta potential을 나타낸 반면 OSP는 pH=9.2, 11.9에서 각각 -42.5, -56.9mV로서 negative zeta potential을 나타내었다. $pNa=2.0{\~}4.0 (10^(-4){\~}10^(-2)M Na^+)$에서 IOSP, OSP의 zeta potential은 거의 일정한 값을 나타내었으나 $pNa=0.0 (1 M Na^+)$에서는 IOSP의 EDL이 매우 크게 압축되어 zeta potential은 거의 0.0mV를 나타내었고 OSP는 -25.4mV의 여전히 높은 negative zeta potential을 나타내었다. IOSP는 $Mg^(+2)$ 이온의 농도가 증가함에 따라 positive zeta potential이 증가하다가 $pMg=3.0 (10^(-3)M Mg^(+2))$에서 감소하는 결과를 나타내었다. 해수 중에서 IOSP는 4.8mV의 positive zeta potential을 나타내었고, OSP와 RTO는 각각 -30.7mV, -9.2mV의 negative zeta potential을 나타내었다. 해수중에서 IOSP의 $Mg(OH)_2$ 흡수층과 적조생물입자 사이에는 positive-negative EDL 반응이 일어나서 이들 둘 사이에는 항상 전기동력학적 인력이 작용하고, 동시에 $Mg(OH)_2$ 흡수층에 의한 전하중화로 인하여 입자 상호간의 응집반응은 극단적 인력이 작용하는 primary minimum에서 일어나고, DLVO 이론에 따라 응집반응은 비가역적아며 매우 신속하게 일어났다. 적조생물입자의 응집제거 효율은 IOSP의 농도 50mg/l까지 급격한 증가를 보이다가 IOSP의 농도가 계속 증가함에 따라서 점점 완만한 증가를 나타내었다. 즉 IOSP의 농도가 증가함에 따라서 지수함수적으로 증가하였다 ($Y=53.81{\times}X^(0.1); R^2=0.9868$).응집 침전은 IOSP 400mg/l 이상에서 거의 완전히 일어났다. IOSP $100mg/l$을 사용하고 G-value를 $1, 6, 29, 139 sec^(-1)$로 단계적으로 증가시키면서 응집 실험을 한 결과 적조생물입자의 응집제거 효율이 각각 $70.5, 70.5, 81.7, 85.3{\%}$로 증가하였다. 이는 응집 반응에서 입자간 충분한 충돌이 일어날 수 있도록 교반하는 것이 매우 중요함을 나타내 주는 것이다.