• 한국식품영양과학회지
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• 제26권4호
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• pp.556-562
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• 1997

여러 온도 조건에서 김치에서 분리된 유산균에 의하여 아질산염을 소모하는 정도와 이들 분리균에 의하여 성장온도와 배지의 pH에 따른 아질산염 소모의 영향을 검토하였다. 15와 2$0^{\circ}C$에서 L. plantarum과 L. sake는 성장 초기에 아질산염 소모 활성이 낮았으나 성장기간과 온도에 따라 활성이 높았고, $25^{\circ}C$와 3$0^{\circ}C$에서는 L. plantarum은 성장 1일 부터 90% 이상, L. sake는 아질산염을 75% 이상 소모하였으며, 성장 2일 이후에는 거의 대부분을 소모하였다. L. mesenteroides는 15와 2$0^{\circ}C$에서는 성장 4일이 경과한 후에 150과 250$\mu\textrm{g}$/$m\ell$의 아질산염에 대한 소모율이 각각 75와 65% 이하로서 Lactobacillus에 비하여 소모 활성 이 낮았으나, 성장 4일이 경과한 후 $25^{\circ}C$에서는 83% 이상, 3$0^{\circ}C$에서는 98% 이상을 소모하였다. 한편, L. plantarum은 600과 900$\mu\textrm{g}$/$m\ell$의 고농도의 아질산염에 대해서도 성장 2일만에 거의 대부분을 소모하였다. 모든 김치 분리 유산균은 성장 온도와 배양 기간에 따라 배지의 pH가 낮아졌으며, 또한 배지의 pH가 낮아짐에 따라 아질산염 소모율이 증가하였다. 15와 2$0^{\circ}C$에서는 배지의 pH가 아질산염의 감소와 관련이 없었으나, $25^{\circ}C$이상에서는 직접적인 관련이 있어서, pH의 감소가 어느 정도 아질산염 소모에 관여하기는 하였지만, pH보다는 온도의 영향이 더 컸다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제1권2호
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• pp.233-236
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• 2006

A 3-D numerical simulation of a buried-channel CCD (Charge Coupled Device) with a deep depletion has been performed to investigate its electrical and physical behaviors. Results are presented for a deep depletion CCD (EEV CCD12; JET-X CCD) fabricated on a high-resistivity $(1.5k\Omega-cm)\;65{\mu}m$ thick epi-layer, on a $550{\mu}m$ thick p+ substrate, which is optimized for X-ray detection. Accurate predictions of the Potential minimum and barrier height of a CCD Pixel as a function of mobile electrons are found to give good charge transfer. The depletion depth approximation as a function of gate and substrate bias voltage provided average errors of less than 6%, compared with the results estimated from X-ray detection efficiency measurements. The result obtained from the transient simulation of signal charge movement is also presented based on 3-Dimensional analysis.

• Journal of Nutrition and Health
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• 제53권6호
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• pp.563-569
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• 2020

Purpose: The vascular smooth muscle cells (VSMCs) in mature animals have implicated to play a major role in the progression of cardiovascular diseases such as atherosclerosis. This study aimed at optimizing the protocol in culturing primary VSMCs (pVSMCs) from rat thoracic aorta and investigating the effect of cellular zinc (Zn) deficiency on cell proliferation of the isolated pVSMCs. Methods: The thoracic aorta from 7-month-old Sprague Dawley rats was isolated, minced and digested by the enzymatic process of collagenase I and elastase, and then inoculated with the culture Dulbecco Modified Eagle Medium (DMEM) at 37℃ in an incubator. The primary cell culture morphology was observed using phase-contrast microscopy and cellular Zn was depleted using Chelex-100 resin (extracellular zinc depletion only) or 3 µM N,N,N',N'-tetrakis(2-pyridinylmethyl)-1,2-ethanediamine (TPEN) (extracellular and intracellular zinc depletion). Western blot analysis was used for the detection of SM22α and calponin as smooth muscle cell marker proteins and von Willebrand factor as endothelial cell marker protein to detect the culture purity. Cell proliferation by Zn depletion (1 day) was measured by MTT assay. Results: A primary culture protocol for pVSMCs from rat thoracic aorta was developed and optimized. Isolated cultures exhibited hill and valley morphology as the major characteristics of pVSMCs and expressed the smooth muscle cell protein markers, SM22α and calponin, while the endothelial marker von Willebrand factor was hardly detected. Zn deprivation for 1 day culture decreased rat primary vascular smooth muscle cell proliferation and this pattern was more prominent under severe Zn depletion (3 µM TPEN), while less prominent under mild Zn depletion (Chelexing). Conclusion: Our results suggest that cellular Zn deprivation decreased pVSMC proliferation and this may be involved in phenotypic modulation of pVSMC in the aorta.

• 생태와환경
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• 제45권1호
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• pp.129-138
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• 2012

본 연구는 하천에서 가뭄으로 인해 나타나는 갈수현상을 단기간의 유량의 감소로 모사하여 수질 및 부착돌말류 군집에 미치는 생태학적 영향을 인공수로에서 분석하였다. 아크릴로 제작한 실내 인공수로에 부착돌말 인공기질로는 슬라이드글라스를 설치하고, 부영양 저수지의 표층수를 유입시켜 실험수로 이용하였다. 실험기간 중 부착돌말 군체형성기 동안 모든 실험군의 유량은 6 L $min^{-1}$, 이후 유량감소기 동안 각 실험군의 유량은 NDF(No depletion of flow rate (Control): 6 L $min^{-1}$), LDF (Low depletion of flow rate: 3 L $min^{-1}$), 그리고 HDF (High depletion of flow rate: 1 L $min^{-1}$)로 설정하였다. 유량감소의 영향을 비교하기 위하여 16일간의 실험기간 동안 유입수와 배출수의 수온, 전기전도도, 용존산소, pH, 탁도, 부유물질, 영양염 및 Chl-$a$ 농도를 분석하였으며, 또한 부착기질의 Chl-$a$와 AFDM(ash free dry matter), 그리고 부착돌말류의 조성과 세포밀도를 1일 간격으로 분석하였다. 광도는 처리 유량이 적어질수록 유의하게 증가했다(F=229.5, p=0.000). $NH_4$-N는 NDF보다 HDF에서 현저하게 높은 농도를 유지하였다. 유입수의 SS 농도(100%) 대비 배출수의 SS 농도는 HDF에서 88%로 감소하였으며 LDF (97%)와 NDF (99%)에 비하여 높은 감소율을 보였다. 기질의 Chl-$a$는 NDF에 비하여 유량감소 처리군에서 약 2배 이상 유의하게 증가하였다(F=8.399, p=0.001). 또한 기질의 AFDM과 부착돌말류 총밀도는 NDF에 비하여 두 처리군에서 유의하게 증가하였다(F=9.390, p=0.001; F=6.088, p=0.007). 실험기간 동안 대조군과 처리군 모두에서 $Aulacoseira$ $ambigua$, $Achnanthes$ $minutissima$, $Aulacoseira$ $granulata$ 등 총 3종의 부착규조류가 총 밀도의 10% 이상을 보인 우점종으로 나타났고, 제1 우점종인 $A.$ $ambigua$는 LDF에서 가장 높은 밀도를 보였으며 HDF, NDF순으로 생물량이 낮았다(F=8.551, p=0.001). 본 연구 결과, 인공 하천생태계에서 가뭄(갈수) 효과는 수질과 부착돌말류 현존량에 유의한 변화를 야기하였으며, 특히 부착돌말류 현존량이 유의하게 증가하였다. 이는 실제 하천에서 가뭄에 의한 생태계의 변화를 이해하는데 유용한 기초자료를 제공할 것으로 사료된다.

• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.400-405
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• 2000

유기금속 소스의 농도를 연속적으로 in-situ 측정이 가능한 EPISON ultrasonic monitor를 이용하여 TMIn(trimethly-indium)의 소스 고갈이 InGaAs, InGaAsP bulk 에피층과 1.55 $mu extrm{m}$ InGaAs/InGaAsP SMQW (strained multi-quantum well)에 미치는 영향을 조사하였다. TMIn 소스는 사용량이 80%에서 급격하게 소스 고갈 현상을 보였다. TMIn 소스는 사용량이 80%에서 급격하게 소스 고갈 현상을 보였다. TMIn 소스 고갈에 의한 에피층의 특성 변화를 조사한 결과, bulk 에피층의 경우에는 소스가 고갈 되기 전에 성장한 에피층과 비교하여 DCXRD(double crystal X-ray diffractometry) spectrum에서 피크 분리가 약 300 arcsec정도 Ga-rich 방향으로 이동하였으며 relative FWHM은 약 2배 가량 증가하는 것을 보였다. SMQW 구조에서는 bulk 에피층과는 달리, PL 중심파장에서도 약 40 nm 정도 단파장쪽으로 이동하였으며, 피크 분리는 약 300 arcsec정도 Ga-rich 방향으로 이동하였다. 하지만, EPISON의 closed loop 기능을 사용할 경우에는 TMIn 소스 사용량이 95%에서도 피크 분리가 $\pm$100 arcsec이내의 재현성 있는 에피층 성장이 가능하다는 것을 알 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권4호
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• pp.451-456
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• 2014

A compact model of a depletion-mode silicon-nanowire (Si-NW) pH sensor is proposed. This drain current model is obtained from the Pao-Sah integral and the continuous charge-based model, which is derived by applying the parabolic potential approximation to the Poisson's equation in the cylindrical coordinate system. The threshold-voltage shift in the drain-current model is obtained by solving the nonlinear Poisson-Boltzmann equation for the electrolyte. The simulation results obtained from the proposed drain-current model for the Si-NW field-effect transistor (SiNWFET) agree well with those of the three-dimensional (3D) device simulation, and those from the Si-NW pH sensor model also agree with the experimental data.

• Molecules and Cells
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• 제45권10호
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• pp.718-728
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• 2022

Splicing factor B subunit 4 (SF3B4), a component of the U2-pre-mRNA spliceosomal complex, contributes to tumorigenesis in several types of tumors. However, the oncogenic potential of SF3B4 in lung cancer has not yet been determined. The in vivo expression profiles of SF3B4 in non-small cell lung cancer (NSCLC) from publicly available data revealed a significant increase in SF3B4 expression in tumor tissues compared to that in normal tissues. The impact of SF3B4 deletion on the growth of NSCLC cells was determined using a siRNA strategy in A549 lung adenocarcinoma cells. SF3B4 silencing resulted in marked retardation of the A549 cell proliferation, accompanied by the accumulation of cells at the G0/G1 phase and increased expression of p27, p21, and p53. Double knockdown of SF3B4 and p53 resulted in the restoration of p21 expression and partial recovery of cell proliferation, indicating that the p53/p21 axis is involved, at least in part, in the SF3B4-mediated regulation of A549 cell proliferation. We also provided ubiquitination factor E4B (UBE4B) is essential for p53 accumulation after SF3B4 depletion based on followings. First, co-immunoprecipitation showed that SF3B4 interacts with UBE4B. Furthermore, UBE4B levels were decreased by SF3B4 depletion. UBE4B depletion, in turn, reproduced the outcome of SF3B4 depletion, including reduction of polyubiquitinated p53 levels, subsequent induction of p53/p21 and p27, and proliferation retardation. Collectively, our findings indicate the important role of SF3B4 in the regulation of A549 cell proliferation through the UBE4B/p53/p21 axis and p27, implicating the therapeutic strategies for NSCLC targeting SF3B4 and UBE4B.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권4호
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• pp.177-181
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• 2013

In this paper, silicon solar cells are analyzed regarding power conversion efficiency by changed capacitance in the depletion region. For the capacitance control in the depletion region of silicon solar cell was applied for 10, 20, 40, 80, 160 and 320 Hz frequency band character and alternating current(AC) voltage with square wave of 0.2~1.4 V. Academically, symmetry formation of positive and negative change of the p-n junction is similar to the physical effect of capacitance. According to the experiment result, because input of square wave with alternating current(AC) voltage could be observed to changed capacitance effect by indirectly method through non-linear power conversion (Voltage-Current) output. In addition, when input alternating current(AC) voltage in the silicon solar cell, changed capacitance of depletion region with the forward bias condition and reverse bias condition gave a direct effect to the charge mobility.

• 센서학회지
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• 제8권5호
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• pp.421-426
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• 1999

본 논문에서는 반절연성 GaAs(semi-insulating GaAs) 기판위에 $Al_2O_3$ 절연막이 게이트 절연막으로 이용된 공핍형모드 p-채널 GaAs MOSFET (depletion mode p-channel GaAs MOSFET)를 제조하였다. 반절연성 GaAs 기판위에 $1\;{\mu}m$의 GaAs 버퍼층(buffer layer), $4000\;{\AA}$의 p형 GaAs 에피층(epi-layer), $500\;{\AA}$의 AlAs층, 그리고 $50\;{\AA}$의 캡층(cap layer)을 차례로 성장시키고 습식열산화시켰으며, 이를 통하여 AlAs층은 완전히 $Al_2O_3$층으로 산화되었다. 제조된 MOSFET의 I-V, $g_m$, breakdown특성 측정을 통하여 AlAs/GaAs epilayer/S I GaAs 구조의 습식열산화는 공핍형 모드 p-채널 GaAs MOSFET를 구현하기에 적합함을 알 수 있다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제18권2호
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• pp.29-31
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• 2019

The ZTO/p-Si thin film was produced and investigated for tunneling phenomena caused by the interface characteristics of the depletion layer. ZTO thin film was deposited and heat treated to produce barrier potentials by the depletion layer. The negative resistance characteristics were shown in the thin film of ZTO heat treated at $100^{\circ}C$, and the insulation properties were the best. Current decreased in the negative voltage direction by nonlinear show key characteristics, and current decreased in tunneling phenomenon by negative resistance in the positive voltage direction. Heat treated at $100^{\circ}C$, the ZTO thin film has increased barrier potential in the areas of the depletion layer and therefore the current has increased rapidly. The current has decreased again as we go beyond the depletion layer. Therefore, tunneling can be seen to make insulation better. In the ZTO thin film heat treated at $70^{\circ}C$ without tunneling, leakage current occurred as current increased at positive voltage. Therefore, tunneling effects by negative resistance were found to enhance insulation properties electrically.