Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.43
no.8
s.350
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pp.6-12
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2006
Recently, according to the rapid development of mobile system, the development of relative mobile components has been required, and especially, with the miniaturization of mobile component, the complex with nearby components has been progressed. In this paper, multi-output VC-TCXO (Voltage Controlled-Temperature Compensated Crystal Oscillator) for WCDMA integrates the additional CMOS inverter, so it can be the normal clipped sinewave output and additional CMOS output, and also it can be satisfied the VC-TCXO's requirements for WCDMA system. And the important characteristics of reference oscillator, like phase noise and frequency short term stability, are satisfied with WCDMA(UMTS) system's requirement In this paper, however, 25MHz is used for reference frequency, similarly and practically, we think that it can be used from 10MHz to 40MHz.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.49
no.2
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pp.67-71
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2012
In this paper, a push-push oscillator at K-band with a double H-shape metamaterial resonator (DHMR) based on high-Q is proposed with metamaterial structure to improve the phase noise and output power. The proposed oscillator shows low phase noise and high output power. DHMR is designed to be high-Q at resonance frequency through strong coupling of E-field. oscillators which are combined in push-push structure improve output power. The propose push-push oscillator shows the output power of 3.1 dBm, the fundamental signal suppression of -23.7 dBc and phase noise of -116.28 dBc at 100 kHz offset frequency and 20.20 GHz center frequency.
A 77GHz MMIC transceiver module consisting of a power amplifier, a low noise amplifier, a drive amplifier, a frequency doubler and a down-mixer has been developed for automotive forward-looking radar sensor. The MMIC chip set was fabricated using $0.15{\mu}m$ gate-length InGaAs/InAlAs/GaAs mHEMT process based on 4-inch substrate. The power amplifier demonstrated a measured small signal gain of over 20dB from $76{\sim}77GHz$ with 15.5dBm output power. The chip size is $2mm{\times}2mm$. The low noise amplifier achieved a gain of 20dB in a band between $76{\sim}77\;GHz$ with an output power of 10dBm. The chip size is $2.2mm{\times}2mm$. The driver amplifier exhibited a gain of 23dB over a $76{\sim}77\;GHz$ band with an output power of 13dBm. The chip size is $2.1mm{\times}2mm$. The frequency doubler achieved an output power of -16dBm at 76.5GHz with a conversion gain of -16dB for an input power of 10dBm and a 38.25GHz input frequency. The chip size is $1.2mm{\times}1.2mm$. The down-mixer demonstrated a measured conversion gain of over -9dB. The chip size is $1.3mm{\times}1.9mm$. The transceiver module achieved an output power of 10dBm in a band between $76{\sim}77GHz$ with a receiver P1dB of -28dBm. The module size is $8{\times}9.5{\times}2.4mm^3$. This MMIC transceiver module is suitable for the 77GHz automotive radar systems and related applications in W-band.
In this study, a compact, picosecond, mid-infrared 3.8 ㎛ MgO:PPLN optical parametric oscillator (OPO) laser output with high peak power is realized using a master oscillator power amplifier (MOPA) 1 ㎛ solid-state laser seeded by a picosecond fiber laser as the pump source. The pump source was a 50 MHz and 10 ps fiber seed source. After AOM pulse selection and two-stage solid-state amplification, a 1,064 nm laser output with a repetition frequency of 1-2 MHz, pulse width of 9.5 ps, and a maximum average power of 20 W was achieved. Furthermore, a compact short cavity with a unsynchronized pump is adopted through the design of an OPO cavity structure. When the injection pump power was 15 W and the repetition frequency was 1 MHz, the average output power of idler light was 1.19 W, and the corresponding peak power was 119 kW. The optical conversion efficiency was 7.93%. When the repetition frequency was increased to 2 MHz, the average output power of idler light was 1.63 W, the corresponding peak power was 81.5 kW, and the optical conversion efficiency was 10.87%. At the same time, the output wavelength was measured at 3,806 nm, and the beam quality was MX2 = 3.21 and MY2 = 3.34.
Upon detecting a frequency event in a power system, the stepwise inertial control (SIC) of a wind turbine generator (WTG) instantly increases the power output for a preset period so as to arrest the frequency drop. Afterwards, SIC rapidly reduces the WTG output to avert over-deceleration (OD). However, such a rapid output reduction may act as a power deficit in the power system, and thereby cause a second frequency dip. In this paper, a hybrid reference function for the stable SIC of a doubly-fed induction generator is proposed to prevent OD while improving the frequency nadir (FN). To achieve this objective, a reference function is separately defined prior to and after the FN. In order to improve the FN when an event is detected, the reference is instantly increased by a constant and then maintained until the FN. This constant is determined by considering the power margin and available kinetic energy. To prevent OD, the reference decays with the rotor speed after the FN. The performance of the proposed scheme was validated under various wind speed conditions and wind power penetration levels using an EMTP-RV simulator. The results clearly demonstrate that the scheme successfully prevents OD while improving the FN at different wind conditions and wind power penetration levels. Furthermore, the scheme is adaptive to the size of a frequency event.
Journal of the Earthquake Engineering Society of Korea
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v.9
no.3
s.43
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pp.33-42
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2005
Frequency domain Volterra model is applied to nonlinear parameter identification procedure for dynamic systems modeled by nonlinear function. The frequency domain Volterra kernels, which correspond io linear, quadratic, and cubic transfer functions in lime domain, are incorporated in nonlinear parametric identification procedure. The nonlinear transfer functions, which can be derived from the Volterra series representation of the nonlinear differential equation of the system by Schetzen's method(1980), are directly used for modeling input output relation. The error is defined by the difference between the observed output and the estimated output which is calculated by substituting the observed input to nonlinear frequency domain model. The system parameters are searched by minimizing the error. Volterra model guarantees enough accuracy and convergence and the estimated coefficients have a good agreement with their actual values not only in the linear frequency region but also in the legion where the $2^{nd}\;or\;3^{rd}$ order nonlinearity is dominant.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.53
no.2
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pp.27-35
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2016
A Low jitter dual output frequency synthesizer for smart audio devices is described in this paper. It has been fabricated in a 1.8 V Dongbu $0.18-{\mu}m$ CMOS process. Output frequency is controlled by 3 rd order Sigma-Delta Modulation and digital divider. The frequency synthesizer has a size of $0.6mm^2$, frequency range of 0.6-200 MHz, loop bandwidth of 350 kHz, and rms jitter of 11.4 ps-21.6 ps.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.5
no.2
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pp.154-162
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2000
A technique to suppress the low frequency ripple voltage of the DC output ${\gamma}$oltage in three-phase buck d diode rectifiers is presented in this paper. The proposed pulse frequency modulation method is employed to r regulate the output voltage of the buck diode rectifiers and guarantee zero-current switching of the switch over the Vvide load range. The pulse frequency control method used in tIns paper shows generally good p performance such as low THD of the input line current and unity power factor. In addition, the pulse f freιluency method can be effectively used to suppress the low frequency voltage ripple appeared in the dc output voltage. The proposed technique illustrates its validity and effectiveness through the respective s simulations and experiments.
For maintaining a reliable and secure power system, this paper describes the design and implement of a single-phase grid-connected inverter with an enhanced phase-locked loop (PLL) and excellent power control performance. For designing the enhanced PLL and power regulator, a full-bridge voltage-controlled inverter (VCI) is investigated. When the grid frequency deviates from its reference values, the output frequency of the VCI is unstable with an oscillation of 2 doubling harmonics. The reason for this oscillation is analyzed mathematically. This oscillation leads to an injection of harmonics into the grid and even causes an output active power oscillation of the VCI. For eliminating the oscillation caused by a PLL, an oscillation compensation method is proposed. With the proposed method, the VCI maintains the original PLL control characteristics and improves the PLL robustness under grid frequency deviations. On the basis of the above analysis, a power regulator with the primary frequency and voltage modulation characteristics is analyzed and designed. Meanwhile, a small-signal model of the power loops is established to determine the control parameters. The VCI can accurately output target power and has primary frequency and voltage modulation characteristics that can provide active and reactive power compensation to the grid. Finally, simulation and experimental results are given to verify the idea.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.19
no.3
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pp.135-140
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2019
In this paper, a frequency split type broadband drive amplifier operating in the L, S and C bands was designed and fabricated. Transistor is difficult to efficiently use when the fractional bandwidth of the drive amplifier is more than 100%, In particular, the characteristics of the driving amplifier are important for operating the power amplifier in which the characteristics of the output power and the efficiency are sensitively changed according to the frequency band. A frequency split methods was applied to maximize the bandwidth of a drive amplifier and to divide the output of the drive amplifier into low band and high band so that the transistor of the power amplifier located at the rear of the drive amplifier can be efficiently used. The designed drive amplifier was fabricated in GaAs HBT technology and 9-layer SiP, and verified by the measurements. The fabricated drive amplifier shows a gain of more than 8 dB and an output power of more than 15 dBm in the operating frequency range.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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