• 한국세라믹학회지
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• 제37권7호
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• pp.665-672
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• 2000

The ferroelectric YMnO3 thin films were prepared by MOD(metal-organic decomposition) method with Y- and Mn-acetylacetonate as starting materials. Thin films were grown on various substrates by spin-coating technique. The crystalline phases of the thin films were identified by X-ray diffractometer as a function of heat-treatment temperature, pH of coating solution and substrate. In addition, the effect of Mn/Y molar ratio(0.8~1.2) on the formation of hexagonal-YMnO3 phase was investigated. In forming highly c-axisoriented hexagonal-YMnO3 single phase, the Pt coated Si substrate was more effective than the bare Si substrate, and the optimum heat-treatment condition was at 82$0^{\circ}C$ for 30 min. Higher Mn/Y molar ratio within 0.8~1.2 and pH of YMnO3 precursor solution within 0.5~2.5 favored formation of ferroelectric hexagonal phase rather than orthorhombic phase. Leakage current density of the hexagonal-YMnO3 thin film formed on Pt(111)/TiO2/SiO2/Si substrate was low enough as 0.4~4.0$\times$10-8(A/$\textrm{cm}^2$) at 5 V and its remanent polarization(Pr), calculated from the P-E hysteresis loop, was 3 nC/$\textrm{cm}^2$.

• 한국결정성장학회지
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• 제31권4호
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• pp.149-153
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• 2021

ε-Ga₂O₃ 박막은 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD)에 의해 4H-SiC 기판에 성장되었으며, 결정성은 성장 조건에 따라 평가되었다. ε-Ga₂O₃의 최적 조건은 665℃의 성장 온도와 200 sccm의 산소 유량에서 성장한 것으로 나타났다. hexagonal 핵이 합쳐지면서 2차원으로 성장되었고, hexagonal 핵의 배열 방향은 기판의 결정 방향과 밀접한 관련이 있었다. 그러나 ε-Ga₂O₃의 결정 구조는 hexagonal이 아닌 orthorhombic 구조를 가짐을 확인하였다. 결정상 전이는 열처리에 의해 수행되었다. 그리고 상 전이된 β-Ga₂O₃ 박막과 비교하기 위해 4H-SiC에서 β-Ga₂O₃ 박막을 바로 성장하였다. 상 전이된 β-Ga₂O₃ 박막은 바로 성장한 것보다 더 나은 결정성을 보여주었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권10호
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• pp.906-910
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• 2008

$(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$ (NKN) ceramics doped with $Li_{2}CO_3$ as sintering aids were manufactured in order to develop the low temperature sintering ceramics for piezoelectric device. The sintering aids were proved to lower the sintering temperature of doped NKN ceramics due to the effect of $Na_{2}CO_{3}-Li_{2}CO_3$ liquid phase. All the specimens showed the orthorhombic phase without secondary phase. And also, the piezoelectric properties of specimens were improved with increasing $Li_{2}CO_3$ contents. At sintering temperature of $930^{\circ}C$, the density, electromechanical coupling factor (kp), mechanical quality factor (Qm) and dielectric constant(${\epsilon}_{\gamma}$), piezoelectric constant of 0.3 wt.% $Li_{2}CO_3$ added specimen showed the optimum values of $4.255 g/cm^3$, 0.37, 234, 309, 136 pC/N, respectively.

• 열처리공학회지
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• 제4권3호
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• pp.47-53
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• 1991

In this study, the structural phase transition and decomposition of superconducting ceramic, Y-Ba-Cu-O system was studied. The results of the study are as follows. The high Tc superconductor $Y_2Ba_2Cu_3O_{7-x}$ is made in solid state reaction of $O_2$ atmosphere and the valve of X in $Y_2Ba_2Cu_3O_{7-x}$ is 0.1~0.2. The transition temperature of tetragonal-orthorhombic phase of $Y_2Ba_2Cu_3O_{7-x}$ appear at $790^{\circ}C-900^{\circ}C$. In the result of measuring the electrical resistance of sample annealed in $O_2$ atmosphere, the electrical resistance show zero at 92 K and the best superconductor, $Y_2Ba_2Cu_3O_{7-x}$(Y 123) can be mabe.

• 센서학회지
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• 제30권6호
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• pp.408-414
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• 2021

This study analyzes the phase transition behavior and electrical properties of lead-free (1-x)K_0.5Na_0.5NbO₃-xBaZrO₃ (KNN-100xBZ) piezoelectric ceramics. The stabilized crystal structures in BaZrO₃-modified KNN ceramics is clarified to be pseudocubic. The polymorphic phase transition from the orthorhombic to pseudocubic phases can be observed with KNN-6BZ ceramics considering the optimized piezoelectric constant (d₃₃). Electromechanical strain behaviors are discussed. Accordingly, the enhancement of strain value at x = 0.08 (composition) may originate from the coexistence of ferroelectric domains and polar nanoregions. A schematic of domains for KNN, KNN-8BZ, and KNN-15BZ ceramics has been proposed to describe the relationship between the stabilized relaxor and changes in electrical properties.

• 한국광물학회지
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• 제16권2호
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• pp.161-169
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• 2003

한성 비정질 투휘석$(Ca,Mg)SiO_3$에 대한 상변이 연구를 압력은 다이아몬드앤빌기기를 이용하여 ∼30 GPa까지, 온도는 약(YAG) 레이저 가열기기를 이용하여 ∼$1000^{\circ}C$에서 조사(scanning)하여 시행하였다. 비정질 투휘석은 고온-고압 하에서 곧바로 등축정계에 속하는 단상의 $(Ca,Mg)SiO_3$페롭스카이트 결정구조로 상변이 하였다. 이러한 결과는 고온-고압 하에서 사방정계에 속하는 $MgSiO_3$페롭스카이트 상과 등축정계에 속하는 $CaSiO_3$페롭스카이트 상으로 분리되는 상변이를 하는 결정질 투휘석의 상변이 계통과는 큰 차이를 보이고 있다. 이러한 차이는 출발시료의 차이점이나 특히 온도가 상변이에 큰 영향인자로 작용하여 기인한 것으로 판단된다. 이러한 강변이 관계는 맨틀의 온도, 압력 및 산소분압 차이 등에 의해 맨틀전이대나 하부맨틀을 구성하는 광물상의 조합에 영향을 줄 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권2호
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• pp.68-72
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• 2002

Iodine ($I_2$)을 이용한 기상성장법(chemical vapour transport CVT)으로 상용 FeSi$_2$분말로부터 $\beta$-$FeSi_2$ 및 $\alpha$-$FeSi_2$단결정을 제조하였다 $FeSi_2$ 분말은 iodine과 함게 석영 ampoule에 넣은 후 진공배기하여 two-zone 전기로 내에서 기상성장 시켰다. CVT법에 의한 기상성장시 고온부분의 source측 온도는 $1050^{\circ}C$이었으며 $\beta$-$FeSi_2$와 $\alpha$-$FeSi_2$ 단결정이 얻어지는 성장측 온도는 각각 $750^{\circ}C$ 및 $950^{\circ}C$이었다. 이때 얻어진$\alpha$-$FeSi_2$ 단격정은 $l0\times10 \textrm{mm}^2$크기의 판상결정이었고 orthorhombic 구조의 $\beta$-$FeSi_2$, 단결정은 길이 10mm의 needle형 결정임을 알 수 있었다. $\alpha$-$FeSi_2$ 단결정의 조성을 EPMA로 조사한 결과 Si이 화학양론비보다 많은 $FeSi_{2.58}$ 이었다. CVT법으로 합성된 $\beta$-$FeSi_2$ 격정의 승온에 따른 상의 안정성을 조사한 결과 $930^{\circ}C$ 이상에서 $\alpha$-$FeSi_2$로 상변태함을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제4권3호
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• pp.268-279
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• 1994

단일상을 갖는 $Bi_2S_2CaCu_2O_{8+x}$ (2212)의 x-ray 분말 pattern을 a=5.408, c=30.83 $\AA$의 격자상수 및 역격자 벡터 $q^*=0.211b^*-c^*$을 갖는 pseudo tetragonal subcell을 이용하여 모두 index하였다. 임계온도 110K를 갖는 $Bi_2S_2CaCu_2O_{10+x}$ 상은 incommensurate supercell에 속하는 매우 많은 x-ray분말선들을 가지고 있다. Indixing guide로 전자회절사진(electron diffraction photographs)을 이용 x-ray분말 pattern에 대한 지수결정방법을 얻었다.$Bi_2S_2CaCu_2O_{10+x}$(2223)의 단위세표(unit cell)는 기하학적으로 격자상수 a=5.411, b=5.420, c=37.29(2) A을 갖는 orthorhombic subcell이다. Supercell반사 지수들은 subcell의 파 벡터 $\pm q^*=0.211b^*-0.78c^*$을 갖는 k,1지수로부터 영향을 받은 것이다. b 방향으로의 inconnensurate성분 $\delta$는 두 상에 대해 다 같으나, 2212에서 2223 상으로의 변환에 따라 c 방향으로의 초격자성분(superlattic component)은 connensurate($\varepsilon$=1)로부터 incommensurate($\varepsilon$=0.78)로 변한다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제4권3호
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• pp.139-144
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• 2003

평면형 마이크로가스센서를 MEMS 기술을 이용하여 제작하였다. NO₂ 가스의 감지를 위한 감지물질로서 이용되는 WO₃ 박막은 텅스텐 타겟을 스퍼터링한 후에 1시간 동안 여러 온도에서 열산화법에 의해 형성하였다. NO₂ 감도(Rgas/Rair)는 열처리 온도에 따른 WO₃ 박막에 대해 조사하였다. 동작온도가 200℃일 때 600℃에서 열처리한 시편의 NO₂가스감도가 가장 높았다. XRD의 결과는 열처리한 시편은 triclinic구조와 orthorhombic구조가 혼합된 다결정상을 보여주었다 또한 시편은 triclinic구조가 적을수록 더 높은 가스 감도를 보여주었다 600℃에서 열처리한 시편의 20℃의 동작온도일 때 5 ppm NO₂ 가스감도는 약 90이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.119-122
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• 2002

The calculated and measured dielectric constant of (1-x)(Al$\sub$1/2/Ta$\sub$1/2/)O$_2$-x(Mg$\sub$1/3/Ta$\sub$2/3/)O$_2$(O$\leq$x$\leq$1.0) solid solutions were investigated by variations of ionic polarizability and crystal structure. (Al$\sub$1/2/Ta$\sub$1/2/)O$_2$ and (Mg$\sub$1/3/Ta$\sub$2/3/)O$_2$were orthorhombic and tetragonal trirutile structure, respectively. When (Al$\sub$1/2/Ta$\sub$1/2/)O$_2$ was substituted by (Mg$\sub$1/3/Ta$\sub$2/3/)O$_2$, the phase transformed to tetragonal structure over 60 mole%. Because the ionic radius of (Mg$\sub$1/3/Ta$\sub$2/3/)O$_2$was slightly bigger than one of (A1$\sub$1/2/Ta$\sub$1/2)O$_2$, the cell parameters increased with an increase of (Mg$\sub$1/3/Ta$\sub$2/3/)O$_2$ substitution. The measured dielectric constant increased with an increase of (Mg$\sub$1/3/Ta$\sub$2/3/)O$_2$ substitution and coincided with dielectric mixing rule and the calculated dielectric constant with the molecular additivity rule. There were some differences between the measured and the calculated dielectric constant. The reason of the lowered dielectric constant comparing with the calculated one was compressed stress due to the electronic structure of tantalum.